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中电化合物半导体有限公司

作品数：142 被引量：7H指数：1
相关机构：河北普兴电子科技股份有限公司山西烁科晶体有限公司中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：化学工程电子电信金属学及工艺理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 135篇专利
  • 5篇标准
  • 2篇期刊文章

领域

  • 26篇化学工程
  • 15篇电子电信
  • 13篇金属学及工艺
  • 7篇文化科学
  • 7篇理学
  • 4篇自动化与计算...

主题

  • 54篇碳化硅
  • 47篇坩埚
  • 25篇单晶
  • 24篇籽晶
  • 21篇碳化硅单晶
  • 21篇硅单晶
  • 20篇晶体
  • 19篇石墨
  • 13篇半导体
  • 12篇氮化镓
  • 11篇多孔
  • 11篇长腔
  • 10篇单晶生长
  • 10篇石墨坩埚
  • 10篇外延层
  • 10篇外延片
  • 9篇碳化钽
  • 9篇晶圆
  • 9篇缓冲层
  • 7篇氮化铝

机构

  • 142篇中电化合物半...
  • 5篇河北普兴电子...
  • 5篇山西烁科晶体...
  • 4篇中国科学院
  • 4篇中国电子科技...
  • 4篇山东天岳先进...
  • 3篇河北半导体研...
  • 3篇浙江大学
  • 3篇深圳市星汉激...
  • 3篇之江实验室
  • 2篇清华大学
  • 2篇有色金属技术...
  • 2篇哈尔滨科友半...
  • 2篇北京天科合达...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇沈阳星光技术...
  • 1篇江苏卓远半导...
  • 1篇湖南三安半导...
  • 1篇常州银河世纪...

作者

  • 2篇芦伟立
  • 2篇郑丽丽
  • 2篇张辉
  • 1篇房玉龙
  • 1篇高伟
  • 1篇李佳

传媒

  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 31篇2024
  • 21篇2023
  • 37篇2022
  • 36篇2021
  • 17篇2020
共 142 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种籽晶托盘、晶体生长设备和碳化硅晶体
本实用新型提供一种籽晶托盘、晶体生长设备和碳化硅晶体，所述籽晶托盘包括托盘本体和设置在所述托盘本体内的若干气路，所述托盘本体安装在坩埚的顶部，用以安置籽晶；所述气路上设有进气口和出气口，气路内有冷媒气体流通，所述冷媒气体...
薛卫明马远潘尧波
一种晶圆外延薄膜装置
本实用新型提供一种晶圆外延薄膜装置，所述外延薄膜装置至少包括：承载座，设有一内凹槽；支撑环，设有至少一缺口；其中，所述支撑环还设有底部凹槽和顶部凹槽，所述底部凹槽是设置在靠近支撑环底部的一端，所述顶部凹槽是设置在靠近支撑...
刘振兴赵哲张优优沈淳周长健潘尧波
文献传递
一种外延晶片及其制备方法
本发明提供一种外延晶片及其制备方法，所述制备方法，至少包括：提供一衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述第二表面上形成环形碳层，所述环形碳层设置在所述第二表面的边缘；翻转所述衬底，暴露所述第一表面；在所述...
徐慧文马远张德唐军潘尧波
一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法
本发明公开了一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法。所述可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚包括：坩埚主体；原料腔，位于所述坩埚主体内，用于装填碳化硅单晶的生长原料；生长腔，位于所述坩埚主体内，并位于所述原料...
马远陈豆薛卫明
文献传递
一种石墨容器及碳化硅单晶生长坩埚
本实用新型公开了一种石墨容器及碳化硅单晶生长坩埚。所述石墨容器包括：石墨容器本体，所述石墨容器本体内装载有含氯化合物；碳化硅块体，安置于所述石墨容器本体内，并位于所述含氯化合物的上方，以密封所述石墨容器本体；多孔盖体，安...
陈豆李坚马远
文献传递
一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法
本发明公开了一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法。所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，包括：提供一待处理的碳化硅单晶衬底，晶向为C向[0001]；使用电解研磨工艺于所述待处理的碳化硅单晶衬底上形成具有凹部和凸部的第...
马远薛卫明潘尧波
文献传递
一种氮化镓基外延结构及其制备方法
本发明提供一种氮化镓基外延结构的制备方法，包括：提供一衬底，并对所述衬底进行预处理，在所述衬底上生长氮化铝缓冲层；在所述氮化铝缓冲层上生长Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N缓冲层；在所述Al<...
唐军冯欢欢
文献传递
碳化硅粉料制备设备及制备方法
本发明提供一种碳化硅粉料制备设备及制备方法，属于碳化硅生长技术领域，本发明的制备设备包括：炉体、支撑机构、载料台和球状坩埚。其中，支撑机构设置在炉体底部；载料台安装在支撑机构上，载料台位于加热腔内；球状坩埚固定于载料台上...
陈豆马远潘尧波
一种碳化钽涂层及其制备方法
本发明提供一种碳化钽涂层及其制备方法，具体涉及材料制备领域。该碳化涂层的制备方法包括如下步骤：提供一碳基体；对所述碳基体表面进行活化处理；在经活化处理后的碳基体的表面均匀设置一层填充剂；将有机钽沉积于放置有所述填充剂的碳...
陈豆马远程丹妃李坚潘尧波
一种晶体生长坩埚
本实用新型公开了一种晶体生长坩埚，至少包括：坩埚盖；混合腔，设置在所述坩埚盖的一侧；至少一个原料装填部，所述原料装填部设置在所述混合腔远离所述坩埚盖的一侧，且所述原料装填部与所述混合腔可拆卸连接；以及多孔隔板，设置在所述...
梁晓亮 马远 潘尧波
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