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赛奥科思有限公司

作品数：73 被引量：0H指数：0
相关机构：住友化学株式会社三重大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺经济管理理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 73篇中文专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 7篇金属学及工艺
  • 3篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 39篇氮化物
  • 31篇基板
  • 31篇半导体
  • 28篇氮化
  • 21篇化物
  • 16篇单晶
  • 14篇氮化物半导体
  • 14篇导体
  • 10篇氮化镓
  • 10篇晶面
  • 10篇晶体
  • 9篇蚀刻
  • 9篇基底
  • 9篇半导体装置
  • 9篇III族
  • 9篇III族氮化...
  • 7篇氮化铝
  • 7篇照射
  • 7篇镜面
  • 5篇衍射

机构

  • 73篇赛奥科思有限...
  • 72篇住友化学株式...
  • 4篇三重大学

年份

  • 1篇2023
  • 16篇2022
  • 24篇2021
  • 11篇2020
  • 13篇2019
  • 8篇2018
共 73 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
III族氮化物层叠基板和半导体发光元件
本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体发光元件。提供能够提高形成在蓝宝石基板上且用于半导体发光元件的GaN层的品质的技术。一种III族氮化物层叠基板，其具有：蓝宝石基板；第一层，其形成在蓝宝石基板上且由氮化铝构成；第二...
藤仓序章今野泰一郎木村健司
文献传递
GaN层叠体及其制造方法
本发明提供通过利用HVPE使GaN层在GaN基板上生长而得到的新型GaN层叠体及其制造方法。GaN层叠体具有：GaN基板，其由GaN单晶构成，且相对于主面最近的低指数晶面为c面；以及GaN层，其在GaN基板的前述主面上进...
藤仓序章
半导体装置及其制造方法
半导体装置具有：具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在第一半导体层的正上方，由以1×10<Sup>20</Sup>cm<Sup>‑3</Sup>以上的浓度添加有p...
三岛友義堀切文正
氮化物半导体基板、层叠结构体和氮化物半导体基板的制造方法
一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的单晶形成，且具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，所述氮化物半导体基板具有以除了(0001)面之外的倾斜界面作为生长面而生长的倾斜界面生长区域，倾斜界面生长区域在主面...
吉田丈洋
文献传递
氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体层叠物、膜质检查方法和半导体生长装置的检查方法
一种氮化物半导体层叠物的制造方法，其中，所述氮化物半导体层叠物是使薄膜在由III族氮化物半导体的晶体形成的基板上进行同质外延生长而成的，所述制造方法具备如下的工序：使薄膜在主面的位错密度为5×10<Sup>6</Sup>...
堀切文正
文献传递
结构体的制造方法和结构体的制造装置
结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物晶体构成的直径2英寸以上的晶圆的工序；在容器内准备包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液的工序；以晶圆表面与蚀刻液表面平行的方式，将晶圆以晶圆...
堀切文正
文献传递
氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体
本发明涉及氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体。提供一种能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指...
吉田丈洋藤仓序章柴田真佐知堀切文正
文献传递
氮化物晶体基板
一种氮化物晶体基板，其由直径为100mm以上的氮化物晶体形成，其在主面中具有连续的高位错密度区域和被高位错密度区域划分的多个低位错密度区域，并且主面不包含极性反转区。
吉田丈洋柴田真佐知
结构体的制造方法、结构体的制造装置和中间结构体
结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及，在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光，从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基...
堀切文正福原昇佐藤威友渡久地政周
文献传递
晶体基板的制造方法以及晶体基板
本发明涉及晶体基板的制造方法以及晶体基板，提供一种能够提高由III族氮化物构成的晶体基板的面内的偏离角均匀性的新型技术。晶体基板的制造方法具有如下工序：准备第1结晶体的工序，所述第1结晶体是由利用气相法制作的III族氮化...
吉田丈洋柴田真佐知皿山正二佐藤隆三好直哉村上明繁
文献传递
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