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东芝高新材料公司

作品数：515 被引量：0H指数：0
相关机构：株式会社东芝国立大学法人大阪大学东芝照明技术株式会社更多>>
相关领域：化学工程一般工业技术文化科学电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 515篇中文专利

领域

  • 46篇化学工程
  • 14篇一般工业技术
  • 10篇文化科学
  • 9篇电子电信
  • 8篇电气工程
  • 8篇自动化与计算...
  • 7篇经济管理
  • 5篇金属学及工艺
  • 5篇理学
  • 3篇医药卫生
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 91篇基板
  • 69篇半导体
  • 66篇氮化
  • 64篇电路
  • 62篇陶瓷
  • 58篇电路基板
  • 57篇荧光
  • 55篇陶瓷基
  • 55篇陶瓷基板
  • 51篇发光
  • 45篇氮化硅
  • 42篇半导体装置
  • 41篇合金
  • 38篇晶界
  • 36篇粒径
  • 34篇光谱
  • 33篇荧光体
  • 32篇金属
  • 30篇射线
  • 26篇晶界相

机构

  • 515篇东芝高新材料...
  • 482篇株式会社东芝
  • 8篇国立大学法人...
  • 5篇东芝照明技术...
  • 4篇京瓷株式会社
  • 4篇赛科尼可有限...
  • 2篇林天连布株式...
  • 2篇株式会社OR...
  • 2篇坪田实验室股...
  • 2篇国立大学法人...
  • 1篇凤凰电机公司
  • 1篇东芝北斗电子...
  • 1篇国立研究开发...

年份

  • 44篇2024
  • 46篇2023
  • 27篇2022
  • 33篇2021
  • 25篇2020
  • 31篇2019
  • 30篇2018
  • 34篇2017
  • 44篇2016
  • 39篇2015
  • 35篇2014
  • 29篇2013
  • 19篇2012
  • 12篇2011
  • 19篇2010
  • 17篇2009
  • 14篇2008
  • 6篇2007
  • 11篇2006
共 515 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
钎料、接合体、陶瓷电路基板及接合体的制造方法
根据实施方式，其特征在于，对于用于将陶瓷基板与金属板接合的钎料，在通过差示扫描量热计(DSC)来测定DSC曲线时，在升温工序的550℃～700℃的范围内具有吸热峰。此外，钎料优选含有Ag、Cu及Ti。此外，钎料优选在升温...
米津麻纪末永诚一藤泽幸子佐野孝
接合体、电路基板及半导体装置
一种接合体，其具备陶瓷构件和介由接合层而与陶瓷构件接合的铜构件。接合层的纳米压痕硬度H<Sub>IT</Sub>为1.0GPa～2.5GPa。
梅原政司加藤宽正那波隆之
文献传递
冷阴极管用烧结电极、使用了该烧结电极的冷阴极管以及液晶显示装置
本发明的一方具有底部，而在另一方具有开口部的筒状的冷阴极管用烧结电极的特征是，在上述底部中一体地接合有导入线，并且当将上述烧结电极的密度设为d1，将上述导入线的密度设为d2时，满足d2/d1＞1。在这样的本发明中，提供烧...
森冈勉吉村文彦须藤利昭
文献传递
接合体、陶瓷电路基板及半导体装置
实施方式涉及的接合体具备陶瓷基板、铜板和接合层。接合层配置在所述陶瓷基板的至少一面上，接合所述陶瓷基板和所述铜板。所述接合层含有Ti反应层及多个第1合金。所述Ti反应层含有氮化钛或氧化钛作为主成分。所述多个第1合金位于所...
末永诚一米津麻纪藤泽幸子森阳一朗
冷头、超导磁铁、检查装置以及低温泵
提高蓄冷材粒子相对于冷头的载物台的充填率，且抑制制冷剂气体的通气性的降低。是具备载物台的冷头，所述载物台具有蓄冷材粒子群和将蓄冷材粒子群分隔的金属网材，金属网材具有长边的长度在蓄冷材粒子群的平均粒径的1/10以上、1/2...
山田胜彦布施圭一
文献传递
陶瓷金属电路基板及使用了该陶瓷金属电路基板的半导体装置
本发明提供一种陶瓷金属电路基板，其特征在于，其是在陶瓷基板的至少一个面上接合有多个金属电路板的陶瓷金属电路基板，其中，面积为100mm<Sup>2</Sup>以上的金属电路板中的至少1个在表面的1～70％的范围内具有深度...
那波隆之矢野圭一加藤宽正
高导热性氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置
实施方式的高导热性氮化硅烧结体，具备氮化硅晶粒及晶界相，所述氮化硅烧结体的导热率为80W/(m·K)以上。任意截面中单位面积20μm×20μm上存在的所述氮化硅晶粒的固溶氧量的平均值为0.2wt％以下。任意截面中单位面积...
青木克之五户康广岩井健太郎深泽孝幸山形荣人
陶瓷电路基板及半导体模块
一种陶瓷电路基板，其具备：厚度为1.0mm以下的陶瓷基板，所述陶瓷基板具有第1面和第2面，第1面包含第1区域和第2区域；第1金属板，所述第1金属板与第1区域接合；和第2金属板，所述第2金属板与第2面接合。沿着第1面的第1...
那波隆之 加藤宽正 矢野圭一
半导体电路板及其制造方法和使用其的半导体装置
本发明提供了半导体电路板，其中导体部分设置在绝缘衬底上，其中所述导体部分的半导体元件安装部的表面粗糙度按算术平均粗糙度Ra是0.3μm或更低，按十点平均粗糙度Rzjis是2.5μm或更低，按最大高度Rz是2.0μm或更小...
加藤宽正星野政则
文献传递
亲水性薄膜以及使用该亲水性薄膜的构件和结构物
亲水性薄膜包括基材薄膜以及至少存在于基材薄膜的表面的微粒。微粒由选自氧化钨微粒和氧化钨复合材料微粒的至少1种构成。微粒的平均粒径在1nm以上200nm以下的范围内，且微粒的长宽比在1以上3.5以下的范围内。
中野佳代佐藤光白川康博日下隆夫笠松伸矢
文献传递
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