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信越半导体株式会社

作品数：757 被引量：0H指数：0
相关机构：信越化学工业株式会社大智化学产业株式会社株式会社电装更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺文化科学化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 757篇中文专利

领域

  • 68篇电子电信
  • 64篇金属学及工艺
  • 23篇文化科学
  • 13篇化学工程
  • 10篇经济管理
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇医药卫生
  • 4篇轻工技术与工...
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文学

主题

  • 237篇晶圆
  • 200篇单晶
  • 116篇基板
  • 107篇半导体
  • 106篇晶片
  • 100篇研磨
  • 98篇硅晶
  • 86篇单晶硅
  • 63篇工件
  • 59篇硅晶圆
  • 58篇研磨装置
  • 58篇氧化膜
  • 56篇发光
  • 53篇硅单晶
  • 45篇贴合
  • 44篇线锯
  • 44篇硅基
  • 43篇硅基板
  • 43篇掺杂
  • 41篇支承

机构

  • 757篇信越半导体株...
  • 22篇信越化学工业...
  • 5篇大智化学产业...
  • 4篇信越聚合物株...
  • 4篇株式会社电装
  • 3篇三菱电机株式...
  • 2篇富士纺控股公...
  • 2篇国立大学法人...
  • 2篇埃耶士株式会...
  • 2篇株式会社东芝
  • 2篇株式会社尼康
  • 2篇直江津电子工...
  • 1篇国立大学法人...
  • 1篇三益半导体工...
  • 1篇不二越机械工...
  • 1篇三垦电气株式...

年份

  • 32篇2024
  • 86篇2023
  • 54篇2022
  • 42篇2021
  • 71篇2020
  • 78篇2019
  • 68篇2018
  • 53篇2017
  • 62篇2016
  • 23篇2015
  • 22篇2014
  • 2篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 7篇2010
  • 13篇2009
  • 19篇2008
  • 18篇2007
  • 28篇2006
  • 25篇2005
共 757 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
复合寿命的控制方法
本发明为一种复合寿命的控制方法，其通过进行准备控制载流子的复合寿命的硅基板的准备工序；粒子束照射工序；及热处理工序，控制所述硅基板的载流子的复合寿命，所述控制方法的特征在于，在进行所述准备工序之前，预先取得测定的复合寿命...
竹野博
氮化物半导体基板及其制造方法
本发明涉及一种氮化物半导体基板，其具备成膜用基板与在该成膜用基板上成膜的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板包含结合有多个层的复合基板及形成在该复合基板上的单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，所述氮化物半导体薄膜包含G...
久保埜一平萩本和德篠宫胜
单晶制造装置
本发明的单晶制造装置是利用切克劳斯基法培育单晶的单晶生长装置，具有：主腔室，容纳收容原料熔液的坩埚和加热原料熔液的加热器；提拉腔室，连接设置于该主腔室的上部，提拉并收容生长的单晶；以及冷却筒，以包围提拉中的单晶的方式从主...
高桥宽贵松本克小内骏英菅原孝世
切削液、其制造方法及结晶块的切断方法
水溶性切削液，是在无机膨润土的水分散液中，溶解聚合脂肪酸甘油三酯咪唑和、2甲基-1-硬脂酸酯和、硼酸咪唑，在该主成分中添加油酸(润滑性增强剂)、乙二胺四醋酸钠盐(金属离子吸附剂)、苯并三唑(防锈力辅助剂)以及硅系消泡剂等...
镝木新吾芦田昭雄木内悦男早川和男外山公平
文献传递
半导体基板的评价方法
本发明提供一种半导体基板的评价方法，其是对具有结晶缺陷的半导体基板实施用于修复所述结晶缺陷的缺陷修复热处理的半导体基板的评价方法，其特征在于，以闪光灯退火进行所述缺陷修复热处理，并具有：通过控制所述闪光灯退火的处理条件，...
大槻刚竹野博
端面部测量装置以及端面部测量方法
提供一种端面部测量装置及端面部测量方法，其不受晶圆的端面部的表面状态影响，能够在短时间内对端面部的整体进行形状测量。该端面部测量装置具备：保持部，其保持晶圆；旋转单元，其使晶圆旋转；以及传感器，其具有：向利用保持部保持的...
大叶茂
晶棒的切断方法及线锯
本发明是一种晶棒的切断方法，其利用在多个钢线导件之间卷绕成螺旋状且在轴向行进的钢线来形成钢线列，并一边将加工液供给至晶棒与钢线的接触部，一边使晶棒压接至钢线列，以将晶棒切断成晶圆状，所述晶棒的切断方法的特征在于，在更换所...
上林佳一
半导体晶圆的评价方法
本发明是一种半导体晶圆的评价方法，其特征在于，包含以下步骤：准备已知污染元素及污染量的基准晶圆的步骤；在所述基准晶圆上形成多个包含pn结的单元的步骤；测量所述基准晶圆的所述多个单元的结漏电流，获取所述基准晶圆的所述结漏电...
大槻刚
文献传递
发光元件
在本发明的发光元件(100)中，以具有发光层部(24)的化合物半导体层的第一主表面作为光取出面，在该化合物半导体的第二主表面侧，透过具有反射面的主金属层(10)结合元件基板(7)而构成；该反射面使来自该发光层部(24)的...
萩本和德山田雅人
文献传递
电阻率标准样本的制造方法以及磊晶晶圆的电阻率测定方法
本发明提供一种电阻率标准样本的制造方法，包含第一导电型单晶硅基板的准备步骤、使用有对国家标准的追溯性的厚度测定机器测定单晶硅基板的厚度的步骤、将第二导电型硅磊晶层于第一导电型单晶硅基板上成长而制作具有p‑n接面的磊晶晶圆...
久米史高
文献传递
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共76页<12345678910>
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