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泰科天润半导体科技(北京)有限公司

作品数：290 被引量：46H指数：3
相关机构：北京交通大学北京华商三优新能源科技有限公司重庆大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程交通运输工程机械工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 279篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 140篇电子电信
  • 8篇电气工程
  • 3篇机械工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇交通运输工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 136篇碳化硅
  • 88篇淀积
  • 49篇电阻
  • 47篇栅极
  • 46篇VDMOS
  • 44篇金属
  • 41篇导通
  • 37篇刻蚀
  • 35篇源区
  • 35篇阻挡层
  • 34篇肖特基
  • 33篇导通电阻
  • 31篇二极管
  • 28篇漏极
  • 26篇源极
  • 26篇槽栅
  • 21篇碳化硅器件
  • 21篇漂移
  • 21篇介质层
  • 20篇蚀刻

机构

  • 290篇泰科天润半导...
  • 21篇北京交通大学
  • 2篇北京华商三优...
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇重庆大学
  • 1篇国网北京市电...
  • 1篇北京世纪金光...
  • 1篇上海电驱动股...
  • 1篇北京新能源汽...
  • 1篇大洋电机新动...
  • 1篇北京锋锐新源...
  • 1篇嘉兴斯达半导...
  • 1篇北京天科合达...

作者

  • 3篇郑琼林
  • 2篇李虹
  • 2篇刘建强
  • 1篇刘志弘
  • 1篇冉立
  • 1篇曾正
  • 1篇邵伟华
  • 1篇陈文锁
  • 1篇陈昊
  • 1篇李辉

传媒

  • 3篇新材料产业
  • 2篇电源学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇中国电机工程...
  • 1篇微电子学
  • 1篇2014`全...

年份

  • 32篇2025
  • 83篇2024
  • 28篇2023
  • 48篇2022
  • 38篇2021
  • 10篇2020
  • 14篇2019
  • 10篇2018
  • 9篇2017
  • 6篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2013
共 290 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法
本发明提供了一种提高电流能力的对称碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底上方形成第一N型区以及第二N型区；对第一N型区以及第二N型区进行离子注入，形成第一源区、第二源区、第三源区以及第四源区；在碳化硅衬底上方重...
张长沙李昀佶李佳帅何佳
一种电动汽车续航行驶里程的模拟检测平台
本实用新型公开了新能源汽车技术领域的一种电动汽车续航行驶里程的模拟检测平台，包括承载台、车辆测功装置、升降限位垫、侧方限位垫和六自由度液压平台；所述承载台为稳定支撑的平台，所述承载台固定安装在六自由度液压平台上，所述承载...
陈彤李志君徐志勇
一种分区掺杂的高耐压沟槽碳化硅VDMOS
本实用新型提供了一种分区掺杂的高耐压沟槽碳化硅VDMOS，包括：第一漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；第二漂移层下侧面连接至第一漂移层上侧面，所述第二漂移层上设有凹槽，所述凹槽底部两侧分别设有保护区；栅介质层，所述栅介...
施广彦 张长沙 张瑜洁 李昀佶
一种碳化硅基半导体器件的制备方法
本发明提供了一种碳化硅基半导体器件的制备方法，包括：取一碳化硅外延片；在碳化硅外延片表面刻蚀出碳化硅沟槽；在碳化硅外延片上生长一层屏蔽电场介质层；整片刻蚀，只保留侧壁部分，最终形成所需的屏蔽电场介质层；清洗碳化硅外延片，...
何佳张长沙
文献传递
碳化硅光伏逆变器发展现状被引量：5
2014年
一、碳化硅功率器件的重要性 从工业革命到现在,能源作为人类生活和工业水平进步的基础,有着极其重要的地位。当前人类获取使用的能源多数是不可再生能源,但随着世界经济发展,工业水平提高,能源的需求量也将越来越大,单一使用化石能源显然会越来越难以满足目前世界工业和经济发展的需求。现在世界上许多国家都在倡导可再生能源的利用,其中太阳能呼声较高。太阳能开发方便,不需要运输和开采;不会对环境造成负担;总量巨大可以说取之不尽、用之不竭。光伏效应可以将太阳能转化成电能，这成为利用太阳能的一种有效手段。
孙凯陈彤张瑜洁
关键词：逆变器隔离型光伏效应光伏并网开关损耗逆变系统
一种抑制栅极击穿的沟槽栅碳化硅MOSFET的制备方法
本发明提供了一种抑制栅极击穿的沟槽栅碳化硅MOSFET的制备方法，包括：在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面淀积生长，形成漂移层；通过离子注入，分别形成低阻结构层、阱区以及源区；去除原阻挡层，...
张长沙李昀佶施广彦陈彤
一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件
本发明提供了一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，包括纵向自下而上的漏极、N型重掺衬底层、N型轻掺外延层、P型阱区、源极和栅极；所述栅极为圆形；整个栅极呈圆柱形，其除顶部外均被高k介质包围；所述P型阱区上设...
施广彦李昀佶
一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET的制造方法
本发明提供了一种集成肖特基的碳化硅UMOSFET的制造方法，包括：在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔对漂移层进行离子注入，以形成掩蔽层；重新形成阻挡层，并对阻挡层和漂移层进行蚀刻形成沟槽；...
李昀佶张长沙李佳帅何佳
双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路
本实用新型提供了一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路,包括主功率单元以及辅助稳定单元，所述主功率单元为第一MOSFET Q<Sub>1</Sub>，所述辅助稳定单元为第二MOSFET Q<Sub>2</...
邵天骢 李志君 郑琼林 黄波 王俊兴
文献传递
一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路
本实用新型提供了一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路，包括隔离模块、驱动模块以及电阻模块，所述隔离模块、驱动模块以及电阻模块依次连接，所述驱动模块的正驱动电压为18V至22V，所述驱动模块的负驱动电压为‑2.5V至‑4....
李志君黄波李志雨田远董兆雯蔡阿利颜繁龙李波高鑫许洪东
文献传递
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