上海理工大学理学院物理系
- 作品数：28 被引量：35H指数：3
- 相关作者：鲁凤琴更多>>
- 相关机构：同济大学波耳固体物理研究所复旦大学法学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科委中法合作项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>
- 消光起伏法中的颗粒交叠效应
- 消光起伏法是一种新的颗粒测量方法,可用来同时测量两相流中颗粒的粒径分布和体积浓度.由于在测量原理和结构上非常简单,这种方法可以用来实现在线、实时测量.本文讨论窄光束中颗粒系统在时间域内的消光起伏光谱,在几何光学近似下通过...
- 沈建琪许亚敏
- 文献传递
- 疏水型纳米SiO<,2>-MTES复合薄膜的制备及性能
- 采用溶胶-凝胶技术,通过酸/酸二步法控制实验条件,由于表面活性剂具有特殊的表面活性性能,实验中采用表面活性剂十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)为模板剂,正硅酸乙酯为硅源,甲基三乙氧基硅烷为有机硅烷,以及二次去离子水,盐酸为...
- 姚兰芳曲典杜梅芳吴广明沈军王珏
- 关键词：溶胶-凝胶疏水甲基三乙氧基硅烷
- 文献传递
- 表面活性剂浓度对纳米介孔SiO2薄膜结构的影响
- 利用溶胶-凝胶技术,在酸性条件下,采用十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)为表面活性剂,正硅酸乙酯为硅源,以及二次去离子水,盐酸为催化荆等原料制备前驱体溶胶.利用表面活性剂与硅源水解后形成的聚集体相互作用,在溶液中形成分子自...
- 姚兰芳杜梅芳吴兆丰吴广明沈军王珏
- 关键词：介孔薄膜二氧化硅表面活性剂
- 文献传递
- InPBi薄膜材料的结构性能和光学性能研究
- 2022年
- 室温下,InPBi表现出强而宽的光致发光光谱,其宽光谱特性来自于材料中的PIn反位深能级和与Bi相关的深能级。该特性使得InPBi有希望应用于制备光学相干层析扫描系统中的超辐射光源。文章利用透射电子显微镜和三维原子探针研究了InPBi薄膜材料的结构性能,发现Bi原子在InPBi薄膜中的分布极不均匀,在InPBi/InP界面出现了Bi的富集区,从该区域沿[001]方向出现了Bi的纳米面,此纳米面位于(110)平面上。这种Bi原子的富集分布阻碍了PIn反位参与的载流子复合过程,对InPBi的光学性能有显著的影响。研究结果可为制造光学相干层析扫描系统的超辐射发光二极管提供一定的理论基础。
- 张立瑶姚爽喻鹏冯铎代金梦曹有祥
- 关键词：透射电子显微镜三维原子探针光致发光谱
- 关于上海市大学生物理竞赛参赛准备的几点思考
- 2015年
- 全国部分地区(上海市)大学生物理竞赛迄今已经举办了三十届。该赛事主要面向上海市高校二年级本科生,并且大部分参赛同学为非物理专业。在本文中笔者结合自身组织和辅导所在高校本科生参加该赛事的经历,浅谈一些关于参赛选手准备该项赛事的几点思考。
- 贾力源
- 低介电常数介孔氧化硅薄膜的结构与介电性能研究被引量：1
- 2008年
- 利用溶胶-凝胶技术制备了介孔氧化硅薄膜。采用MIM结构,通过平行板电容器法测量了介孔氧化硅薄膜的介电常数,结果表明采用表面修饰的方法可以在保持较低介电常数(k=2.25)的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的环境稳定性能。通过对富氏红外光谱的分析,讨论了薄膜的键结构与介电性能之间的关系,结果表明去除介孔氧化硅薄膜中的OH基团是提高薄膜介电性能的关键。
- 吴兆丰姚兰芳
- 关键词：低介电常数介孔氧化硅薄膜
- 消光起伏法中的颗粒交叠效应
- 消光起伏法是一种新的颗粒测量方法,可用来同时测量两相流中颗粒的粒径分布和体积浓度.由于在测量原理和结构上非常简单,这种方法可以用来实现在线、实时测量.本文讨论窄光束中颗粒系统在时间域内的消光起伏光谱,在几何光学近似下通过...
- 沈建琪许亚敏
- 文献传递
- 含罗丹明B的纳米复合介孔薄膜的制备和性能(英文)被引量：1
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶技术、蒸发诱导自组装法,通过酸/酸二步法控制实验条件,实验中采用表面活性剂十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)为模板剂,正硅酸乙酯为硅源、罗丹明B、以及二次去离子水,盐酸为催化剂等原料制备前驱体溶胶。通过简单提拉迅速蒸发溶剂制备介孔薄膜,对介孔薄膜进行了X射线衍射、透射电子显微镜表征,观察了薄膜样品的吸收光谱和荧光光谱。含罗丹明B膜的吸收光谱表明主峰是RhB单体的吸收和微弱吸收的次峰是RhB形成的二聚体的吸收。而在荧光光谱中只有一个发射谱带,这是RhB单体的最低激发能级到基态能级的跃迁.含罗丹明B的纳米复合介孔薄膜中,随着RhB浓度的增大,荧光峰位发生红移,这可以说明激发态分子的偶极矩减小。
- 姚兰芳关飞飞谢伏将鲁凤琴岳春晓
- 关键词：罗丹明B荧光光谱吸收光谱溶胶-凝胶方法
- 常压干燥法的疏水型低介电常数气凝胶薄膜(英文)被引量：2
- 2008年
- 气凝胶薄膜具有超低的介电常数,在超大规模集成电路互连系统中有着巨大的应用潜力。采用溶胶-凝胶技术,通过酸/碱二步法控制实验条件,结合低表面张力溶剂替换以及CH3非活性基团置换修饰、超声振荡等,不需要超临界干燥,而仅在常压下就可以通过简单的提拉过程制备出疏水型低介电常数气凝胶薄膜。测得的红外透射光谱表明所制备的薄膜由于掺入甲基基团而疏水,接触角测试值约120o,制备过程中充分注意到:稀释、老化、有机修饰表面、热处理和提拉条件对膜的影响,使其过程达到最佳。热处理温度在150～650℃,采用6%三甲基氯硅烷时,制得的疏水型气凝胶薄膜折射率为1.08～1.12,介电常数为1.62～1.92。
- 姚兰芳岳春晓鲁凤琴沈军吴广明
- 关键词：疏水低介电常数常压溶胶-凝胶
- 表面活性剂浓度对纳米介孔SiO<,2>薄膜结构的影响
- 利用溶胶-凝胶技术,在酸性条件下,采用十六烷基三甲基溴化氨(CTAB)为表面活性剂,正硅酸乙酯为硅源,以及二次去离子水,盐酸为催化剂等原料制备前驱体溶胶.利用表面活性剂与硅源水解后形成的聚集体相互作用,在溶液中形成分子自...
- 姚兰芳杜梅芳吴兆丰吴广明沈军王珏
- 关键词：介孔薄膜二氧化硅表面活性剂
- 文献传递
