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西安交通大学电子与信息工程学院信息材料与元器件研究所

作品数:240 被引量:1,074H指数:14
相关作者:张良莹孔令兵王志宏陈江丽夏峰更多>>
相关机构:长安大学材料科学与工程学院同济大学功能材料研究所西南科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程理学更多>>

文献类型

  • 230篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 111篇一般工业技术
  • 91篇电气工程
  • 63篇化学工程
  • 57篇理学
  • 39篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇建筑科学
  • 2篇航空宇航科学...
  • 1篇矿业工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 80篇铁电
  • 72篇陶瓷
  • 36篇溶胶
  • 35篇介电
  • 28篇铁电体
  • 24篇铁电陶瓷
  • 23篇电性能
  • 22篇纳米
  • 20篇铁电薄膜
  • 20篇介电性
  • 17篇PB
  • 16篇压电
  • 16篇溶胶-凝胶
  • 14篇溶胶-凝胶法...
  • 14篇凝胶法制备
  • 14篇反铁电陶瓷
  • 13篇钛酸铅
  • 12篇光学
  • 11篇氧化硅
  • 11篇热释电

机构

  • 240篇西安交通大学
  • 13篇长安大学
  • 12篇陕西师范大学
  • 11篇同济大学
  • 10篇西南科技大学
  • 8篇苏州科技学院
  • 7篇第二炮兵工程...
  • 6篇吉林大学
  • 5篇西北工业大学
  • 5篇中国科学院上...
  • 4篇中国工程物理...
  • 3篇复旦大学
  • 3篇空军工程大学
  • 3篇中国电子产品...
  • 2篇南京师范大学
  • 2篇南昌航空大学
  • 2篇西安工程大学
  • 2篇西北轻工业学...
  • 2篇西安建筑科技...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 180篇姚熹
  • 108篇张良莹
  • 45篇徐卓
  • 22篇冯玉军
  • 20篇汪敏强
  • 14篇杨合情
  • 13篇王晓莉
  • 12篇李振荣
  • 12篇翟继卫
  • 11篇李建康
  • 11篇杨同青
  • 11篇吴小清
  • 10篇曹林洪
  • 10篇任巍
  • 9篇樊慧庆
  • 9篇王志宏
  • 9篇刘开平
  • 9篇刘鹏
  • 8篇包定华
  • 8篇林殷茵

传媒

  • 44篇压电与声光
  • 24篇硅酸盐学报
  • 23篇功能材料
  • 17篇物理学报
  • 14篇科学通报
  • 14篇无机材料学报
  • 8篇硅酸盐通报
  • 8篇电子元件与材...
  • 6篇西安交通大学...
  • 3篇高等学校化学...
  • 3篇红外与毫米波...
  • 3篇功能材料与器...
  • 3篇空军工程大学...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇混凝土与水泥...
  • 2篇化学学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇玻璃与搪瓷
  • 2篇红外技术
  • 2篇四川大学学报...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 6篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 10篇2008
  • 14篇2007
  • 8篇2006
  • 19篇2005
  • 8篇2004
  • 9篇2003
  • 8篇2002
  • 17篇2001
  • 22篇2000
  • 27篇1999
  • 46篇1998
240 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
由Pb过量引起的镧钛酸铅铁电薄膜性能异常的研究被引量:6
1997年
采用金属有机物热分解法制备了不同La含量和不同Pb过量的镧钛酸铅铁电薄膜.在研究铁电性时发现:薄膜样品在极化达到饱和之前,电滞回线会出现束腰现象,束腰现象只与薄膜中的Pb过量有关.随Pb过量的增加和La含量的减少,镧钛酸铅薄膜电滞回线的束腰程度加剧.在CV特性测试中发现:在Pb过量的样品中,CV曲线会出现异常的四峰现象,随偏压升高或频率增大,异常程度逐渐减弱甚至会转变成正常的双峰.进一步研究表明:这两种实验现象是统一的,可以用铁电薄膜电畴的钉扎效应解释.由于Pb过量使正常的钙钛矿薄膜中出现了多余的PbO相,多余的PbO相部分聚集在晶界和界面上,另一部分存在于晶斑边界中.它们构成了钉扎中心,对电畴产生钉扎作用,在极化电压不太高的情况下,部分电畴不能克服钉扎力的作用,因此产生上述异常现象.Pb过量可能是铁电薄膜产生疲劳和老化的主要原因之一.
宋志棠任巍张良莹姚熹
关键词:铁电薄膜
电镀工艺对多层瓷介电容器介电性能的影响被引量:1
1998年
用滚镀和静态电镀的实验方法研究了电镀过程对多层瓷介电容器(MLCC)的介电性能的影响。镀镍后,MLCC的电容量略有提高,损耗和温度系数几乎没有变化。镀锡后,MLCC的电容量下降幅度较大,损耗增大,并且随着温度的升高而迅速增加,从而导致电容量变大,进而使电容量温度系数增大。并且高温损耗随着测试频率的提高而降低。将MLCC置于正在电镀的镀镍液和镀锡液中浸泡,发现镀锡液较镀镍液对MLCC有更强的渗入能力和侵蚀能力。
王志纯方利泉王晓莉姚熹
关键词:多层瓷介电容器电镀镍电镀锡
薄膜压电性能的测量方法被引量:9
1999年
压电薄膜在微传感器和微致动器方面的应用日益受到重视。薄膜压电性能的测量方法与体材相比有很大不同。本文介绍了几种测量薄膜压电特性的方法,包括:激光干涉仪法,扫描探针显微镜法,垂直加载法等,并比较了这些方法的优缺点。
包定华张良莹姚熹
关键词:压电薄膜压电性能测量方法压电材料
溶胶-凝胶法制备TiO_2-SiO_2复合薄膜的波导特性研究被引量:8
1998年
研究了采用溶胶-凝胶法制备的TiO2-SiO2复合薄膜的波导特性.结果表明随着TiO2含量和热处理温度的提高,薄膜的波导损耗增大.FT_IR光谱,XRD和AFM分析表明:这种损耗主要来自于薄膜中的微区不均匀和由于薄膜表面的粗糙度增大而产生的光散射的影响.通过透射光谱计算得到了薄膜的折射率和消光系数的色散关系以及它们与工艺之间的关系.
翟继卫杨涛杨合情张良莹姚熹
关键词:溶胶凝胶二氧化钛
新型含Bi电解质材料的水热合成,结构特征与输运性质的研究
2000年
新型含Bi固溶体电解质材料常常具有非常高的离子电导率,在燃料电池,氧泵,氧传感器等方面显示出极高的应用价值.本课题组在新型含Bi电解质材料的水热合成和物理性质等研究方面做了大量的尝试性工作并取得了某些重要进展.本文将主要概述近年来本课题组在电解质材料,(CeO2)1-x(BiO1.5)x9 Ce1-xMxBi0.4O2.6-x(M=Ca,Sr,Ba)和Bi17V3O33的结构特征与物理性质等方面的研究成果.
李广社冯守华汪敏强
关键词:电解质材料水热合成离子输运
Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电-铁电陶瓷热释电谱被引量:2
2000年
改性Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电-铁电陶瓷存在着多种晶体结构,随着温度变化会发生相变而影响材料的性能.研究了铌改性Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电-铁电陶瓷温度诱导相变中的热释电效应.结果表明,温度诱导相变引起电荷突变形成尖锐的热释电峰,热释电峰的形状和位置取决于相变的类型和温度.组分和初相态变化导致的不同相态变化过程形成峰形和峰位不同的热释电谱.热释电谱不仅可以显示极化强度随温度的变化情况而且可以测定出弱的次级转变,如在介电温谱中难以观测的反铁电AFE_A-AFE_B、铁电FE_L-FE_H之间的相态转变在热释电谱中都有明显的热释电峰作为一种弱电测量方法,热释电谱可以完整地反映Pb(Zr,Sn,Ti)O_3反铁电-铁电材料相态随温度变化的情况。
冯玉军徐卓杨同青姚熹
关键词:陶瓷
Ag/BaTiO_3复合材料的非线性V-I特性被引量:1
1997年
金属粒子分散相与某些介质材料基体形成的复合材料具有独特的光学、电学等性质.但目前的研究主要集中在光学性质方面,而对这类材料的电学性质研究得很少.氧化锌压敏电阻器的微观结构为半导化的ZnO晶粒被一层很薄的绝缘相所包围,该绝缘相所形成的高阻晶界具有隧道效应,从而使材料具有抑制电压和吸收浪涌电流的功能,由于半导体ZnO晶粒仍具有一定电阻值,所以在一些大电流场合。
孔令兵樊慧庆张良莹姚熹
关键词:复合材料铁电体非线性V-I特性钛酸钡
全文增补中
PLZST反铁电陶瓷的电场诱导多次相变现象被引量:4
1998年
在掺杂 4 %La的Pb(Zr,Sn ,Ti)O3系统中发现了一种温度在 - 4 0~ 4 5℃内的外电场可诱导多次相变材料 .电滞回线测试显示 ,在 4MV·m- 1的电场作用下样品依次从亚稳反铁电态诱导进入两种铁电态 ,其中第二铁电态出现的临界场 2 5MV·m- 1仅是已发现PZT基陶瓷的 10 %~ 2 0 % .X射线衍射测定样品室温下是正交相结构 .介电测量中强烈的频率弥散现象说明它是一种弛豫体并得到了温度 电场相图 .本研究为用陶瓷样品研究电场诱导多次相变提供了方便 .
刘鹏杨同青徐卓张良莹姚熹
关键词:反铁电陶瓷
受限条件下玻璃基质中LaF_3微晶生长机理的光谱学探究被引量:1
2014年
利用高温熔融法制备了Eu3+掺杂的45SiO2-25Al2O3-18Na2O-9.5LaF3玻璃,并将基础玻璃在可控条件下进行晶化热处理后获得了性能良好的玻璃陶瓷.通过XRD,TEM和光谱学手段对玻璃陶瓷进行了表征,结果表明晶化热处理后,LaF3纳米晶体从原有单一的玻璃相中析出,晶粒大小约为25 nm.Eu3+掺杂玻璃陶瓷、纳米晶体和玻璃3种基质的光谱分析及XRD结果证明稀土离子进入到LaF3纳米晶体中并计算出在其中富集的比例.进一步利用源自于Eu3+离子的发射谱和激发谱研究了退火温度和前驱物中重金属离子对玻璃网络结构中LaF3纳米晶体生长影响的机理,为玻璃陶瓷的人工设计合成提供了理论支持.
高当丽张翔宇郑海荣梁良杨永明
关键词:玻璃陶瓷光谱特性
高性能低烧BZN基多层陶瓷电容器电镀工艺研究
2000年
本文探讨了电镀工艺对BZN基多层陶瓷电容器( MLC)电性能的影响。根据镀前、镀后 MLC电性能的明显差异,结合 MLC微观形貌及微区能谱分析,认为镀后MLC电性能劣化的根本原因是MLC本身端电极缺陷,电镀液渗入 MLC内部,有机成分的存在,使其性能劣化。
杜慧玲汪宏姚熹
关键词:镀锡镀镍
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