中国科学院上海冶金研究所
- 作品数：2,689 被引量：5,528H指数：29
- 相关作者：李爱珍朱建中张宏刘洪霖周祖尧更多>>
- 相关机构：中国科学院复旦大学上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 斜拉悬梁支撑膜结构的微机械热电堆红外探测器阵列
- 本发明涉及一种具有斜拉悬梁支撑膜结构的微机械热电堆红外探测器阵列及制造方法。结构特征是支撑膜与框体呈45度角，周围被气氛介质包围，一端固支，另一端与基体两点相连。它又可分为分立型和单腐蚀孔型二种，前者是独立的腐蚀孔结构，...
- 徐峥谊熊斌王跃林
- 文献传递
- 硼硅铁、硼铁合金的冶炼方法
- 本发明是一种采用工业硼砂或氧化硼和工业硅铁为原料的低成本，一次冶炼硼硅铁，硼铁合金的方法，冶炼开始，预热硼砂，熔融脱水后投入硅铁配料。冶炼中，硅铁中的硅为还原剂，且可通过改变温度和/或硅铁的品位和
- 邹元曦张子青田彦文周继程汪光裕
- 文献传递
- B/F8L413、L912、913系列铝散热器技术
- 该项目消化、吸收、试制从德国道依茨公司引进的Ｂ／Ｆ４１３系列风冷柴油机用的板翅式铝合金散热器。它具有结构紧凑、功率大、冷效好、防冻抗旱等特点。以增压机油散热器为例；散热量３０ＫＷ，气密性耐压２ＭＰａ承受交变压力３０万次。...
- 关键词：
- 硅平面传感器
- 王渭源 陈庆贵 骆如枋 卢建国 余文杰
- 硅平面传感器是利用硅的物理和化学性质以及平面工艺技术制成的传感器。该课题研制成ＳＯＳ固态压力传感器、Ｓｉ－ＭＯＳ湿度传感器、硅集成热堆红外传感器和扩散硅超高压传感器。其技术指标基本上达到了８０年代初国际同类产品的水平，为...
- 关键词：
- 关键词：晶间腐蚀晶体硅光电传感器测量元件传感器
- SiN_x钝化膜厚度对pHEMT的性能影响被引量：3
- 2000年
- 深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电特性。
- 李洪芹夏冠群孙晓玮
- 关键词：电性能晶体管
- 运用自组织人工神经网络模型判别柑桔溃疡病始见期被引量：6
- 1995年
- 1984～1990年运用T.Kohonen自组织人工神经网络模型系统观察甜橙新梢萌芽(始花)的时期及有关天气资料,建立了柑桔溃疡病始见期预测的计算机智能专家系统。经1991年春梢及幼果的柑桔溃疡病斑始见期验证,预测准确,历史回验,符合率达100％。
- 蔡煜东许伟杰
- 关键词：柑桔类果树溃疡病专家系统神经网络
- GDX-75-00型复合式可消毒pH传感系统
- 1990年
- 75-00型复合式可消毒pH传感系统由复合式可消毒pH玻璃电极和具有压力补偿的不锈钢护套二部分构成,其中玻璃电极由吹制成圆柱形的pH敏感膜、Ag/Agcl内外参比电极、内外参比溶液和多孔陶瓷隔膜等构成。圆柱形pH敏感玻璃膜厚度为0.4～0.5mm,耐磨,机械强度高,耐化学腐蚀,内参比溶液高温稳定。可根据科学研究和发酵工业的实际需要制成形态各异的电极形式。在120～130℃高温下,于发酵罐内经过30次热压消毒,电极的零电位(E_O)漂移近20mV。电阻从200MΩ升到近500MΩ,理论转换系数>96％,响应时间<2min。pH响应范围为0～14,护套耐化学侵蚀,气密性好。
- 徐维轸黄静华冯昌东赵承基张兰娟方礼兴苏剑林张国雄刘善良邹爱民李永贞
- 关键词：消毒PH传感器PH计
- 富镧Ni－MH电池阴极材料性能的偏最小二乘法－人工神经网络研究被引量：2
- 1996年
- 利用偏最小二乘法－人工神经网络方法，对富镧Ｎｉ－ＭＨ电池阴极材料的放电曲线、初始容量、比容量等性能进行研究。结果表明：用ＰＬＳ－ＢＰＮ对材料性能的研究与实验结果非常吻合。
- 郭进刘洪霖黄铁生陈念贻
- 关键词：镧镍氢电池偏最小二乘法电池
- 用离子束增强沉积在人工器官表面合成TiO<Sub>2</Sub>-X/TiN复合膜
- 本发明通过采用特殊的离子束增强沉积方法，即通过特定的制备过程，特定的气氛环境，不同的钛蒸发或溅射速率以及不同的离子束在人工器官材料表面合成TiO<Sub>2-x</Sub>/TiN复合膜。经本发明所述方法处理获得的人工器...
- 黄楠柳襄杯陈元儒杨萍蔡光军郑志宏周祖尧王曦肖静薛振南奚廷斐
- 文献传递
- 光照对阈值电压均匀性的影响
- 2002年
- 研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响 .结果表明光照使耗尽型 MESFET器件的沟道电流增大 ,使阈值电压向负方向增加 ,并提高了阈值电压的均匀性 .研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响 MESFET阈值电压均匀性的重要因素之一 。
- 朱朝嵩夏冠群李传海詹琰
- 关键词：砷化镓MESFET阈值电压光照均匀性
