南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
- 作品数：107 被引量：297H指数：10
- 相关作者：林耀望臧维平吴限张冠杰周新勇更多>>
- 相关机构：中国科学院半导体研究所辽宁石油化工大学化学化工与环境学部山西大学极端光学协同创新中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信化学工程更多>>
- 应用光纤生物传感器测量肿瘤的自体荧光光谱被引量：5
- 2006年
- 光纤生物传感器是现代生物传感技术中的一个非常重要的类别。当前,许多以荧光检测为手段的光纤生物传感器已经商品化了,但几乎都是依靠检测荧光指示剂的光强来获取生物信息,而直接利用生物样品的自体荧光光谱来获取生物信息的光纤传感系统却还未上市。利用自行研发的一套三维荧光光谱光纤传感系统对新鲜的人体乳腺组织切片进行了研究,实验结果表明乳腺癌变组织与正常组织的自体荧光光谱的峰位和峰强比值存在明显区别,这是因为癌变组织的生化成分发生了根本改变。尽管其间的规律还需进一步探索,但可以展望,自体荧光光谱技术与光纤生物传感技术的结合有潜力成为人体恶性肿瘤在线原位诊断的有利工具。
- 张攀徐晓轩刘燕楠周新勇梁骏张存洲
- 关键词：生物传感器光纤生物传感器荧光自体荧光光谱
- InP外延材料的MBE生长模式
- 2007年
- 采用固态磷源分子束外延技术,在不同的生长条件下生长了InP外延材料,并用原子力显微镜对样品表面形貌进行了系统研究.实验结果表明,样品表面形貌的显著变化与生长模式发生变化有关;二维(2D)生长模式和三维(3D)生长模式之间存在转换的临界工艺条件.通过对实验数据的分析,绘制了InP外延生长模式对应工艺条件的区域分布图;在2D生长区域获得了高质量的InP/InP外延材料.
- 皮彪舒永春林耀望徐波姚江宏邢晓东曲胜春王占国
- 关键词：INP
- 固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究(英文)被引量：1
- 2005年
- 通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料。在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δSi掺杂AlGaAs/GaAs结构材料。InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料。成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料。
- 张冠杰舒永春皮彪邢小东林耀望姚江宏王占国许京军
- 关键词：兼容性高电子迁移率分子束外延
- 铌酸锂晶体中的磁光折变效应研究被引量：5
- 2007年
- 对于掺铁铌酸锂晶体中不同全息记录配置下的磁光折变效应做了比较系统的理论分析,给出了铌酸锂晶体所有的磁光生伏打非零张量元.详细计算并给出了不同全息纪录配置下的所有体光生伏打、磁光生伏打电流的解析形式.理论结果表明,由于磁光生伏打效应引起了光激发电流的变化,所以对于每种配置全息光栅的衍射效率都会受到外加磁场的影响;对于不同的全息记录配置,磁场对铌酸锂晶体光折变非线性性质的影响也不同.讨论了一种确定特定张量元的方法.
- 齐继伟李玉栋许京军崔国新孔凡磊孙骞
- 光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
- 2007年
- 采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于小量子点;(2)捕获载流子速率,大量子点小于小量子点;(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷,导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移到大尺寸的量子点中概率很小。
- 贾国治姚江宏张春玲舒强刘如彬叶小玲王占国
- 关键词：光致发光谱量子点
- Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向被引量：14
- 2006年
- 采用电化学沉积技术在S i衬底上沉积了Cu膜。场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒,并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关。在S i(100)衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加。在相同沉积条件下,在斜切角较小的S i(111)和S i(100)衬底上择优取向面都是铜(220)面,而在斜切角为4°的S i(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面。
- 张雅婷徐章程李菲晖
- 关键词：CU电沉积SI衬底
- 四价掺杂铌酸锂晶体被引量：2
- 2009年
- 综述了四价掺杂(包括铪和锆)铌酸锂晶体的研究进展.掺铪铌酸锂晶体具有与掺镁铌酸锂晶体相似的抗光折变性能,而掺锆铌酸锂晶体的抗光折变性能远优于掺镁铌酸锂晶体.铪铁双掺与锆铁双掺铌酸锂晶体兼有高光折变灵敏度和高光折变衍射效率的性质.并且在掺杂量超过阈值时,铪离子和锆离子在铌酸锂晶体中都具有接近于1的有效分凝系数.这些实验结果表明,四价掺杂铌酸锂有望成为出色的非线性光学晶体.
- 孔勇发刘士国刘宏德许京军
- 关键词：铌酸锂
- In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制被引量：4
- 2010年
- 测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较。文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释。
- 魏国华王斌李俊梅曹学伟张存洲徐晓轩
- 关键词：单量子阱PL谱
- 高温度稳定性系列铌酸锂电光调Q开关的研制被引量：17
- 2010年
- 通过对影响铌酸锂电光调Q开关工作温度稳定性的原因分析,认为晶体自身的应力是导致铌酸锂电光调Q开关温度稳定性差的主要原因。而减小晶体自身应力的关键主要取决于晶体光学质量的均匀性,同时,组分的波动也会使晶体产生应力。为此利用前期大尺寸铌酸锂晶体质量大幅提高的结果,配合适当的热处理工艺,研制出了系列铌酸锂调Q开关,通过在1064nm、1318nm、2128nm等激光器中应用,这些调Q开关均能稳定工作,完全能够满足激光雷达等脉冲激光器的使用。
- 张玲韩文卿孙军王俊崔磊孔勇发刘士国黄自恒陈绍林许京军
- 关键词：Q开关铌酸锂
- 外加磁场对掺铁铌酸锂晶体中折射率光栅擦除过程的影响
- 2014年
- 研究了外加磁场对掺铁铌酸锂晶体中折射率光栅擦除过程的影响。在写入和擦除过程中分别或同时外加磁场,测量了不同擦除光强下磁场对光栅擦除过程的影响。结果表明,外加磁场对折射率光栅擦除时间存在明显影响。在光栅写入或光栅擦除过程分别外加磁场时,光栅擦除时间增加;但是当在写入和擦除过程同时外加磁场时,光栅的擦除时间明显变短。擦除时间变化与擦除光强相关,擦除光强越弱,磁场对擦除时间的变化越明显。进一步的研究发现擦除时间的变化来自于磁场对铌酸锂晶体中等效暗电导的影响。以上实验结果显示,外加磁场可以成为掺铁铌酸锂晶体光折变光栅的调控手段。
- 齐继伟彭景阳陈宗强李玉栋许京军孙骞
- 关键词：磁场
