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西安交通大学电子与信息工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室

作品数:124 被引量:589H指数:13
相关作者:郭振琪李飞杨光魏杰范世马岂更多>>
相关机构:空军工程大学理学院成都理工大学工程技术学院长安大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 102篇期刊文章
  • 22篇会议论文

领域

  • 55篇理学
  • 41篇一般工业技术
  • 36篇电气工程
  • 13篇电子电信
  • 11篇化学工程
  • 6篇机械工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇医药卫生

主题

  • 16篇陶瓷
  • 15篇压电
  • 14篇铁电
  • 10篇压电陶瓷
  • 9篇电池
  • 9篇电性能
  • 9篇介电
  • 8篇纳米
  • 7篇超材料
  • 6篇电容
  • 6篇频率选择表面
  • 6篇吸波
  • 5篇电容器
  • 5篇性能研究
  • 5篇溶胶
  • 5篇锂离子
  • 5篇锂离子电池
  • 5篇离子
  • 5篇离子电池
  • 5篇介电性

机构

  • 124篇西安交通大学
  • 41篇空军工程大学
  • 4篇成都理工大学
  • 4篇长安大学
  • 4篇西安电子科技...
  • 3篇西北工业大学
  • 2篇第二炮兵工程...
  • 2篇西安理工大学
  • 2篇陕西科技大学
  • 2篇国防科技大学
  • 2篇武汉军械士官...
  • 1篇安徽工业大学
  • 1篇宝鸡文理学院
  • 1篇福建师范大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇桂林理工大学
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇西北轻工业学...
  • 1篇山东大学
  • 1篇深圳大学

作者

  • 64篇徐卓
  • 42篇屈绍波
  • 22篇姚熹
  • 19篇裴志斌
  • 15篇王甲富
  • 13篇徐友龙
  • 12篇马华
  • 11篇张介秋
  • 11篇顾超
  • 10篇李振荣
  • 9篇汪敏强
  • 9篇周航
  • 8篇柏鹏
  • 7篇张安学
  • 7篇杜红亮
  • 7篇杨一鸣
  • 7篇彭卫东
  • 7篇魏晓勇
  • 6篇吴翔
  • 6篇林宝勤

传媒

  • 26篇物理学报
  • 8篇无机材料学报
  • 7篇空军工程大学...
  • 6篇西安交通大学...
  • 5篇物理化学学报
  • 5篇电子元件与材...
  • 4篇科学通报
  • 3篇稀有金属材料...
  • 3篇压电与声光
  • 3篇第十二届全国...
  • 2篇材料科学与工...
  • 2篇焊接学报
  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇光子学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇纳米科技
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十六届全国...
  • 2篇第三届新型太...

年份

  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 7篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 9篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 10篇2012
  • 18篇2011
  • 6篇2010
  • 8篇2009
  • 11篇2008
  • 7篇2007
  • 5篇2006
  • 6篇2005
  • 8篇2004
  • 1篇2003
124 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaN体单晶生长研究进展被引量:1
2017年
宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点。以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为当前制约GaN器件发展的瓶颈。本文从影响LED器件设计与制造的关键因素(衬底)分析,综述了近年来几种常见GaN体单晶生长方法,并对它们的发展前景做出了展望。
周明斌李振荣范世马岂徐卓熊志华
关键词:GAN
静电雾化沉积制备PbTiO_3薄膜的研究被引量:2
2005年
采用静电雾化沉积技术制备了PbTiO3薄膜,探索了沉积温度和沉积时间对所制备薄膜的结构和形貌的影响。通过调节制备工艺,制备了多孔和致密的PbTiO3薄膜。测试了所制备钛酸铅薄膜的介电频率特性,在100kHz的介电常数和介电损耗分别为222和0.0247。
宫华黄晖汪敏强刘开平
关键词:钛酸铅铁电薄膜
高温压电材料、器件与应用被引量:32
2018年
作为重要的功能材料,压电材料已经在国民经济的多个领域里有着重要应用.随着现代工业的快速发展,特别是新能源、交通和国防工业的高速发展,功能材料的应用己经从常规使用转向极端环境下的服役.本文综述了具有高居里点的压电材料,包括钙钛矿型压电陶瓷、铋层状结构氧化物压电陶瓷、钨青铜结构压电陶瓷以及非铁电压电单晶等;介绍了其晶体结构特征和高温压电性能、最新研究进展,并列举了一系列的高温压电器件和应用,包括高温压电探测器、传感器、换能器和驱动器等.另外,本文总结了高温压电材料的热点研究问题,并展望了今后的发展方向.
吴金根高翔宇陈建国陈建国王春明董蜀湘
关键词:极端环境传感器
ZnSe/SiO_2复合材料光学吸收特性的研究被引量:3
2005年
采用溶胶-凝胶原位析晶法和高温还原热处理工艺制备了ZnSe/SiO2纳米复合材料.通过吸收光谱和Z-Scan技术对材料的光学吸收特性进行了表征.在吸收光谱中,不同ZnSe摩尔分数的样品的吸收边相对于ZnSe体材料发生了不同程度的蓝移,蓝移量与复合材料中ZnSe纳米晶粒的尺寸有关,根据量子尺寸效应估算了复合材料中ZnSe纳米晶粒的平均尺寸大约为3~4 nm. 利用Z-Scan技术测定了ZnSe摩尔分数为0.01和0.03的ZnSe/SiO2纳米复合材料的双光子吸收系数.ZnSe/SiO2纳米复合材料在不同强度的入射光的激发下其出射光强度与入射光强度之间的关系呈现光学限幅特征,ZnSe摩尔分数为0.01的样品的限幅阈值为5 962 GW/m2,嵌位输出值约为4 800 GW/m2,限幅的破坏阈值为12 400 GW/m2.
郝海燕姚熹万幸汪敏强吴小清
关键词:光学吸收
等静压诱导的PbLa(Zr,Sn,Ti)O_3陶瓷铁电反铁电相变性能研究被引量:1
2001年
研究了等静压诱导掺镧La的Pb(Zr,Sn ,Ti)O3(PLZST)陶瓷材料的铁电 反铁电相变和介电压谱 ,结果发现介电压谱具有明显的扩散相变和频率弥散的特点 ,这一现象有利于拓宽人们对压力诱导的多组元弛豫型铁电体的扩散相变行为的认识和理解。
徐卓冯玉军郑曙光金安王方林姚熹
关键词:等静压陶瓷材料
Nb或La掺杂的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的介电性能
研究了掺杂Nb2O5或La2O3的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的介电性能。结果表明:掺入0.5%(摩尔比)Nb或La后Ba(Ti0.9Sn0.1)O3基陶瓷的居里温度向低温方向明显移动,而且介电常数显著增大,室...
杭联茂姚熹魏晓勇
关键词:介电常数介电性能
文献传递
铁电/反铁电陶瓷压致相变的热力学唯象理论被引量:1
2005年
徐卓姚熹
关键词:反铁电陶瓷相变点唯象理论二级相变一级相变极化强度
铝阳极氧化残存水合氧化膜热稳定性研究被引量:4
2015年
采用水煮和直流阳极氧化法在铝箔表面获得残存的水合膜,研究热处理对水合膜结构和性能的影响。热重-差示扫描量热仪(TG-DSC)和傅里叶变换红外光谱分析(FTIR)测试表明,铝箔存在两个质量损失过程,200℃以下为铝箔表面吸附游离水的蒸发,200℃以上为水合膜中结构水的分解。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:氧化膜分为内层的结晶Al2O3和外层的羽毛状Al2O3·xH2O两层,经过不同温度热处理后,水合膜的厚度和形貌无明显变化。电化学性能测试表明,热处理后样品的耐压值略有增大,比容值减小,主要是由于少量水合膜脱水转化为结晶Al2O3所致。
刘子涵杜显锋徐友龙林白阁李亮
关键词:水煮水合氧化铝Γ-AL2O3阳极氧化铝电解电容器
基于金属结构单元间耦合的左手材料的设计及实验验证被引量:2
2010年
提出了基于金属结构单元间耦合进行左手材料设计的思想,并建立了理论分析模型.通过合理选择结构单元的结构参数并通过单元之间的耦合,使电谐振等效电路的谐振频率与磁谐振等效电路的谐振频率相等,从而最大限度地实现宽左手频带.加工、制作并测试了基于金属结构单元间耦合的左手材料.实验结果表明,测试样品具有相等的电谐振频率和磁谐振频率,其左手频带的带宽为2.4GHz.实验结果与理论分析一致,验证了基于金属结构单元间耦合的左手材料设计思想.
王甲富屈绍波徐卓张介秋马华杨一鸣吴翔鲁磊
关键词:左手材料宽频带
直流偏压下PMN-32%PT单晶的介电异常变化被引量:4
2003年
在不同直流偏压下,测试了[001]和[111]方向的PMN-32%PT单晶的介电温度谱,研究了其介电响应和相变行为。当施加的偏压在E=1.5~4.0kV/cm范围内,在三方相稳定的温度范围内有一个新的异常介电峰出现;当E>4.0kV/cm时,异常介电峰消失。而对于[111]方向的单晶,在偏压下没有新的异常介电峰出现。对直流偏压下PMN-32%PT单晶的介电异常变化进行了讨论。
惠增哲李振荣徐卓张良莹姚熹
关键词:铁电相变
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