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五邑大学应用物理与材料学院薄膜与纳米材料研究所

作品数:43 被引量:94H指数:5
相关作者:黎扬钢王宁娟于英敏齐德备丁晓贵更多>>
相关机构:上海理工大学光电信息与计算机工程学院暨南大学生命科学技术学院化学系暨南大学生命科学技术学院更多>>
发文基金:广东省自然科学基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 39篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 19篇理学
  • 11篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 16篇光学
  • 11篇溅射
  • 11篇磁控
  • 9篇射频磁控
  • 8篇磁控溅射
  • 7篇射频磁控溅射
  • 7篇纳米
  • 6篇光学性
  • 6篇ZNO薄膜
  • 5篇光学性质
  • 5篇发光
  • 5篇P型
  • 5篇P型ZNO
  • 5篇P型ZNO薄...
  • 4篇纳米颗粒膜
  • 4篇颗粒膜
  • 4篇扩散法
  • 4篇光谱
  • 4篇光纤
  • 4篇半导体

机构

  • 43篇五邑大学
  • 11篇上海理工大学
  • 8篇上海市现代光...
  • 6篇中山大学
  • 5篇香港中文大学
  • 4篇暨南大学
  • 4篇华南理工大学
  • 2篇南开大学
  • 2篇合肥微尺度物...
  • 1篇安徽建筑工业...
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇广东江粉磁材...

作者

  • 25篇朱慧群
  • 24篇丁瑞钦
  • 11篇李毅
  • 10篇王忆
  • 10篇黄毅泽
  • 7篇王浩
  • 6篇周晟
  • 6篇孙若曦
  • 6篇曾庆光
  • 6篇张伟
  • 6篇张虎
  • 5篇俞晓静
  • 5篇张宇明
  • 5篇王海方
  • 4篇蔡进军
  • 4篇胡怡
  • 4篇吴桐庆
  • 4篇方宝英
  • 3篇丘志仁
  • 3篇杨恢东

传媒

  • 4篇光电子.激光
  • 4篇人工晶体学报
  • 3篇物理学报
  • 3篇五邑大学学报...
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇光子学报
  • 2篇云南大学学报...
  • 2篇材料导报
  • 1篇现代化工
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇光学技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇上海理工大学...
  • 1篇激光技术
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇广东化工

年份

  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 6篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 5篇2001
  • 1篇2000
43 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磷扩散法制备高掺磷P型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索
本文报道在本所前期磷扩散法制备高掺磷P型ZnO薄膜的研究基础上探索出来的较有普遍适用意义的制备这种薄膜的磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度的匹配关系,以及在满足此种匹配关系条件下所制备的P型ZnO薄膜的物理性质。
丁瑞钦
关键词:P型ZNO薄膜
文献传递
二氧化钒纳米点阵红外光学特性研究被引量:4
2010年
针对二氧化钒纳米点阵从半导体到金属的可逆相变,考虑到点阵中各个点之间散射光的交互作用,基于VO2在不同温度和波长下的折射率和消光系数,以及小颗粒的吸收和散射特性,建立了VO2纳米颗粒的数学模型,研究了VO2纳米颗粒的相变光学特性.结果表明,随着波长变化,吸收截面相对散射截面占主导,金属相在980nm附近出现吸收峰值;随着温度变化,可见光区域的消光系数变化较小,而红外区域较大,其中在近红外区域的消光系数变化最大.在纳米点阵中,消光截面随着颗粒间距变化,当颗粒间距增大时,消光峰值出现红移,且峰值大小也会随之增大;当间距超过一定数值后,峰值反而会逐渐减小.采用多孔氧化铝掩模的方法,通过磁控反应溅射制备VO2纳米点阵,测试结果表明其透过率比薄膜的透过率高.
俞晓静李毅王海方黄毅泽张虎张伟朱慧群
关键词:二氧化钒散射截面吸收截面
掺铒硅基材料发光的研究进展
2003年
对近几年来几种掺饵硅基材料的发光特性及光致发光和电致发光的机理的研究进展作综合介绍,并对掺铒硅基材料发光今后的研究发展提出自己的一些看法。
丁瑞钦
关键词:硅基材料光致发光电致发光氢化非晶硅晶体硅
p-ZnO薄膜的制备及其微结构测试与分析
2008年
报道了几种不同的p型ZnO薄膜的制备工艺对其薄膜微观结构的影响.结果表明:ZnO薄膜的结晶度、C轴取向程度、内应力均与制备工艺条件有密切的关系,并对这些关系的机理做了分析和探讨.
陈毅湛丁瑞钦朱慧群黎扬钢丁晓贵杨柳黄鑫钿齐德备谭军
关键词:退火工艺X射线衍射
P型ZnO薄膜的磷扩散制备与表征
应用射频磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散,使ZnO薄膜从本征n型转化为p型.接着,在此p型ZnO薄膜上沉积本征n型ZnO,形成了同质ZnO p-n结.X射线...
丁瑞钦朱慧群王忆
关键词:硅衬底氧化锌薄膜射频磁控溅射P-N结
文献传递
a-Si太阳电池陷光结构的新模型及其优化被引量:5
2001年
我们在分析陷光结构的表面形貌后 ,对陷光结构提出一个新的模型 ,并用它计算和分析折射率、形貌和膜厚等参数对陷光效果的影响。通过计算 ,我们找出这些参数的最佳值 ,并依此对陷光结构进行优化 。
麦耀华李洪波薛俊明杨恢东任慧志张德坤王宗畔耿新华
关键词:非晶硅太阳电池陷光结构
钛酸盐体系长余辉发光材料研究进展
2010年
钛酸盐基质长余辉发光材料具有稳定的物化性能,是一类新型的储能和环保型材料。综述了近年来钛酸盐体系长余辉发光材料的最新研究进展,总结了掺杂离子、基质种类、电荷补偿以及制备方法等对钛酸盐长余辉发光材料发光特性的影响,并提出了今后可能的研究和应用发展方向。
潘欢欢王忆蔡进军曾庆光胡社军
关键词:钛酸盐长余辉发光材料掺杂电荷补偿
n-ZnO/p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器被引量:4
2007年
采用直流反应溅射法,在一定的溅射功率和衬底温度等条件下控制气体组分,优选Ar:O2—8:1成功研制出高响应度n-ZnO/p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器。实验关键是利用缺O法在n-ZnO薄膜内有效引入O缺位Vo,而Vo可增强紫蓝波段的光响应。测试结果显示,ZnO薄膜的光致发光(PL)谱除在388nm处存在紫外带边发射主峰外,还在416nm处出现由O缺位导致的发射峰;X射线衍射(XRD)谱表明,薄膜中的晶体为高C轴取向的纤锌矿结构;n-ZnO/p-Si光探测器在光照时Ⅰ-Ⅴ特性显示,光电流随反向偏压的增加迅速上升;在5V的反向偏压下,紫外区(310-388nm)的光响应高达0.75~1.38A/W,紫蓝光区(400-430nm)的光响应大大增强,400-800nm波段的光谱响应稳定在0.90A/W。
朱慧群丁瑞钦庞锐麦开强吴劲辉
关键词:光探测器光响应
基于热扩芯光纤的光纤准直器特性研究被引量:3
2012年
为了提高光纤和光器件之间的耦合效率,设计了由热扩芯光纤和自聚焦透镜构成的新型热扩芯光纤准直器。理论上分析了热扩芯光纤准直器的基本结构参数与光学特性的关系以及由3种失配导致的耦合插入损耗。研究发现,热扩芯光纤准直器的耦合特性与自聚焦透镜的参数有关,热扩芯光纤准直器在轴向间距和角度偏差上的耦合失配容限明显优于普通光纤准直器,横向位移损耗则高于普通光纤准直器。采用模场半径为15.4μm的热扩芯光纤与自聚焦常数为0.295mm-1的自聚焦透镜制备了热扩芯光纤准直器,并对热扩芯光纤准直器因3种失配导致的耦合插入损耗进行了理论和实验比较,结果表明实验数据与理论吻合较好,说明所设计的热扩芯光纤准直器可用于长距离光耦合和旋转连接器件。
李榴李毅郑秋心沈雨剪黄毅泽朱慧群佟国香方宝英周晟张宇明孙若曦梁倩严梦丁杰王锋覃源
关键词:光纤光学自聚焦透镜光纤准直器
紫外衍射微透镜阵列的设计与制备被引量:2
2011年
通过研究互相关联的光学和工艺参数,用标量衍射理论设计了用于128×1日盲型紫外探测器的衍射微透镜阵列,其工作中心波长为400 nm,单元透镜F数为f/5,f为焦距.采用组合多层镀膜和剥离的工艺方法制备微透镜阵列,对工艺流程和制备误差进行了分析,对制备出的128×1的衍射微透镜阵列的光学性能进行测量和分析.实验结果表明,衍射微透镜阵列的衍射效率为87%.制备误差主要来自对准误差和线宽误差.紫外衍射微透镜阵列的整体性能满足了微透镜阵列与紫外焦平面阵列的单片集成要求.
张伟李毅张虎黄毅泽朱慧群孙若曦
关键词:紫外微透镜阵列
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