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吉林彩晶数码高科显示器有限公司: 作品数：13 被引量：151H指数：6; 相关作者：唐志勇李世伟尹海军任丁牟颖更多>>; 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心吉林大学更多>>; 发文基金：“九五”国家科技攻关计划国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程经济管理更多>>

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TFT液晶电视控制电路的设计被引量：11: 2002年; 根据TFTLCD的显示特性 ,利用KS0 1 2 7视频译码器和AL2 5 1视频扫描同步倍频器及单片机 ,设计了转换和控制电路 ,用LCD取代传统的CTR ,实现数字色调驱动系统和电视的显示功能 ,并设计出 2 6 4cm( 1 0 .4in)VGATFT液晶电视的控制卡。叙述了硬件电路设计和软件控制方法以及利用单片机实现I2; 唐志勇杨虹; 关键词：控制电路视频译码器倍频器

TFT—LCD:国际上新的经济增长点被引量：1: 1999年; 介绍了国际上ＴＦＴ－ＬＣＤ产业的最新发展，ＴＦＴ－ＬＣＤ技术的进步。长期困扰液晶的三大难题：视角、色饱和度和亮度，已经获得解决。液晶产业进入了全面高速发展时期，文章并分析了国际上ＴＦＴ－ＬＣＤ市场的发展趋势。; 谷至华; 关键词：TFT LCD 显示器液晶显示器

液晶投影板: 一种液晶投影板,包括：壳体、液晶显示模块3、显示电路板5、支撑立柱8。壳体的中心部位开有与液晶显示模块吻合的孔。下壳体1开孔边缘有四个立柱8。下壳体的周边固定有显示电路板5。液晶显示模块3的背后有防尘玻璃板4。壳体底面涂...; 任喜明韩学斌靖江红郑轲尹海军; 文献传递

背光源结构分析及几种提高亮度的途径被引量：38: 2002年; 分析了国内外几代典型的冷阴极荧光灯背光源的结构以及能量损耗情况。提出了改变灯管材料、降低管壁厚度、变更填充物和灯管结构等以提高发光强度;改变导光板构造以减少导光损失,提高均匀度;增加偏光分离板以提高光效等几种提高背光源亮度的有效途径。; 邹跃军任丁; 关键词：背光源亮度冷阴极荧光灯能量损耗

用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜与结构分析: 以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对成膜的影响,通过XRD分析确定本实验系统的最佳的多晶硅成膜条件.通过接触...; 张玉高博李世伟付国柱高文涛荆海; 关键词：多晶硅薄膜催化化学气相沉积; 文献传递

利用微锥膜改善反射式液晶显示器件的视角: 1999年; 提出了一种可以改善反射式彩色液晶显示视角的微锥结构膜。模拟计算结果表明，当光从微锥的底部人射时，该膜起到准直作用，当光从微锥的顶部入射时，该膜起到散射作用。利用微锥膜可显著改善反射式干涉滤光膜的视角依赖性。由于微锥膜的作用不依赖了液晶盒结构，所以，可对多种结构的反射式彩色液晶显示有效。; 邵喜斌尹海军黄锡珉

TFT液晶显示屏驱动方法的研究被引量：26: 2000年; 详细分析了当前TFT-LCD驱动电路所使用的场反转、行反转和列/点反转驱动方法,说明了每种方法的优。; 杨虹王刚唐志勇王丹凌志华黄锡珉金圣经; 关键词：液晶显示屏驱动电路 TFT

Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制被引量：1: 2007年; 采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层。这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能。文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si—Si键,保留与晶体硅匹配的Si—Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长。经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80nm。而传统方法连续生长20min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰。结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率。; 张玉荆海付国柱高博廖燕平李世伟黄金英; 关键词：多晶硅薄膜晶核

VGA TFT LCD的驱动电路设计被引量：35: 2001年; 介绍了VGA TFT LCD驱动电路的设计思想、所使用的行反转驱动方法及其优点、数据驱动器的工作原理和灰度级实现方法以及扫描驱动器的工作原理。详细地分析和计算了公共电极驱动Vcom调节方法，并有效地解决了由于TFT寄生电容引起的电压跳变而导致的图像闪烁问题。; 杨虹唐志勇凌志华黄锡珉; 关键词：薄膜晶体管液晶显示器驱动电路