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中国电子科技集团公司第十三研究所

作品数：520 被引量：730H指数：13
相关作者：安振峰闫立华钱丽勋张汉三杨拥军更多>>
相关机构：河北工业大学西安电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金石家庄市科技局“科技支撑计划项目”更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 307篇期刊文章
  • 123篇会议论文
  • 75篇科技成果
  • 9篇标准

领域

  • 367篇电子电信
  • 28篇自动化与计算...
  • 18篇电气工程
  • 16篇机械工程
  • 13篇一般工业技术
  • 12篇化学工程
  • 12篇医药卫生
  • 10篇金属学及工艺
  • 10篇理学
  • 5篇经济管理
  • 3篇环境科学与工...
  • 3篇文化科学
  • 2篇矿业工程
  • 2篇冶金工程
  • 2篇建筑科学
  • 2篇核科学技术
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇天文地球
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇政治法律

主题

  • 69篇晶体管
  • 68篇电路
  • 68篇半导体
  • 46篇砷化镓
  • 44篇放大器
  • 42篇集成电路
  • 34篇场效应
  • 27篇场效应晶体管
  • 25篇硅
  • 24篇功率放大
  • 23篇功率放大器
  • 23篇半导体器件
  • 21篇低噪
  • 21篇低噪声
  • 21篇功率
  • 20篇封装
  • 19篇通信
  • 16篇GAAS
  • 15篇微波
  • 13篇振荡器

机构

  • 514篇中国电子科技...
  • 11篇河北工业大学
  • 9篇西安电子科技...
  • 7篇中国电子科技...
  • 6篇电子科技大学
  • 6篇清华大学
  • 5篇中国电子科技...
  • 4篇天津大学
  • 4篇河北中瓷电子...
  • 3篇东南大学
  • 3篇河北科技大学
  • 3篇石家庄市第一...
  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 2篇南京航空航天...
  • 2篇北京工业大学
  • 2篇北京理工大学
  • 2篇河北医科大学...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 12篇冯志红
  • 11篇孙聂枫
  • 8篇孙同年
  • 8篇钱丽勋
  • 8篇梁士雄
  • 7篇杨瑞霞
  • 7篇邢东
  • 6篇吴爱华
  • 6篇高学邦
  • 6篇乔玉娥
  • 6篇王阳
  • 6篇徐立生
  • 6篇刘红兵
  • 6篇李丰
  • 5篇袁明文
  • 5篇郑世棋
  • 5篇安振峰
  • 5篇吴洪江
  • 5篇杨拥军
  • 4篇郎秀兰

传媒

  • 99篇半导体情报
  • 38篇半导体技术
  • 36篇电子技术与软...
  • 6篇中国机械工程
  • 6篇通讯世界
  • 6篇第八届全国抗...
  • 6篇第十三届全国...
  • 6篇1993年全...
  • 5篇第九届全国抗...
  • 5篇1991年全...
  • 4篇河北医药
  • 4篇电子工艺技术
  • 4篇电子工业专用...
  • 3篇无线电工程
  • 3篇Journa...
  • 3篇电子技术应用
  • 3篇电子技术（上...
  • 3篇传感技术学报
  • 3篇环境技术
  • 3篇信息记录材料

年份

  • 14篇2024
  • 24篇2023
  • 24篇2022
  • 17篇2021
  • 7篇2020
  • 9篇2019
  • 12篇2018
  • 5篇2017
  • 15篇2016
  • 8篇2015
  • 13篇2014
  • 4篇2013
  • 8篇2012
  • 8篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
  • 7篇2008
  • 13篇2007
  • 1篇2006
  • 16篇2005
共 520 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
砷化镓超高速门电路
研制并设计定型了ＳＺ５０１型砷化镓超高速三输入或非门，ＳＺ５１１型砷化镓超高速三输入与非门ＳＺ５２１型ＧａＡｓ超高速数字集成电路产品。这四种ｇａＡｓ门电路的上升时间ｔ（ｒ）＜４００ｐｓ，下降时间ｔ（ｆ）＜４００ｐｓ，异或...
关键词：
关键词：超高速数字集成电路砷化镓
砷化镓集成电路计算机辅助设计
徐世晖许越肖军锋谢孟贤赵正平洪兴楠吴洪江刘玲薛勇健沈楚玉高葆新赵国南高学邦李征帆赵新
“八五”国家重点科技攻关专题“ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ”的设立，目的就是在“七五”工作的基础上形成面向用户的、多功能的ＭＩＭＩＣ和ＶＨＳＩＣ整套实用化ＣＡＤ系统，完成新型器件（ＨＥＭＴ、ＨＢＴ）和电路的模拟。为“八五”...
关键词：
关键词：砷化镓计算机辅助设计集成电路
基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器研究进展
2019年
本文介绍了国内外太赫兹空间调制器的研究背景,阐述了太赫兹空间调制器的研究意义及应用前景。介绍了基于人工微结构阵列的太赫兹空间调制器的最新研究成果,利用太赫兹波对超材料独特的响应特性,设计出多种具有不同响应模式的人工微结构阵列,分别嵌套高电子迁移率晶体管(HEMT)和相变材料二氧化钒,制备出了基于不同外加激励下的太赫兹空间幅度调制器和相位调制器。其中,太赫兹空间幅度调制器的调制速率可到1Gbps,调制深度可达85%,相位调制器在30GHz以上的带宽内相移量可达130°。上述太赫兹器件的调制性能均处于国际领先水平,极大地提高了透射式太赫兹准光调制器的调制能力。该类器件在太赫兹通信、太赫兹成像等领域具有极大的发展空间。
张雅鑫梁士雄赵运成冯志红
关键词：太赫兹HEMT
低成本高光效LED平面光源标准模块的研究
2019年
本文通过对低成本高光效LED面光源标准模块的研究来解决白光LED在大功率应用中存在的诸多问题,如:光效不够高、散热解决困难、存在眩光、价格较高等问题,这些问题是成为影响白光LED大功率光源广泛应用的制约因素。通过对白光LED光源发光机理的深入研究,并针对多芯片LED封装白光光源进行光电参数的优化设计,从而提高光效、改进散热结构、提高光源寿命;研究采用增大发光部分面积,降低单位面积上光源的光强的方法,来克服LED光源的眩光问题;通过开发系列高性价比、不同形状系列化光源模块,并由光源模块组合装配出不同的LED灯具产品,使产品实用性强利于推广。
张辉王立娟
关键词：高光效
5.4-5.9GHz10W内匹配型GaAsMESFET
本文介绍了一种利用内匹配技术制造的砷化镓微波功率器件,运用大信号CAD的方法,通过选择性能和一致性良好的四个总栅宽为5mm的单胞合并而成,在5.4-5.9GHz内输出功率可达10瓦,增益可达10dB以上,附加效率大于40...
刘同水
文献传递
闪速存储器的研究与进展被引量：16
1999年
介绍了闪速存储器的发展历史，分析了闪速存储器单元及电路的工作原理，并就“与非”结构闪速存储器进行探讨，最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码／电路和深亚微米（０．２５μｍ）闪速存储器技术。
于宗光何耀宇
关键词：闪速存储器EPROME^2PROM
磷注入法合成磷化铟
磷化铟（IMP）是一种重要的化合物半导体材料。InP作为衬底材料主要有两种应用途径:1、光电器件,包括光源（LED、LD）和探测器（PD、APD）等,主要用于长波长光纤通讯系统。2、电子器件包括高速高频微波器件（HEMT...
孙聂枫毛陆虹郭维廉吴霞宛杨瑞霞周晓龙孙同年
文献传递
三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET的性能比较
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结的研究结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制、倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流...
吕长志冯士维王东凤张小玲谢雪松何炎张浩徐立国袁明文李效白曾庆明
关键词：ALGAN/GAN双异质结性能比较晶体管
文献传递
S波段功率模块研制被引量：1
1999年
介绍了一种全部采用国产管芯、基片、材料研制的硅Ｓ波段功率模块。该模块具有带宽性能好、增益高、输出功率大、可靠性高、静态电流低、体积小、重量轻、输入输出为５０Ω及采用全芯片组装等特点。
敦书波潘宏菽
关键词：功率模块芯片组装硅微波半导体器件
L、S波段超宽带GaN功率放大器设计与实现
2022年
本文基于0.25μm GaN HEMT工艺技术,设计并实现了一款可应用于L波段和S波段的超宽带GaN高效率大功率放大器芯片。该功率放大器芯片采用末级八胞功率合成实现高效率、大功率,采用两级级联放大实现功率增益,采用多支节电抗匹配网络实现低损耗、超宽带匹配。利用电路仿真软件进行芯片电路整体电学参数优化和电磁场仿真,并进行了流片制作,芯片尺寸为4.60mm×3.40mm×0.08mm。采用微波在片测试系统进行微波测试,测试结果表明,该功放芯片在1.2-3.5GHz频率范围内,脉冲饱和输出功率大于25W,功率附加效率大于40%,功率增益大于26dB,满足实际工程应用的需求。
陈然宋学峰
关键词：超宽带功率放大器
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