杭州士兰集成电路有限公司
- 作品数：576 被引量：40H指数：3
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- 高迁移率聚合物半导体材料
- 2017年
- 半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10^(-5_cm^2v^(-1)s^(-1)提升到了36.3cm2v^(-1)s^(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。
- 李小锋
- 关键词：半导体空穴双极
- 一种半导体晶圆以及管芯
- 公开了一种半导体晶圆以及管芯，半导体晶圆包括多个管芯，每个管芯包括：第一腔体；功能单元，位于第一腔体内；电极结构，位于第一腔体外并且通过布线与功能单元连接；开口，暴露出电极结构；以及键合结构；其中，键合结构包括：第一部分...
- 季锋夏姚忠贾涛源邹光祎
- MEMS器件
- 本申请公开了MEMS器件。所述MEMS器件包括：衬底；位于衬底上的MEMS传感器，所述MEMS传感器包括在衬底上形成的空腔以及位于空腔上的结构层；以及位于MEMS传感器上的晶体管，其中，所述晶体管的至少一部分形成在所述M...
- 孙伟闻永祥季锋刘琛
- 文献传递
- 热电堆红外探测器
- 本实用新型提供一种热电堆红外探测器，该热电堆红外探测器包括：衬底，所述衬底内具有空腔；介质支撑膜，位于所述空腔上方并由所述衬底支撑；热电堆，位于所述空腔上方的介质支撑膜上；超材料结构，位于所述热电堆上方，所述超材料结构包...
- 孙福河闻永祥刘琛季锋陈雪平
- 文献传递
- 乙硼烷质量检测结构及检测方法
- 本发明提供了一种乙硼烷质量检测结构及检测方法，在介质层上淀积BPSG并回流，再检测BPSG中是否存在缺陷进而判断B<Sub>2</Sub>H<Sub>6</Sub>质量，可用于对B<Sub>2</Sub>H<Sub>6<...
- 李志栓杨彦涛孙健罗宁
- 文献传递
- 半导体沟槽结构的形成方法
- 本发明提供了一种半导体沟槽结构的形成方法，所述半导体沟槽结构的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上顺次形成第一介质层和第二介质层；去除部分第二介质层，形成第一窗口；执行氧化工艺，在所述第一窗口中形成鸟嘴结构...
- 杨彦涛季锋江宇雷赵金波刘琛桑雨果
- 文献传递
- Bipolar电路的一种引线孔结构及制造方法
- Bipolar电路的引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行...
- 李小锋陈元金杨彦涛张佼佼
- 一种肖特基二极管的正面电极结构及其工艺制造方法
- 本发明公开了一种肖特基二极管的正面电极工艺方法及其电极结构，所述的方法包括常规的外延、氧化、一次光刻、硼注入、退火、二次光刻、二氧化硅腐蚀、势垒淀积、势垒合金、势垒腐蚀步骤外，本发明采用了清洗，依次真空蒸发接触层金属Ti...
- 吴志伟梁勇王平何金祥
- 文献传递
- 全自动硅片传送装置设计被引量：1
- 2009年
- 半导体生产过程中,用吸笔从花篮取放硅片到显微镜下检测,存在着容易划伤硅片和取放效率低下两大问题。因此用机械手替代人工取放硅片的解决方案十分必要。文章介绍的全自动硅片传送装置用于手动显微镜的传片自动化。该装置利用51单片机为核心,控制步进电机带动机械手取放硅片。该装置用低廉的成本,实现了高效、便捷、实用性强等性能,具备很大的推广意义。
- 金红杰钟善理邓志涛
- 关键词：机械手单片机步进电机
- 电子技术在电气控制中的应用要点被引量：1
- 2017年
- 电子技术在系统中应用广泛。它已应用于系统的发电、输电和配电,并在三大环节中发挥着重要作用。电子技术作为新能源发电的关键技术,对新能源的开发利用和人民生活具有重要意义。随着科学技术的飞速发展,在新技术的支持下,新的结构、器件和材料也出现了,并广泛应用于人们生产生活的方方面面。这使得电子技术的发展进一步扩大。从实际情况出发,总结了电子技术、电子技术和电子技术的应用。
- 崔喜昌
- 关键词：电气控制电子技术应用
