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东南大学薄膜研究所
作品数:
33
被引量:196
H指数:8
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刘云峰
吴乐林
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东南大学
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作者
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茅昕辉
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2000
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1999
3篇
1998
4篇
1997
4篇
1996
9篇
1995
8篇
1994
共
33
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脉冲溅射技术在氧化铝薄膜沉积中的应用
被引量:9
2001年
脉冲溅射是一种新型的、用于消除直流反应溅射中异常放电的技术。通过采用金属铝靶和自制的脉冲电源进行了氧化铝薄膜的脉冲磁控反应溅射沉积实验 ,讨论了脉冲溅射参数对异常放电的抑制效果 ,以及对氧化铝薄膜的沉积速率和折射率的影响。
茅昕辉
蔡炳初
陈国平
关键词:
氧化铝薄膜
电致变色灵巧窗的设计与研制
被引量:13
1997年
从电致变色器件的工作原理出发,对电致变色灵巧窗的基本结构和各层材料的作用进行分析和讨论,对组成灵巧窗的各层薄膜材料进行研究和制备,并研制了性能优良的ITO/WO3/LiClO4-PC/NiO/ITO以及ITO/NiO/LiClO4-PC/ITO结构的半固态灵巧窗和ITO/WO3/LiNbO3/NiO/ITO结构的全固态灵巧窗。
张旭苹
关键词:
电致变色
氧化钨
氧化镍
太阳能
电致变色氧化镍薄膜的制备与性能
被引量:1
1996年
电致变色氧化镍薄膜的制备与性能张旭苹,陈国平(东南大学薄膜研究所,南京210018)电致变色是指材料的光学性能(光的透射、反射和吸收)通过外加电场或电流的作用在包括可见光波长的某一波长范围内发生可逆变化的现象,氧化镍薄膜是目前发现的性能最好的电致变色...
张旭苹
陈国平
关键词:
电致变色
氧化镍薄膜
光学性能
直流磁控反应溅射沉积ITO透明导电膜的研究
被引量:9
1995年
研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ITO透明号电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性。讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和透光率的影响。
茅昕辉
陈国平
陈公乃
张随新
张旭苹
关键词:
ITO膜
透明导电膜
磁控反应溅射
磁控反应溅射氧化镍薄膜电致变色特性的研究
被引量:1
1994年
本文介绍了直流磁控反应溅射制备的氧化镍薄膜。研究了所沉积的氧化镍薄膜的电致变色性能、响应速度、开路记忆能力及循环寿命。实验结果表明:氧化镍薄膜初始态透射率和电化学测试方法与条件的选择对其电致变色性能有较大的影响。
陈国平
张旭苹
关键词:
氧化镍薄膜
电致变色
磁控反应溅射
氧化铟锡透明导电玻璃可见光透射率的研究
被引量:2
1997年
随着近年来平板显示工业的飞速发展,ITO透明导电玻璃获得了广泛的应用。透明导电玻璃的可见光透射率和ITO膜的膜厚有关,本文通过实验数据和理论计算。
茅昕辉
张浩康
陈国平
关键词:
氧化铟锡
透明导电玻璃
氧化钨薄膜的电致变色特性
张旭苹
陈匡平
射频磁控溅射制备SiO_2膜
被引量:6
1995年
利用石英靶射频磁控溅射制备SiO2膜的工艺,采用L型阻抗匹配网络,并计算得到了等离子体的等效电容及等效电导。指出射频功率密度是最重要的沉积参数,靶面自偏压及SiO2膜沉积速率均随功率密度的增加而线性增加。溅射气压及氧分压对自偏压的影响较小,但两者的增加将导致SiO2沉积速率的降低。制备了可见光区透光性良好,折射率为1.46,沉积速率为35nm/min的SiO2膜。
陈国平
张随新
关键词:
射频磁控溅射
阻抗匹配
二氧化硅膜
氧化镍电致变色薄膜的XPS研究
被引量:4
1997年
采用X射线光电子能谱分析技术研究了直流磁控反应溅射法制备的氧化镍电致变色薄膜初始态、漂白态和着色态的表面和经氩离子枪剥离后的内部组成与化学状态.并对测试结果进行了分析和讨论.
张旭苹
陈国平
关键词:
氧化镍
X光电子能谱
电致变色薄膜
交流磁控溅射技术及其应用
被引量:5
1998年
本文阐述了交流溅射技术的原理、特点及其应用。
刘云峰
茅昕辉
张浩康
陈国平
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