长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
- 作品数：52 被引量：135H指数：6
- 相关作者：高欣张兴德朱宝仁王玉霞张宝顺更多>>
- 相关机构：吉林大学电子科学与工程学院吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程兵器科学与技术更多>>
- 半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究被引量：4
- 2001年
- 在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。
- 晏长岭钟景昌赵英杰苏伟黎荣晖任春燕
- 关键词：分布布拉格反射镜DBR超晶格分子束外延MBEGAAS/ALAS
- MBE生长高功率半导体激光器
- 1999年
- 对影响分子束外延（ ＭＢＥ） 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用ＭＢＥ生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制单量子阱激光器（ＧＲＩＮ－ ＳＣＨ－ ＳＱＷ） 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了６０ Ｗ（ｔ＝ ２００ μｓ，ｆ＝ ５０ Ｈｚ） ，峰值波长为８０８ ．４ ｎｍ 。
- 曲轶高欣张宝顺薄报学张兴德
- 关键词：半导体激光器高功率半导体激光器分子束外延激光器阵列
- 具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器被引量：5
- 1999年
- 研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
- 高欣曲轶薄报学张宝顺张兴德
- 关键词：半导体激光器液相外延
- 808nm波长光纤耦合高功率半导体激光器被引量：18
- 1999年
- 采用柱透镜对半导体激光器（ＬＤ）的输出光束进行了有效收集、预准直及多模光纤之间的耦合实验。采用８０８ｎｍ波长，１５０μｍ条宽结构的激光器件，与２００μｍ芯径平端光纤的耦合效率高达９０％以上，光纤输出功率为１．０Ｗ。
- 薄报学高欣王玲张宝顺王玉霞张兴德
- 关键词：大功率LD光纤耦合半导体激光器
- 红外精确制导技术的现状及发展趋势被引量：8
- 2000年
- 介绍了红外精确制导技术及红外探测器的基本原理、类型 ,综述了各国的研究现状和发展趋势 。
- 李忠辉李军李辉徐莉张兴德
- 关键词：精确制导探测器成像制导红外
- LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
- 2000年
- 设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～78％，中心发射波长为(808±3)nm。
- 李忠辉张宝顺杨进华张兴德王向武
- 关键词：LP-MOCVDINGAASP/GAAS量子阱激光器
- 高功率无铝半导体激光器被引量：8
- 2000年
- InGaAsP/GaAs激光器能抑制暗线缺陷的形成 ,器件的突然失效及缓慢退化有所减少。研究表明 ,高功率无铝半导体激光器比有铝的AlGaAs/GaAs激光器具有更高的可靠性。文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点 ,介绍了波长为 80 8nm的高功率无铝半导体激光器的发展及国内外目前的研究状况。
- 杨进华张兴德任大翠
- 关键词：半导体激光器砷化镓铝
- 808nm无铝材料激光器可靠性筛选的实验探讨被引量：2
- 1999年
- 对８０８ ｎｍ 无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ半导体激光器进行可靠性筛选实验，给出了器件老化前后的工作特性及其变化情况；讨论器件工作特性变化甚至失效的可能原因，并给出在进行器件筛选实验时的初步判据。用工作电流的变化率来对器件的可靠性做初步的判定，认为工作电流的变化率小于１％
- 高欣曲轶薄报学王晓华张兴德
- 关键词：半导体激光器可靠性激光器
- 大功率半导体激光光束整形技术及其在泵浦方面的应用被引量：7
- 2000年
- 在分析大功率半导体激光器的光束输出特性的基础上，针对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器的泵浦光源要求，研究了大功率半导体激光器光束输出的多种整形方法，同时比较了不同泵浦光束形状对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器输出效率的影响。
- 薄报学高鼎三宋晓伟王玲曲轶
- 关键词：光束整形半导体激光器腔内倍频
- InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究被引量：3
- 2000年
- 用改进的液相外延方法 L PE 生长了无铝的 In Ga As P/Ga As分别限制单量子阱半导体激光器 ,测量其远场分布近似为高斯分布 .用缓变波导理论分析了产生这种分布所对应的光波导结构的折射率分布模型 ,并简单解释了其生成原因 。
- 杨进华任大翠张剑家杜宝勋张兴德
- 关键词：半导体激光器单量子阱INGAASP/GAAS
