大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院
- 作品数:14 被引量:71H指数:4
- 相关机构:黑龙江科技大学计算机与信息工程学院大连大学机械工程学院大连海事大学信息科学技术学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域:自动化与计算机技术理学电子电信航空宇航科学技术更多>>
- 偏压应力下SiC/SiO_(2)界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变
- 2023年
- SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO_(2)界面缺陷能级的重要源头之一。基于第一性原理密度泛函理论,研究了不同外部电场对SiC/SiO_(2)界面处间隙碳缺陷的结构和电学性质的影响。结构键长键角计算结果表明,电场对缺陷Ci1和Ci2的结构影响较小,但施加电场后两种缺陷的形成能均减小,说明偏压应力更有助于这两种缺陷的形成。电荷态密度计算结果表明,不同大小和方向的偏压应力(电场)会改变Ci1和Ci2的缺陷能级位置。上述作用诠释了界面缺陷产生偏压应力不稳定问题的物理机制。
- 张圆尉升升丁攀苏艳王德君
- 关键词:SIC第一性原理态密度
- 多元混沌时间序列的多核极端学习机建模预测被引量:18
- 2015年
- 多元混沌时间序列广泛存在于自然、经济、社会、工业等领域.对多元混沌时间序列进行建模预测有助于人类更好地管理,控制与决策.针对多元混沌时间序列的建模预测问题,本文提出一种基于多核极端学习机的预测方法.首先对多元混沌时间序列进行相空间重构,将多元混沌时间序列序列的时间相关性转化为空间相关性.提出一种结合多核学习算法与核极端学习机模型的多核极端学习机建立相空间中输入输出数据的非线性映射.多核极端学习机模型结合了多核学习算法的数据融合能力以及核极端学习机的训练简便优势.基于Lorenz混沌时间序列预测和San Francisco河流月径流量预测的仿真实验表明,与其他常见混沌时间序列预测方法相比,本文提出的基于多核极端学习机的多元混沌时间序列预测方法具有更小的预测误差.
- 王新迎韩敏
- 关键词:混沌时间序列神经网络核方法
- 基于半圆形局部二值模式结构相关性描述子的图像检索被引量:1
- 2016年
- 针对传统的结构基元方法缺少对不同量化颜色层中的中心像素点与其潜在邻居的相似性信息描述问题,提出了一种半圆形局部二值模式结构相关性描述子,并将其应用在图像检索中.首先,定义了一种新的半圆形局部二值模式结构基元;其次,检测不同量化颜色层中的结构基元;最后,提取新结构基元的空间分布和对比度特征.相比传统的结构基元方法,提出的描述子检测的结构基元更加丰富,包含更多可能的结构区分性.在不同图像库上的实验结果表明了所提方法的有效性.
- 李莉冯林吴俊刘胜蓝
- 关键词:局部二值模式图像检索
- 高温应力下SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷的结构与电子特性演变
- 2023年
- SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷是引起高温应力下SiC MOSFET可靠性劣化的主要根源。采用第一性原理密度泛函理论结合分子动力学,模拟计算了高温应力(425~625 K,间隔100 K)对SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷(如羧基类、碳二聚体、碳三聚体等缺陷)结构和电子特性的影响。计算结果表明:施加高温应力后,羧基类碳缺陷结构稳定;碳二聚体缺陷的碳碳双键(C═C)转变为碳碳单键(C—C),且无法在SiC带隙中引入电荷态;碳三聚体缺陷在施加高温应力后转变为新的C═C和碳氧双键(C═O)复合缺陷。这种复合缺陷在SiC的价带顶和导带底附近均引入了缺陷态,有较强的电子捕获能力,是SiC MOSFET在高温应力下性能不稳定的主要因素。
- 丁攀尉升升张圆白娇苏艳王德君
- 关键词:电子结构电子捕获
- 一种新的模糊稀疏表示人脸识别算法被引量:8
- 2017年
- 稀疏表示人脸识别算法的主要思想是:一个未知的测试图像可以近似表示为所有与其隶属同类的训练样本的一个线性组合.然而,人脸之间存在着极大的相似性,同时易受到外部环境的影响,人脸分类的本身存在着一定的不确定性.针对这种不确定性,结合模糊集合理论,提出了一种新的模糊稀疏表示人脸识别算法.首先,引入一个非线性函数描述人脸的相似性程度.然后,基于该相似性度量以及最近邻分类器思想,定义一个自适应的模糊隶属度函数来分配人脸对类的隶属程度.而这一过程恰使得这些隶属度是稀疏化的.最后,将稀疏化的模糊隶属度作为训练样本表示测试样本的权值系数,进而重构测试图像.采用MATLAB在ORL和Yale人脸数据库上进行仿真实验,验证了该算法的有效性和稳定性.
- 李懿刘晓东
- 关键词:人脸识别模式识别相似度最近邻分类器
- 石墨烯过渡层对金属/SiC接触肖特基势垒调控的第一性原理研究
- 2022年
- 由于SiC禁带宽度大,在金属/SiC接触界面难以形成较低的势垒,制备良好的欧姆接触是目前SiC器件研制中的关键技术难题,因此,研究如何降低金属/SiC接触界面的肖特基势垒高度(SBH)非常重要.本文基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,结合平均静电势和局域态密度计算方法,研究了石墨烯作为过渡层对不同金属(Ag,Ti,Cu,Pd,Ni,Pt)/SiC接触的SBH的影响.计算结果表明,单层石墨烯可使金属/SiC接触的SBH降低;当石墨烯为2层时,SBH进一步降低且Ni,Ti接触体系的SBH呈现负值,说明接触界面形成了良好的欧姆接触;当石墨烯层数继续增加,SBH不再有明显变化.通过分析接触界面的差分电荷密度以及局域态密度,SBH降低的机理可能主要是石墨烯C原子饱和了SiC表面的悬挂键并降低了金属诱生能隙态对界面的影响,并且接触界面的石墨烯及其与金属相互作用形成的混合相具有较低的功函数.此外,SiC/石墨烯界面形成的电偶极层也可能有助于势垒降低.
- 邓旭良冀先飞王德君黄玲琴
- 关键词:SIC石墨烯肖特基势垒第一性原理计算
- SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性
- 2023年
- 偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O_(2)体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性,降低了界面态密度,提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明,掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明,SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度,能够有效改善器件的BTI特性。
- 于洪权尉升升刘兆慧尹志鹏白娇谢威威王德君
- 关键词:碳化硅MOS电容热氧化阈值电压漂移
- 基于基元相关性描述子的图像检索被引量:3
- 2016年
- 图像检索系统性能很大程度上取决于提取的图像描述子,其中颜色差分直方图(color difference histogram,CDH)已经在图像检索中显示出了较好的性能.但是这种描述子仍然有一定的局限性:1)只考虑到了像素间颜色差分的整体分布;2)忽略像素间的空间位置分布.因此提出了1种新的基元相关性描述子(texton correlation descriptor,TCD)提取图像特征,并将其应用于图像检索系统中.具体提取过程分为3个步骤:1)利用图像底层特征(颜色和局部二值模式)检测一致性区域,选择图像中包含区分性信息的局部区域;2)提出颜色差分特征和基元频率特征分别描述图像像素间的对比度和空间位置信息,其中颜色差分特征融合了描述局部邻域的颜色差分相关性统计和全局颜色差分直方图,基元频率特征也融合了描述局部邻域的基元频率相关性和基元频率直方图;3)联合一致性区域中的这2种特征得到最后的TCD描述子.这种特征描述了图像中2种互相独立并互相补充的特性:对比度和空间位置关系,并同时考虑到了这2种特性在局部和全局区域中的描述,因此在图像检索实验中会有更好的性能.在图像数据集中的实验结果显示了TCD描述子的检索效果明显优于其他几种特征描述子,证实了TCD描述子在图像检索中的有效性和稳定性.
- 吴俊刘胜蓝冯林于来行
- 关键词:图像检索
- 栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响
- 2023年
- 阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。
- 刘兆慧尉升升于洪权尹志鹏王德君
- 一种基于变论域自适应模糊逻辑系统提高卡尔曼滤波器性能的方法被引量:2
- 2019年
- 实际工程应用中,预测动态系统的状态通常是一类比较重要的问题。卡尔曼滤波器已经被证明是处理该类问题的一个有效的工具。在系统特性能够较好把握的前提下,卡尔曼滤波器的预测准确性很大程度上取决于测量噪声协方差矩阵R的实时取值情况。但由于工作状况的各种不确定性,使得R矩阵的值会持续地受到不确定的干扰,从而极大地影响了卡尔曼滤波器的工作性能。针对上述问题,考虑到变论域自适应模糊逻辑系统的独特优点,提出了一种基于变论域自适应模糊逻辑系统动态实时调整R矩阵的方法。通过对滤波新息序列的实时监测,利用其实际值与理论值之间的偏差,采用变论域自适应模糊逻辑系统动态地对卡尔曼滤波器进行实时调整,通过仿真算例,验证了此种方法的优越性。应用此方法,在提高卡尔曼滤波器的预测精度的同时,也简化了模糊逻辑系统的设计,从而为更加方便、有效地应用卡尔曼滤波器提供了一种新的思路。
- 秦力舒李洪兴孙一
- 关键词:模糊逻辑系统变论域