重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室
- 作品数：56 被引量：74H指数：5
- 相关作者：陈燕樊聪刘畅王静范凤更多>>
- 相关机构：西南大学物理科学与技术学院重庆大学物理学院北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 钙钛矿钴氧化物中钴离子自旋态的研究进展被引量：2
- 2015年
- 钙钛矿钴氧化物具有丰富的物理现象,特别是其Co离子自旋态的变化更为复杂,蕴藏着丰富的物理机理。由于材料本身存在的庞磁电阻效应使其在提高磁存储密度和制备磁敏感探测元件等领域有着很广阔的应用前景,受起了广泛关注。从介绍钙钛矿氧化物的结构入手,着重阐述了钙钛矿钴氧化物中Co离子自旋态转变的研究进展,并对钙钛矿钴氧化物中存在的其他物性进行了简单综述。
- 赵若禺毋志民王敏娣邓军权丁水燕
- 关键词：钴离子自旋态庞磁电阻效应
- Mn掺杂LiZnN新型稀磁半导体磁电性质的第一性原理计算被引量：2
- 2018年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnN、Mn掺杂LiZnN及Li不足和过量时Mn掺杂LiZnN体系进行几何结构优化,分析体系的电子结构、半金属性和磁电性质.结果表明,Mn的掺入使体系产生自旋极化杂质带,自旋极化率为100%,表现出半金属铁磁性,且形成较强的Mn—N共价键.当Li不足时,Mn—N键的共价性最强,键长变短,体系半金属性明显增强,形成能最低,结构最稳定.Li过量时,体系半金属性消失,表现为金属性,杂质带宽度增大,体系导电能力增强.表明Mn掺杂LiZnN新型稀磁半导体可以通过Mn的掺入和改变Li的含量来实现磁性和电性的分离调控.掺杂体系的基态均为铁磁性,其净磁矩主要由Mn原子贡献,通过海森堡模型计算发现,Li空位可以有效提高体系的居里温度.
- 徐建杜成旭杜颖妍贾倩刘洋华毋志民
- 关键词：第一性原理铁磁性
- 具有大半金属能隙的V掺杂LiZnP新型稀磁半导体的磁电性质被引量：2
- 2019年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对新型稀磁半导体Li1±y(Zn1-xVx)P(x=0,0.0625;y=0,0.0625)体系进行几何结构优化,计算并分析了各体系的电子结构,形成能,半金属性,磁性及居里温度。结果表明,新型稀磁半导体LiZnP可通过掺入V和改变Li的化学计量数来实现自旋和电荷注入机制的分离。单掺V引入了自旋极化杂质带,表现出强的半金属性,sp-d杂化导致体系产生2.92 μB的净磁矩。体系的性质还受Li的化学计量数的影响,Li空位时,半金属性和磁性有所减弱,但居里温度最高;Li填隙时,杂化作用增强,形成能最低,导电能力最强,磁性最大。
- 贾倩杜颖妍杜成旭陈婷刘焦于越张恒源刘明毋志民
- 关键词：电子结构磁性
- 二维材料XTe_(2)(X=Pd,Pt)热电性能的第一性原理计算被引量：3
- 2021年
- 利用密度泛函理论结合玻尔兹曼输运方程,预测了二维层状热电材料XTe_(2) (X=Pd, Pt)的热电性质.两种材料都具有较低的热导率,材料的晶格热导率随温度的升高而降低,且表现出各向异性.而电子热导率随温度的升高而升高.在较低温时,晶格热导率对总热导率的贡献占据主导地位.较高的载流子迁移率、电导率及塞贝克系数也对材料的热电转换效率产生极大的影响,展现出较为优异的电输运性能.对比分析PdTe_(2)和PtTe_(2)两种材料的ZT值,发现两种材料的热电性能以p型掺杂为主. PtTe_(2)单层的ZT值高于PdTe_(2)单层,并且PtTe_(2)单层在常温下的ZT峰值可达到2.75,是一种极具潜力的热电材料.
- 王艳陈南迪杨陈曾召益胡翠娥陈向荣
- 关键词：第一性原理计算输运性质热电效应
- 非晶态合金包覆层对铜线强度和抗腐蚀性能的提高被引量：1
- 2017年
- 【目的】非晶态合金是一种新型的金属材料,其长程无序的原子结构导致其具有优异的力学性能,因此,有必要研究利用非晶态合金来提高普通材料性能的具体方案。【方法】通过快速熔体浸润抽拉包覆的方式,把Zr基非晶态合金材料快速包覆于铜线表面。【结果】非晶态合金包覆层可以有效地提高铜线的抗压强度,同时由于包覆层优异的抗腐蚀性,所制备的非晶态合金包覆铜线材料也具有优异的抗腐蚀性能。同时还发现铜线的包覆层厚度随着抽拉速度的增加而减小。随着包覆层厚度的增加,样品的屈服强度也逐步提高,但是不能无限度增加包覆层厚度:由于冷却散热问题,当包覆层厚度超过120μm时,包覆层合金会形成明显的晶化相,晶化后的包覆层不具备非晶态合金的高强度,从而不能提高铜线的力学性能。【结论】非晶态合金包覆层超高的强度和抗腐蚀性可以有效地改善铜线的力学和抗腐蚀性能,从而增强铜线环境耐受力,使之具有更广泛的应用价值。
- 向优生何孟珂陈燕张倪侦余鹏
- 关键词：非晶态合金包覆层抗腐蚀性
- AZ31镁合金上有机阴离子ASP插层的MgAl-LDH和ZnAl-LDH膜耐蚀性的比较被引量：4
- 2020年
- 使用一步简单水热法分别制备天冬氨酸(ASP)插层的ZnAl层状双氢氧化物(ZnAl-LDH)和MgAl-LDH涂层。对所制备的两种涂层的形貌、成分、结构和耐蚀性进行比较研究。结果表明,均匀且致密的层状纳米片(NS)在基底上垂直生长,并且MgAl−ASP-LDH涂层表现出高孔隙覆盖率的三维(3D)玫瑰型片状结构。浸泡测试中,MgAl−ASP-LDH涂层展示出比ZnAl−ASP-LDH涂层更优异的耐久性和耐腐蚀性。ZnAl−ASP-LDH和MgAl−ASP-LDH涂层的腐蚀电流密度比Mg合金基底的低2~3个数量级,这表明插入有机ASP阴离子的ZnAl/MgAl-LDH膜可以显著提高镁合金的耐腐蚀性。
- 陈佳玲方亮吴芳吴芳胡佳张淑芳蒋斌蒋斌
- 关键词：水滑石镁合金天冬氨酸腐蚀抑制剂
- 氧化镓微晶薄膜制备及其日盲深紫外探测器被引量：1
- 2020年
- 采用射频磁控溅射技术和热退火技术在石英衬底上制备了微晶态Ga2O3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、紫外-可见-红外分光光度计(UV-Vis-IR)以及X射线光电子能谱仪(XPS)等手段对薄膜结构、光学特性以及化学组分进行了系统研究。结果表明,制备的Ga2O3薄膜呈非晶态,退火处理后,薄膜由非晶态转变为含β相Ga2O3的微晶薄膜,随退火温度升高,薄膜内部微晶成分不断增加,但最终在石英衬底上制备的薄膜并未全部转换成全晶态薄膜(β-Ga2O3)。基于非晶和微晶Ga2O3薄膜制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的日盲深紫外探测器,发现非晶Ga2O3薄膜基器件表现出更高的光响应,而微晶Ga2O3薄膜基器件则具有更低的暗电流和更快的响应速度。
- 赖黎莫慧兰符思婕毛彦琦王加恒范嗣强
- 关键词：氧化镓微晶光电性能
- 新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnP的电子结构和光学性质被引量：4
- 2017年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiZnP、Mn掺杂LiZnP、Li过量和不足时Mn掺杂LiZnP体系进行了几何结构优化,计算并分析了体系的电子结构、半金属性、态密度及光学性质.结果表明:LiZnP新型稀磁半导体可以实现自旋和电荷注入机制的分离.Mn的掺入使体系产生自旋极化杂质带,自旋极化率达到100%,表现出半金属铁磁性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时杂质带宽度增大,半金属性增强,居里温度提高,形成能最低.进一步比较光学性质发现:Mn掺入后体系光学性质没有明显变化,但随Li的化学计量数的改变,介电函数虚部会在低能区中出现新的介电峰,同时复折射率函数对低频电磁波吸收明显加强,且能量损失在Li过量时最小.
- 王婷谭欢边庆徐建李培源孙建春陈登明毋志民
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理计算
- 缺陷对β-Ga_(2)O_(3)薄膜的结构和光学特性的影响被引量：1
- 2021年
- 采用射频磁控溅射技术和后期退火在蓝宝石衬底上成功制备了β-Ga_(2)O_(3)薄膜。借助于X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、以及二次离子质谱(SIMS)研究了缺陷对β-Ga_(2)O_(3)薄膜的结构和光学特性的影响。结果表明,未退火的Ga_(2)O_(3)薄膜呈现非晶态,随高温退火时间逐渐增加,非晶Ga_(2)O_(3)薄膜逐步转变为沿(-201)方向择优生长的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。所有Ga_(2)O_(3)薄膜在近紫外到可见光区的平均透过率都高达95%,β相Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙比非晶态薄膜增加~0.3 eV,且随退火时间的增加,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙也随之变宽。此外,发现非晶Ga_(2)O_(3)薄膜富含氧空位缺陷,高温退火处理后,β-Ga_(2)O_(3)薄膜中的氧空位浓度明显降低,但蓝宝石衬底中的Al极易扩散至Ga_(2)O_(3)薄膜层,并随退火时间的增加Al浓度明显增加,氧空位的降低和Al杂质的增加是导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学带隙变宽的主要原因。
- 符思婕向琴赖黎莫慧兰范嗣强李万俊
- 关键词：退火结构和光学特性
- 第一性原理计算Fe掺杂LiMgP新型稀磁半导体的半金属铁磁性被引量：2
- 2020年
- 采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波超软赝势法,对不同离子浓度配比的Fe掺杂LiMgP新型稀磁半导体进行结构优化,计算并分析了体系的电子结构、半金属铁磁性、重叠电荷布局及体心离子附近各离子的电参数。结果表明Fe掺杂LiMgP能够得到性能优良的半金属铁磁体,具有大的半金属能隙及可控的电磁性质,有望成为一种极具应用潜力的自旋电子学器件材料。纯LiMgP体系中化学键为极化的共价键,Fe的掺入形成了比Mg-P更强的Fe-P共价键,表现出优异的半金属铁磁性且具有大的半金属能隙0.500 eV,Fe离子与Li、Mg、P3种离子之间的相互作用使得它们的轨道电子数减少。Li过量时,形成能最低,结构最稳定,带隙值较单掺Fe时明显减小,而体系的半金属性明显减弱,填隙的Li原子使得轨道之间的相互作用减弱,Fe-P键的重叠电荷布局和体系净磁矩的值最小。Li不足时体系变为金属铁磁性,体系中离子的轨道电子数最少,参与轨道杂化的电子数最多,Fe和P原子之间的电子云分布最密集且共用电子对偏移程度最小,Fe-P键重叠电荷布局达到最大值0.78,键长达到最小值,体系净磁矩最大。
- 陈婷庞军何红杜颖妍向朝凯贾倩刘焦于越杜成旭毋志民
- 关键词：半金属铁磁性
