任妙娟
- 作品数：19 被引量：22H指数：3
- 供职机构：济南大学理学院更多>>
- 发文基金：博士科研启动基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- TiN基磁性薄膜的研究被引量：6
- 2004年
- 用射频磁控溅射技术制备了TiN掺Co的薄膜样品。400℃真空退火后,振动样品磁强计测量(VSM)表明,样品在室温下具有显著的铁磁性。其饱和磁化强度为2.93×108A/m,饱和磁场强度约160kA/m,矫顽力32kA/m。超导量子干涉仪(SQUID)测量M-T曲线得出其居里温度在360K以上,X射线衍射实验表明样品具有TiN样品的衍射峰。利用四探针测试仪测量电阻率得出ρ=4.824×10-5Ω·m。
- 宋红强陈延学任妙娟季刚张云鹏
- 关键词：磁控溅射TIN磁性薄膜自旋电子学
- 掺Nd钒酸盐晶体热导率的拉曼光谱研究
- 2006年
- 运用晶格动力学观点推导了热导率与积分拉曼散射强度的关系,测量了Nd:YVO4(简称NYV)和Nd:GdVO4(简称NGV)不同配置下的高温拉曼光谱和其a、c向的热导率,理论与实验非常吻合。
- 赵朋张海昆鸟苏燕周城任妙娟张仲
- 关键词：拉曼光谱热导率
- 数学物理方法的渗透式教学被引量：5
- 2010年
- 数学物理方法教学中运用渗透式教学有着重要的意义。本文从生活与数学物理方法之间的渗透,物理与数学之间的渗透,内容与思维方法之间的渗透,以及教学手段对学生的影响几个方面阐述了如何在数学物理方法教学中运用渗透式教学。
- 任妙娟赵朋张仲
- 关键词：渗透式教学数学物理方法
- Co/Al_2O_3/FeNi隧道结的中间层厚度对其输运特性的影响
- 2005年
- 制备了不同Al2O3厚度的Co/Al2O3/FeNi隧道结,并在77K温度下测量了其输运特性。发现随着厚度的增加,TMR下降。但是当Al2O3厚度降为2nm时,磁电阻不再出现典型的双峰曲线,而是呈现高阻和低阻两个状态。测量了隧道结的TMR随外加电压的变化、伏安特性曲线、电阻随温度的变化曲线,综合所有因素,在文中制备条件下,Al2O3厚度为4nm时,隧道结性能最好。
- 任妙娟陈延学张海鹍
- 关键词：凝聚态物理隧道结输运特性
- ZnCoO磁性半导体的研究
- 磁性半导体通常是利用对半导体进行过渡金属元素掺杂的方法获得的。近年来,GaMnAs和TiCoO磁性半导体的研究取得了很大的进展,但前者掺杂浓度不高且居里点偏低。对于后者,似乎越来越多的证据表明其磁性是由Co颗粒引起的。理...
- 颜世申梅良模陈延学任妙娟张云鹏
- 关键词：磁性半导体ZNOZNCOO磁电阻
- 文献传递
- 磁控溅射制备Co/Cu/FeNi三端结器件
- 2003年
- 用磁控溅射及光刻工艺制成了5μm×5μm的Co/Cu/FeNi三端结器件,测量了不同注入电流下样品的输出电压与外磁场的关系,发现其输出电压与外磁场的关系曲线表明样品具有自旋相关的双极输出信号,双极输出信号可达17μV。测量了输出电压与注入电流的关系,发现二者在电流比较小时呈线性变化,当电流比较大时偏离线性。
- 任妙娟季刚陈延学宋红强梅良模刘宜华
- 关键词：磁控溅射双极性输出自旋晶体管
- H_2分子器件电子输运性质的模拟计算
- 2007年
- 理论计算H2分子在一维Pt链电极间形成的分子桥的伏安特性和电导,结果表明在两端金属电极作用下,H2分子的能隙减小,使得体系导电性能提高。
- 赵朋张仲李峰任妙娟李晓
- 关键词：分子电子学电子输运
- （ZnO/Co）<,n>的制备、结构和物性
- 目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素掺杂.这种搀杂方法可能通过二种不同的机制来实现载流子的自旋极化:其一是以O离子为中介,使得其近邻的搀杂过渡族磁性离子之间形成双交换作用,而得到可迁移的自旋极化的载流子...
- 任妙娟
- 关键词：磁性半导体磁特性输运特性光学特性
- 文献传递
- 取代基对分子线电子性质的影响
- 2007年
- 采用Gaussian98量子化学软件中的AM1方法,分别计算不同取代基下分子线的电子结构。通过对最低未占有轨道(LUMO)形状的分析,研究了不同取代基对分子线电子性质的影响。结果显示吸电子基可以引起LUMO的定域化,从而对分子线的电子输运产生了影响。
- 赵朋张仲李峰任妙娟李晓
- 关键词：分子电子学分子线电子输运
- 亚纳米复合法制备氧化锌基磁性半导体材料的方法
- 亚纳米复合法制备ZnO基磁性半导体薄膜材料的方法，属于电子材料技术领域。利用磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积或者激光分子束外延方法在衬底上将亚纳米厚度的过渡金属和ZnO宽禁带半导体层交替沉积，在原子尺度进行复合形成磁性...
- 梅良模颜世申陈延学任妙娟季刚
- 文献传递
