何英
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：聊城大学物理科学与信息工程学院更多>>
- 发文基金：山东省教育厅科技计划项目国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 生长温度对ZnO薄膜晶体质量和发光特性的影响被引量：2
- 2009年
- 采用激光脉冲沉积法在Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,衬底温度分别为室温,200℃,300℃,400℃和500℃。用X射线衍射仪、拉曼光谱、扫描电子显微镜对薄膜的微结构进行了测量,并测量了室温下薄膜的光致发光特性。结果表明,300℃时,ZnO具有最佳择优取向,随着衬底温度升高,衍射峰半峰全宽减小,薄膜晶粒尺寸增大,400℃时,薄膜具有各向等大的晶粒尺寸。同时拉曼谱结果显示,薄膜内部的缺陷随衬底温度变化无明显差别,应力表现为张应力,400℃时应力最小,紫外发光峰在衬底温度为400℃时最强,而黄绿光带最弱。在减少薄膜缺陷,提高择优长向和晶粒尺寸的同时,使晶粒横向尺寸和纵向尺寸尽可能相同,可极大提高薄膜的发光特性。
- 张栋王长征何英
- 关键词：薄膜光学ZNO薄膜光致发光谱衬底温度
- 基片温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响
- 2009年
- 采用对靶直流反应磁控溅射方法,在不同温度的Si(100)基片上制备了一系列的ZnO薄膜.利用X射线衍射仪和荧光分光分度计对ZnO薄膜的结构和发光性能进行了研究.结果表明:所有的ZnO薄膜都具有六角纤锌矿结构,且都表现出了(002)织构.随基片温度增加,ZnO薄膜结晶质量提高,其颗粒尺寸单调增加,并且薄膜应力状态发生改变,由压应力转变为拉应力.同时光致发光谱实验结果表明:室温沉积的ZnO薄膜出现了365 nm和389 nm的紫外双峰,并且出现了弱的蓝光发射带.随着基片温度升高到350℃,365 nm附近的紫外峰红移到373nm,并且强度增强,而389 nm处的紫外峰强度明显减弱.当基片温度增加到500℃时,373 nm的发光峰强度减弱并蓝移到366 nm处,蓝光带强度减弱并红移到430 nm^475 nm处,并且出现了396 nm的近紫峰.
- 何英王长征张培明张栋
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射基片温度光致发光
- 含纳米硅二氧化硅薄膜紫光发射特性
- 利用激光分子束外延系统在Si(100)衬底上,温度为1000℃,分别在真空、氧压为0.1Pa、1.0Pa和10Pa的条件下制备了含纳米硅二氧化硅薄膜。通过X射线衍射可以发现:在制备的薄膜中含有不同结构的硅晶颗粒。在真空和...
- 张培明王长征张栋何英
- 关键词：二氧化硅薄膜光致发光激光分子束外延硅衬底
- 文献传递
