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冯兰

作品数：6 被引量：33H指数：1
供职机构：上海交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇材料芯片
  • 3篇掩膜
  • 3篇分形
  • 2篇数值模拟
  • 2篇芯片
  • 2篇溅射
  • 2篇板料
  • 2篇板料成形
  • 2篇值模拟
  • 1篇金属板
  • 1篇金属板料
  • 1篇金属板料成形
  • 1篇成形极限图
  • 1篇磁光

机构

  • 6篇上海交通大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇冯兰
  • 5篇蔡英文
  • 4篇顾明
  • 3篇何丹农
  • 3篇余震
  • 1篇陈良尧
  • 1篇李晶
  • 1篇张桂林
  • 1篇王松有

传媒

  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇塑性工程学报

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
制备材料芯片的K分分形掩膜策略
2004年
研究了制备由K个水平(元素含量)的任意n种元素所组合的材料芯片的掩膜策略，即K分分形的掩膜策略，它不仅弥补了以往掩膜策略的缺陷，而且具有普遍适用性和更高的灵活性。
冯兰顾明蔡英文
关键词：材料芯片分形掩膜
板料成形的数值模拟以及逆向建模的研究
本文首先通过数值模拟圆筒件成形过程，通过分析原始板料上某一点的位移、厚向剪薄量以及冲头的最大拉深力，着重研究板料的成形性能随着各项材料参数的变化规律，为进一步优化复杂成形过程提供参考;接着本文主要对帕萨特汽车后行李箱覆盖...
冯兰
关键词：板料成形数值模拟
制备材料芯片的k分分形掩膜方法
一种制备材料芯片的k分分形掩膜方法，本发明以所需制成的材料芯片中元素的最大水平数k为依据，首先将基本掩膜分成k或(k+1)个中心对称的区域，即k分分形，其中之一被设为通透状态，将所得掩膜依次向同一方向旋转360°/k，每...
冯兰顾明蔡英文何丹农余震
文献传递
金属板料成形数值模拟的研究现状被引量：33
2004年
本文对板料成形数值模拟的几个主要研究方向 :有限元算法、接触与摩擦、成形极限图、缺陷等的研究现状进行了介绍 。
冯兰蔡英文何丹农余震
关键词：成形极限图
六元磁光材料芯片的制备与检测
2004年
推广和发展了一种二分掩膜方法,采用这种方法,使得通过n次实验可以既不重复也不遗漏地得到所用n种元素的所有可能组合,即2n个全不相同的芯片单元,并论证了其惟一性.对于离子束溅射沉积的CoAg薄膜,采用组合离子注入技术制备了由Fe、Mn、Ga、Cu4种元素所组成的磁光芯片.在1T的恒定磁场条件下,系统地测试了芯片各单元在不同退火条件下的磁光克尔谱.结果表明,采用薄膜与组合离子注入相结合的方法,可以快速、有效、低成本地发现新型磁光存储颗粒膜材料候选体系.
蔡英文顾明冯兰张桂林王松有李晶陈良尧
制备材料芯片的k分分形掩膜方法
一种制备材料芯片的k分分形掩膜方法，属于材料芯片领域。本发明以所需制成的材料芯片中元素的最大水平数k为依据，首先将基本掩膜分成k个中心对称的区域，即k分分形，其中之一被设为通透状态，将所得掩膜依次向同一方向旋转360°/...
冯兰顾明蔡英文何丹农余震
文献传递
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