刘志锋
- 作品数:12 被引量:22H指数:4
- 供职机构:重庆大学物理学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金新疆维吾尔自治区高校科研计划新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>
- CoB_n(n≤19)团簇结构、电子性质和磁性的密度泛函理论研究被引量:5
- 2012年
- 采用密度泛函理论中的广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA)方法,对不同自旋多重度的CoB_n(n≤19)团簇的平衡几何结构、电子性质和磁性进行了研究.表明结果随着尺寸的增加,CoB_n(n≤19)团簇最低能量结构从平面结构逐步演变为立体结构,Co从主团簇的外部向内部转移.团簇最低能量结构的二阶能量差分表明CoB_3、CoB_7、CoB_(10)、CoB_(12)、CoB_(14)和CoB_(16)团簇较相邻团簇稳定.Co的掺杂增强了硼团簇的化学活性.最低能量结构中Co的d轨道和B的p轨道存在着明显的杂化.当n<13,Co处于主团簇的外部时,Co的带电量为正,Co具有磁矩.当n≥13,Co处于主团簇的内部时,Co的带电量为负,Co的磁矩几乎为零.团簇最低能量结构的总磁矩主要来自Co的3d轨道的贡献,且总磁矩随团簇尺寸增大呈现奇偶振荡.
- 刘火雁雷雪玲刘志锋刘立仁祝恒江
- 关键词:最低能量结构密度泛函理论
- 基于笼状团簇组装的新材料设计及物性研究
- 随着实验技术水平的不断进步,利用纳米团簇以“自下而上”的方式,组装得到人们需要的具有特定功能的材料已成为可能。与普通材料(以原子为基本构成单元)相比,团簇组装材料在性质和功能的调制上具有双重可控的优势----构成单元(基...
- 刘志锋
- 关键词:凝聚态物理纳米材料
- Asn(n=2~12)团簇几何结构和电子性质的DFT研究
- 采用DFT(Density-function theory)下的B3LYP方法研究了Asn(nF2~12)团簇的平衡几何结构,基态团簇的相对稳定性及电子性质。结果表明,n≥5时团簇易于形成四元环和五元环结构单元,从As6...
- 刘志锋雷雪玲陈杭刘立仁祝恒江
- 关键词:平衡几何结构振动光谱极化率
- As_n(n=2-12)团簇几何结构和电子性质的DFT研究被引量:2
- 2010年
- 采用DFT(Density-function theory)下的B3LYP方法研究了Asn(n=2-12)团簇的平衡几何结构,基态团簇的相对稳定性及电子性质.结果表明,n≥5时团簇易于形成四元环和五元环结构单元,从As6开始团簇的基态以层状结构居多.团簇的平均束缚能、离解能、能量二阶差分、前线轨道能级以及能隙均表明As2、As4和As8为幻数团簇.最后,计算分析了基态团簇的振动频率,红外和拉曼光谱以及极化率,得到As4拉曼光谱峰值对应的谐振频率与实验值符合较好.
- 刘志锋雷雪玲陈杭刘立仁祝恒江
- 关键词:平衡几何结构振动光谱极化率
- 超原子及其组装材料
- 2012年
- 近年来,在团簇物理学中出现了超原子这一新兴研究方向。本文结合超原子已有的实验和理论研究,简单介绍了超原子概念及其发展历程,论述了超原子研究的范畴、目的和意义,分析了超原子及其组装材料的研究现状及潜在研究课题。
- 刘志锋祝恒江
- 关键词:团簇
- 砷化硼及砷化铟团簇结构、稳定性和电子性质的理论研究
- III-V族低维半导体材料,在纳米光电子学、集成电路和纳米器件等方面有着极为重要的作用。近几十年来,人们在III-V族半导体薄膜、超晶格、纳米管和量子点的实验及理论研究中取得了巨大的进步,但截止目前,对于III-V族砷化...
- 刘志锋
- 关键词:电子性质
- FeB_N(N≤15)团簇结构、电子性质和磁性的密度泛函理论研究被引量:5
- 2011年
- 采用密度泛函理论中的广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA)方法,对不同自旋多重度的FeB_N(N≤15)团簇的平衡几何结构、电子性质和磁性进行了研究.团簇基态结构的平均结合能、二阶能量差分和能隙均表明FeB_3、FeB_8、FeB_(12)和FeB_(14)团簇较相邻团簇稳定.团簇基态结构中Fe原子的d轨道和B原子的p轨道存在着明显的杂化.团簇基态结构的总磁矩主要来自Fe原子3d轨道的贡献,且总磁矩随团簇尺寸增大呈现奇偶振荡.
- 刘火雁雷雪玲陈杭刘志锋刘立仁祝恒江
- 关键词:基态结构密度泛函理论
- In_nAs_n(n=1~20)小团簇几何结构与电子性质的第一性原理研究被引量:1
- 2012年
- 基于密度泛函理论的第一性原理方法,采用B3LYP下的赝势基组LanL2DZ,研究了In_nAs_n(n=1~20)团簇的基态几何结构、相对稳定性、电子性质及其振动光谱.结果表明,当n=5~11时团簇的基态构型为层状结构;当n=12~20时团簇的基态构型为笼状结构.团簇平均结合能、二阶能量差分和HOMO-LUMO能隙均在n=9,12,18出现极大值,说明In_9 As_9、In_(12) As_(12)和In_(18) As_918)为幻数团簇.另外,HOMO-LUMO能隙的计算结果表明In_nAs_n(n=1~20)团簇具有宽带隙半导体特征.
- 邹艳波刘志锋刘立仁吴鹏祝恒江
- 关键词:电子性质
- InAs管状团簇及单壁InAs纳米管的结构、稳定性和电子性质(英文)被引量:4
- 2011年
- 采用密度泛函理论研究了InnAsn (n≤90)管状团簇以及单壁InAs纳米管的几何结构、稳定性和电子性质. 小团簇InnAsn (n=1-3)基态结构和电子性质的计算结果与已有报道相一致. 当n≥4时优化得到了一族稳定的管状团簇, 其结构基元(In原子与As原子交替排列的四元环和六元环结构)满足共同的衍化通式. 团簇的平均结合能表明横截面为八个原子的管状团簇稳定性最好. 管状团簇前线轨道随尺寸的变化规律有效地解释了一维稳定管状团簇的生长原因, 同时也说明了实验上之所以能合成InAs纳米管的微观机理. 此外, 研究结果表明通过管状团簇的有效组装可得到宽带隙的InAs半导体单壁纳米管.
- 刘志锋祝恒江陈杭刘立仁
- 关键词:密度泛函理论稳定性电子性质
- InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究被引量:1
- 2012年
- 利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性.几何结构分析表明,In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2(p=6,8,10,k=3,4,···,11)双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式,并得到In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2双壁管状团簇及(m,n)@(2m,2n)(m=n=3,4,5)型InAs纳米管的管径公式.电子特性的计算结果表明:[6,k]@[12,k+2]型管状团簇和(3,3)@(6,6)型纳米管稳定性最高;利用前线轨道随尺寸的变化规律,得到InAs双壁管状团簇的生长机理,阐明实验合成InAs纳米管的微观机理;态密度和能带研究结果表明,InAs双壁管状团簇及双壁纳米管都具有半导体特性.
- 吴鹏刘立仁祝恒江邹艳波刘志锋
- 关键词:态密度