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刘昌

作品数：39 被引量：70H指数：3
供职机构：武汉大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 8篇理学
  • 7篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇发光
  • 7篇半导体
  • 6篇衬底
  • 5篇导体
  • 5篇白光
  • 4篇异质结
  • 4篇外延层
  • 4篇晶体
  • 4篇晶体质量
  • 4篇空心球
  • 4篇空心球壳
  • 4篇二极管
  • 4篇发光二极管
  • 3篇离子
  • 3篇离子注入
  • 3篇绿光
  • 3篇光催化
  • 3篇光催化活性
  • 3篇光谱
  • 3篇非极性

机构

  • 38篇武汉大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇日本产业技术...

作者

  • 39篇刘昌
  • 19篇吴昊
  • 8篇张恒
  • 7篇梅菲
  • 6篇李慧
  • 3篇王倜
  • 3篇方佑龄
  • 3篇刘福庆
  • 3篇赵文宽
  • 2篇林颖
  • 2篇陈超
  • 2篇付秋明
  • 2篇张蕾
  • 2篇胡翎
  • 2篇范湘军
  • 2篇郭怀喜
  • 2篇彭友贵
  • 2篇周磊
  • 2篇刘博
  • 2篇叶明生

传媒

  • 3篇第二届中国可...
  • 2篇武汉大学学报...
  • 1篇化学学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇电子科学学刊
  • 1篇2004全国...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 8篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇1997
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
红外吸收掺杂硅及其制备方法
本发明提供一种红外吸收掺杂硅及其制备方法。本发明所涉及的制备方法，其特征在于，包括：步骤1.采用TRIM程序模拟不同种类离子注入硅片的离子分布，模拟的离子种类选自能B<Sup>+</Sup>、P<Sup>+</Sup>、...
刘昌李慧张恒张定波吴昊
文献传递
一种电致发光二极管的制备方法
本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素中任意两种或三种的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极。通过分子束外延、金属有机化学气相沉积方法、离子注入...
刘昌张蕾梅菲刘福庆
文献传递
一种电致发光二极管的制备方法
本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极后形成电致发光二极管。该电致发光二极管在施加一定的驱动电压时，从反向...
刘昌张蕾梅菲刘福庆
文献传递
一种Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>空心球壳阵列的制备方法
本发明公开了一种Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>空心球壳阵列的制备方法，包括：(1)采用原子层沉积法在球模板或球阵列模板上沉积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜；所述球模板为...
张恒刘昌吴昊
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一种橙黄光LED器件及其制备方法和应用
本发明涉及一种橙黄光LED器件及其制备方法和应用，该橙黄光LED器件包括：衬底、沉积在衬底表面的掺杂有氧化锂的氧化镍原子层沉积层以及沉积在氧化镍原子层沉积层表面的氧化锌原子层沉积层。相比于有机荧光材料制备橙黄光LED器件...
苏曦吴昊徐红星刘昌
一种Micro-LED制备方法
本发明公开了一种Micro‑LED制备方法，首先在玻璃基板或者有机柔性衬底上，镶嵌由薄膜晶体管和存储电容构建的驱动电路板；然后将白光半导体芯片通过巨量转移到玻璃基板或者有机柔性衬底上，并使每个白光芯片连接到一个由薄膜晶体...
刘昌林颖
文献传递
一种能直接发射白光的半导体异质结发光芯片
本发明提供了一种能直接发射白光的半导体异质结发光芯片，采用n型ZnO作为n型层，p型GaN材料作为p型层，在两者之间选择了合适的材料作为穿通阻挡层对异质结能带进行调控，使异质结能够同时发出同等强度的黄、绿光和蓝光，同时通...
刘昌苏曦吴昊
文献传递
低温薄膜晶体管的制备方法
本发明提供了一种低温薄膜晶体管的制备方法，无需退火就能够制备出面积大而均匀、并且性能优良的薄膜晶体管，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.将沉积有导电薄膜的衬底放入ALD反应室中，然后进行抽真空及升温处理；步骤2.于室温～...
吴昊陈雪张国祯刘昌
文献传递
一种在硅衬底上生长非极性m面氧化锌的方法
本发明涉及一种在硅衬底上生长非极性<I>m</I>面ZnO的方法。以硅为衬底，二乙基锌和去离子水分别作为锌源和氧源，氮气作为锌源、氧源的载气；将反应生长室抽真空至10Pa以下，室温～300℃下，先通入二乙基锌，接着用氮气...
刘昌王倜吴昊陈超
红外吸收掺杂硅及其制备方法
本发明提供一种红外吸收掺杂硅及其制备方法。本发明所涉及的制备方法，其特征在于，包括：步骤1.采用TRIM程序模拟不同种类离子注入硅片的离子分布，模拟的离子种类选自能B<Sup>+</Sup>、P<Sup>+</Sup>、...
刘昌李慧张恒张定波吴昊
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