卢学坤
- 作品数：22 被引量：22H指数：3
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家教委资助优秀年轻教师基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究
- 1997年
- 本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性．
- 徐阿妹朱海军毛明春蒋最敏卢学坤胡际璜张翔九
- 关键词：半导体砷化镓硅
- P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应
- 1992年
- 本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集团。集团中部分P与衬底Ga原子成键,另一部分P则以单质形式存在,继续提高温度退火,将使P集团中的P全部与衬底发生反应生成GaAsP薄层。在高温GaAs衬底上淀积P,将得到GaAsP固溶体薄层。这一薄层有望成为GaAs表面理想的钝化膜。
- 卢学坤郝平海贺仲卿侯晓远丁训民
- 关键词：磷砷化镓相互作用温度相关
- 硫化物钝化GaAs表面的研究进展
- 1991年
- 叙述用硫钝化GaAs表面的研究动态,包括表面处理工艺,已取得的效果及表面钝化的机理,并指出今后的研究内容。
- 许春芳卢学坤
- 关键词：GAAS硫化物钝化半导体材料
- Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验被引量：2
- 1995年
- 设计了一种新结构的Ｇｅ_ｘＳｉ_（１－ｘ）／Ｓｉ近红外探测器，它是在ｐ－Ｓｉ衬底上分子束外延生长２μｍ厚的Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）本征层，再在其表面离子注入形成一薄层ｎ＋层，腐蚀成台面后，构成Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）／Ｓｉｐ－ｉ－ｎ型的近红外探测器。试验表明，它具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光电特性。
- 李国正张浩高勇刘西钉刘恩科张翔九卢学坤王迅
- 关键词：红外探测器分子束外延离子注入
- 氧在GaP()上的初级吸附阶段被引量：1
- 1990年
- 采用多种表面分析手段,系统地研究了氧在GaP(Ⅲ)上的吸附,发现氧的初级吸附在1×10~4L时就已饱和,获得了有关这一阶段表面电子结构的变化、表面能带弯曲、化学吸附反应等方面的信息,发现这一吸附阶段与表面缺陷有关,适当地加热处理则可能将缺陷和氧一同去除,因此这有可能成为一种有效的、去除缺陷的表面工程手段。
- 肖撼宇卢学坤董国胜丁训民陈平
- 关键词：氧GAP
- 同步辐射X射线衍射研究Si中δ掺杂(Sb)结构被引量：2
- 1996年
- 半导体中掺杂是控制半导体的光电性能的手段,杂质在半导体中的浓度和分布等结构参数与材料的物理性质直接相关。随着分子束外延等材料生长技术的发展,新型的半导体材料如超晶格已经广泛地吸引了人们的注意。δ掺杂是近年来国际上出现的又一种新的结构,它可减少二维电子(空穴)气系统中的杂质离子散射,在科学和技术应用上都有重要意义。 δ掺杂样品中的杂质离子仅分布在几个纳米的尺度内,一些常用的结构成分分析方法难以进行检测。如Rutherford背散射(RBS)、中能离子散射(MEIS)只对浓度原子百分比大于10^(-2)％杂质敏感,而二次离子质谱(SIMS)的空间分辨一般为3μm左右。X射线是检测物质结构的有效方法,常规光源的强度不足以测量到足够的衍射振荡来分析δ掺杂的结构。同步辐射光源是高亮度的X射线光源,它已成功地用来测量δ掺杂的结构。 北京同步辐射装置漫散射实验站所用光源来自4W1C光束线,X光经一块压弯的三角形硅单晶单色化并水平聚焦后,再由一块全反射柱面镜进行垂直聚焦和滤去高次谐波,在样品处得到光斑大小为0.3mm×0.5mm、垂直发散度为0.1m rad的单色光。本实验中,三角弯晶为Si(111),所得的单色光波长为0.154nm。衍射平面在垂直方向,以利用同步光的水平偏振和垂直发散度小的特点。
- 修立松姜晓明郑文莉卢学坤蒋最敏张翔九王迅
- 关键词：X射线衍射Δ掺杂硅
- Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制被引量：1
- 1996年
- 在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％
- 高勇李国正刘恩科赵策洲刘西钉张翔九卢学坤王迅
- 关键词：定向耦合器
- 半导体异质结界面能带排列的实验研究被引量：5
- 1991年
- 本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。
- 卢学坤王迅
- 关键词：半导体异质结
- 用原位电子能谱研究Ⅲ—Ⅴ族半导体表面与界面
- 卢学坤
- 9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器被引量：1
- 1994年
- 用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．
- 龚大卫卢学坤卫星杨小平胡际璜盛篪张翔九王迅周涛叶红娟沈学础
- 关键词：异质结锗硅合金红外探测器
