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史伟莉

作品数：7 被引量：4H指数：1
供职机构：中北大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇微加速度计
  • 7篇加速度
  • 7篇加速度计
  • 5篇灵敏度
  • 5篇敏度
  • 5篇晶体管
  • 4篇场效应
  • 3篇HEMT
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇线性度
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇MESFET
  • 2篇GAAS
  • 1篇电学参数
  • 1篇悬臂
  • 1篇悬臂梁
  • 1篇偏压

机构

  • 7篇中北大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 7篇史伟莉
  • 6篇薛晨阳
  • 6篇刘俊
  • 5篇张文栋
  • 5篇谭振新
  • 3篇张斌珍
  • 2篇贾晓娟
  • 2篇侯婷婷
  • 1篇唐军
  • 1篇唐建军
  • 1篇田学东
  • 1篇臧俊斌
  • 1篇胡全忠
  • 1篇王勇
  • 1篇李长龙

传媒

  • 3篇仪表技术与传...
  • 1篇测试技术学报

年份

  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于纳米场效应结构的微加速度计的研究
本论文开展对具有纳米场效应结构的半导体器件嵌入式微纳机械结构高灵敏传感研究。理论研究主要是微纳机械结构形变与半导体器件载流子输运耦合机理研究，通过分子动力学方法研究半导体器件悬臂梁内应力与外作用力的关系，研究悬臂梁内应力...
史伟莉
关键词：高电子迁移率晶体管灵敏度
文献传递
基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试
2010年
利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计结构,利用惠斯通电桥测试电路,检测不同载荷下的输出特性,验证了微加速度计的力电耦合效应.测试结果表明,该微加速度计的线性度较好,其最大加载范围可达到24 g,且饱和区的灵敏度可达到4.5 mV/g,为高灵敏微传感器的研究奠定了一定的基础.
谭振新薛晨阳侯婷婷贾晓娟史伟莉刘俊张文栋
关键词：MESFETGAAS灵敏度线性度微加速度计
Si基HEMT嵌入式微加速度计及其生产方法
本发明提供了一种Si基HEMT嵌入式微加速度计，包括Si衬底，所述Si衬底包括由刻蚀形成的外围基座、悬臂梁和质量块构成的微加速度计结构；所述Si衬底在高电子迁移率晶体管(HEMT)的加工位置处具有HEMT材料层薄膜，并且...
刘俊唐军薛晨阳张斌珍张文栋田学东李长龙史伟莉谭振新臧俊斌
文献传递
HEMT高灵敏度微加速度计的设计与测试
2012年
根据压阻传感原理设计了GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件与Si基悬臂梁-质量块结构集成的微加速度。通过ANSYS结构应力仿真,GaN基HEMT作为敏感单元置于微悬臂梁结构根部的应力最大处。同时对微加速度计的关键研制工艺进行了设计和研究,成功制备出具有力电耦合特性的传感结构。并且测试了微结构在静态0～10g的惯性测试,结果表明GaN基HEMT器件具备明显的力电耦合效应,该微加速度计的灵敏度为0.24 mA/g,线性度为12.4%,适合研制高灵敏度的微加速度计。
史伟莉薛晨阳唐建军王勇刘俊张文栋
关键词：HEMTGAN微加速度计高灵敏度
基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试
利用金属-半导体结型场效应晶体管(MESFET)作为微加速度计的敏感单元,设计一种4梁-质量块微加速度计结构.通过ANSYS分析软件进行仿真,敏感单位放置于悬臂梁根部的应力最大处,以获得最大的灵敏度.将封装好的微加速度计...
谭振新薛晨阳侯婷婷贾晓娟史伟莉刘俊张文栋
关键词：场效应晶体管灵敏度线性度微加速度计
偏压对HEMT嵌入式微加速度计电学参数的温度特性影响被引量：3
2011年
研究了HEMT嵌入式微加速度计在不同偏压下的温度效应。研究结果表明由于选择的偏压不同,输出电流的温度系数大小不同。其主要原因是漏极电流的温度效应由迁移率的温度系数和阈值电压的温度系数共同决定,两种效应一正一负,根据选择偏压大小,可以调整各自的贡献,确定合适的工作点,从而减小电学参数的温度漂移,甚至可以使某些电学参数的温度系数为零。因此,以HEMT作为微传感器的敏感单元,可以在较宽的温度范围内工作,解决由于温度的影响所带来的测量误差,为温度难以控制的恶劣环境的测试提供一定的依据。
谭振新薛晨阳史伟莉胡全忠刘俊张斌珍
关键词：场效应晶体管温度系数
沟道角度对微加速度计性能的影响被引量：1
2012年
通过设计与悬臂梁呈不同角度的沟道,对GaAs基金属半导体场效应晶体管(MESFET)的微加速度计的输出特性进行了初步测试研究。设计了GaAs MESFET的材料层结构并采用四梁固支结构。通过表面浅工艺加工出GaAs MES-FET微加速度计。将敏感单元GaAs MESFET嵌入四梁靠近根部的位置。设计了3种不同的沟道角度,分别与悬臂梁呈45°、90°、0°,通过实验定量分析了GaAs MESFET在受到外力时,不同沟道角度的GaAs MESFET加速度计的灵敏度,且0°时灵敏度最高。最终指导传感器的优化设计,为进一步提高微加速度计的灵敏度奠定基础。
史伟莉薛晨阳谭振新刘俊张斌珍张文栋
关键词：金属半导体场效应晶体管灵敏度
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