吉晓瑞
- 作品数：27 被引量：41H指数：3
- 供职机构：沈阳工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程电气工程一般工业技术更多>>
- 三线摆不同材质摆线对测量结果的影响被引量：1
- 2022年
- 三线摆用不同材质的摆线,会对实验结果产生不同程度的影响,摆线会出现共振。分别用鱼线和尼龙线作为摆线,对比忽略摆线伸长和考虑伸长,测量圆环和电木盘在不断增加质量情况下,周期和百分误差的变化。对实验结果进行分析。
- 王帅坤吉晓瑞吕柳杏牛俊翔王兴云祁遇时
- 关键词：三线摆
- 一种具有防风性能的光伏电板及其使用方法
- 本发明公开了一种具有防风性能的光伏电板及其使用方法，涉及光伏电板技术领域，解决了光伏电板倾斜安装在地表上，在外界风力过大时倾斜安装的光伏电板的风阻较大，容易被大风吹飞或损坏的问题。一种具有防风性能的光伏电板及其使用方法，...
- 刘丽梅史书慧林洪生吉晓瑞张敏夫陈钢王琪李昕姝计倩
- sol-gel法合成WO_3薄膜的前驱溶液制备过程讨论被引量：2
- 2011年
- 以钨粉和H2O2为原料,采取sol-gel法制备WO3电致变色薄膜时,前驱体溶液的制作需要强烈搅拌,才能使钨粉颗粒充分氧化,而且溶液要进行一定程度的蒸馏,才能达到一定浓度.这里在制作前躯体溶液过程中,对反应溶液进行了搅拌和不搅拌2种操作,以对比观察钨粉被氧化的情况.同时对蒸馏过程中遇到的问题进行了讨论.
- 吉晓瑞
- 关键词：SOL-GEL法蒸馏
- 六方氮化硼的结晶度对合成立方氮化硼的影响
- 2011年
- 将3种不同初始结晶度的六方氮化硼(h-BN)分别与Li3N按一定比例混合,在低于立方氮化硼(c-BN)的合成温度和压力条件下,采用高温、高压预处理方式,使3种h-BN的结晶度发生改变。对不同预处理条件下得到的h-BN进行X射线衍射分析,确定了结晶度的变化程度。用不同结晶度的h-BN作为初始原料合成c-BN,观察并分析了h-BN向c-BN转化时微观结构的变化以及h-BN的结晶度对合成c-BN的影响。实验结果表明,结晶度低的h-BN更容易合成c-BN。
- 吉晓瑞杨大鹏杨晓红张铁臣
- 关键词：H-BN结晶度C-BN
- NH_4F对Li_3N-hBN体系中合成CBN晶体的影响被引量：3
- 2007年
- 本文研究了在Li3N-hBN体系中加入不同量的NH4F后,对CBN晶体的合成的影响。结果表明,加入NH4F后,合成压力降低了约20%。分析以NH4F和Li3N混合粉末为原料的实验结果后推测:在高温高压条件下NH4F首先会分解为NH3和HF,HF进一步和Li3N反应生成更加稳定的LiF和NH3,其化学反应式可以写成:3NH4F+Li3N=3LiF+4NH3,这一过程通过X光衍射分析实验产物得到证实。为了考察LiF在合成立方氮化硼过程中的作用,我们用Li3N和NH4F反应所制得的LiF单独作触媒,在LiF-hBN体系中进行了CBN晶体的合成实验,结果表明在上述压力温度条件下,没有CBN晶体生成,即LiF不宜单独做触媒。尽管在NH4F与Li3N反应消中耗了Li3N-hBN体系中的作为触媒的Li3N,但是,合成压力仍有较大幅度的降低,表明少量氨的存在,使CBN晶体的形成更加容易。
- 宫希亮杨大鹏杜勇慧苏作鹏吉晓瑞杨旭昕张铁臣
- 关键词：CBN
- 准八面体CBN单晶的合成研究被引量：1
- 2007年
- 通过对原料、触媒及合成工艺的研究，采用国产DS-029B型六面顶压机在4．2—5．3GPa，1350。1470℃的范围内，从hBN-单质触媒体系中合成出近乎完美的黑色八面体和截角八面体立方氮化硼单晶体。确定了该种形态的CBN晶体的生长区域。CBN晶体的尺寸在100—400μm，峰值粒度为125—150μm。对所得的晶体进行考察，发现这种CBN晶体结晶形貌发育比较完整、棱角尖锐、晶粒饱满，并且有较高的抗压强度。上述结果表明所用的单质触媒具有使CBN晶体均匀生长的能力，是一种合成CBN晶体的有效触媒，该种CBN晶体具有较好的破碎强度。
- 杨旭昕杜勇慧杨大鹏吉晓瑞苏作鹏宫希亮张铁臣
- 关键词：八面体
- 立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法
- 本发明涉及一种立方氮化硼单晶-薄膜同质P-N结的制备方法，属于半导体元件的制备方法。该方法包括有合成半导体特性的立方氮化硼单晶片和制备掺杂的立方氮化硼薄膜，该立方氮化硼薄膜与立方氮化硼单晶片的半导体特性相反，所述的合成半...
- 杨大鹏李红东吉晓瑞杨旭昕李英爱张铁臣
- 文献传递
- 高温高压合成立方氮化硼的热力学分析被引量：2
- 2009年
- 从热力学角度计算出了以六角氮化硼为原料、用高压触媒法合成立方氮化硼时所形成稳定的临界晶粒半径rk的大小,当p=6.0 GPa、T=1600℃时,rk≈15 nm。分析了rk的大小与合成温度、压力的关系,以及在给定压力下立方氮化硼晶粒转化率与温度的关系。结果表明:在立方氮化硼稳定区,在相同压力下,rk随温度的升高而增大;在相同温度下,rk随压力的升高而减小,rk越小立方氮化硼晶粒的转化率越高。计算结果与实际合成实验所得结果完全一致。
- 吉晓瑞杨大鹏杨晓红张铁臣
- 关键词：转化率
- 核磁共振实验拓展研究被引量：2
- 2009年
- 目前高校开设的核磁共振实验虽然操作简单、测量计算容易,但学生对核磁共振现象与原理的理解不深.针对这种现状,阐述了拓宽相关实验内容的必要性,并就"横向弛豫时间的估算"、"横向弛豫时间与溶液浓度的关系"等拓展内容进行了研究与探讨.
- 杨晓红赵辉李昱材孟广伊吉晓瑞
- 关键词：核磁共振弛豫时间
- 用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜被引量：1
- 2006年
- 本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜。岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来。同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶。
- 杨大鹏赵永年李英爱苏作鹏杜勇慧吉晓瑞杨旭昕宫希亮张铁臣
- 关键词：高结晶度生长速率
