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周旭亮
作品数:
91
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
矿业工程
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合作作者
潘教青
中国科学院半导体研究所
于红艳
中国科学院半导体研究所
王圩
中国科学院半导体研究所
李梦珂
中国科学院半导体研究所
李士颜
中国科学院半导体研究所
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作者
91篇
周旭亮
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于红艳
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王圩
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李士颜
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2011
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基于表面等离激元的硅基半导体激光器
本发明公开了一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器,包括衬底、增益层、限制隔离层、电隔离层、上电极层和下电极层。衬底的顶部设置有凹槽;增益层包括自下而上依次层叠的下包层、有源层、上包层和接触层。下包层设置于凹槽内,适用于...
周旭亮
杨正霞
贾晓皓
刘孔
王智杰
潘教青
宽光谱晶闸管激光器的制备方法
本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法,涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括:在衬底上制备半导体外延层结构,在半导体外延层结构上形成脊条结构,在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中,...
王嘉琪
刘震
于红艳
周旭亮
李召松
王圩
潘教青
文献传递
电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法
本发明公开了一种电注入硅基III‑V族边发射纳米线激光器的制备方法,包括:在SOI衬底上沉积二氧化硅层,在所述二氧化硅层上刻蚀矩形沟槽;在矩形沟槽下方的所述SOI衬底的顶层硅中腐蚀v形沟槽,与所述矩形沟槽连通形成连通沟槽...
李亚节
周旭亮
王梦琦
于红艳
杨文宇
潘教青
王圩
文献传递
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
一种应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底1上生长二氧化硅层;步骤2:采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽;步骤3:分别用pir...
周旭亮
于红艳
王宝军
潘教青
王圩
文献传递
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
一种倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法,包括以下步骤:步骤1:在硅衬底上生长二氧化硅层;步骤2:采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽,刻蚀深度等于二氧化硅层的...
周旭亮
于红艳
王宝军
潘教青
王圩
文献传递
制备硅基砷化镓材料的方法
一种制备硅基砷化镓材料的方法,包括以下步骤:在硅衬底1上生长二氧化硅层;采用全息曝光和ICP方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽;分别用piranha、SC<Sub>2</Sub>、HF和去...
周旭亮
于红艳
张心
潘教青
王圩
文献传递
电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法
本公开提供了一种电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法,包括:在SOI衬底上沉积二氧化硅,在二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽;腐蚀SOI衬底,在矩形沟槽的下方腐蚀出V形沟槽;在V形沟槽和矩形沟槽中生长III‑V族...
李亚节
周旭亮
王梦琦
王鹏飞
孟芳媛
李召松
于红艳
潘教青
一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法
一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层;步骤2:在InGaAsP上波导层和...
于红艳
周旭亮
邵永波
王宝军
潘教青
王圩
文献传递
基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法
一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法,包括以下步骤:采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层;将生长有第一缓冲层的衬底,放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理;在第一缓冲层上外延第二缓冲层;在第二缓...
周旭亮
于红艳
潘教青
赵玲娟
王圩
光学神经网络芯片及其计算方法
本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法,包括:光子权重模块,用于实现多个权重的编码,并基于多个权重的编码,调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值,实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算...
王瑞廷
王鹏飞
罗光振
张冶金
周旭亮
于红艳
王梦琦
潘教青
王圩
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