唐为华
- 作品数：143 被引量：152H指数：7
- 供职机构：北京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- Co2（OH）2CO3的制备及X-射线粉末衍射结构解析
- 碱式碳酸钴Co(OH)0.5(2-x)·nH2O存在多种化合物，但迄今为止，尚未见有关化合物Co2(OH)2CO3的粉末衍射数据及其结构精修的报道。笔者在之前的工作中，己经报道了Co2(OH)2CO3的制备方法，本工作对...
- 王顺利吕光烈唐为华
- 关键词：X射线衍射结构精修粉末衍射
- 一种基于氧化镓薄膜的单极型阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于氧化镓薄膜的单极型阻变存储器。本发明由下电极、阻变层和上电极构成，具体是指以Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底为下电极，采用激光脉冲沉积的方法在衬底上生长非晶氧化镓薄膜作为阻变层，再...
- 李培刚郭道友安跃华吴真平唐为华汪鹏超王顺利朱志艳
- 文献传递
- T+OD体系的同位素交换反应动力学被引量：1
- 2011年
- 基于DTO(1A1)分子的多体展式分析势能函数,用准经典的Monte Carlo轨迹法研究了T+OD(0,0)体系的分子反应动力学过程.结果表明,在碰撞能较低(小于121.34kJ·mol-1)时,可以生成长寿命DTO(1A1)络合物,并且该络合反应是有阈能反应,这与用多体项展式理论计算的DTO分子势能曲线结果一致.随碰撞能增加,逐渐出现置换产物DT和OT,最终分子被完全碰散成D,T和O原子,而且反应T+OD(0,0)→OT+D,T+OD(0,0)→DT+O和T+OD(0,0)→D+T+O也是有阈能反应.由于D和T原子的同位素效应,T+OD(0,0)与D+OT(0,0)体系的碰撞反应特征存在非一致性.
- 朱志艳朱正和张莉李培刚唐为华郑莹莹
- 关键词：分子反应动力学轨线反应截面
- 增强VO<Sub>x</Sub>-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>异质结自供电光响应性能的方法
- 一种增强VO<Sub>x</Sub>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>异质结自供电光响应性能的方法，包括：制备VO<Sub>x</Sub>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>异质...
- 唐为华李山李培刚
- 文献传递
- 一种Zn:Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种Zn:Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着<Image file="DDA000111...
- 郭道友秦新元王顺利时浩泽李培刚唐为华沈静琴
- 文献传递
- (La0.7Sr0.3Mn03)m(BiFe03)n超晶格电学性质的表征
- 采用高纯La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)靶和BiFeO3(BFO)靶通过射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备(LSMO/BFO)12超晶格,并对其结构及厚度进行了表征,测量了不同电流下的电阻。温...
- 姜平唐为华王君伟
- 关键词：磁控溅射超晶格电学性质
- 文献传递
- 水热法制备CdS纳米结构被引量：4
- 2009年
- 利用氯化镉(CdCl2)、硫脲(CO(NH2)2)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP),在水热条件下获得了玉米棒状和花状等不同形貌的CdS纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、荧光发光光谱(PL)、紫外可见光分光光度计(UV-vis)对产物进行表征。结果表明:PVP对不同形貌CdS纳米结构的形成起关键作用,随着PVP量的增加,PVP选择性地吸附(102)晶面,抑制了该(102)晶面方向的生长,使产物的形貌由玉米棒状转变为花状;而花状纳米结构的紫外的吸收产生了红移现象,荧光性能无明显变化。
- 钱留琴唐为华
- 关键词：水热法CDS
- La2/3Ca1/3MnO3/Eu2CuO4/La2/3Ca1/3MnO3磁性隧道结的制备与表怔
- 采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了LaCaMnO/EuCuO/LaCaMnO磁性隧道结。通过对获得的磁性隧道结的Ⅰ-Ⅴ特性测量,我们发现非线性的Ⅰ-Ⅴ特性,显示结样品的隧穿特性。有趣的是,我们发现在电极材料LaC...
- 唐为华李培刚
- 文献传递
- 一种双层膜超导整流器件的制备方法
- 本发明公开了一种基于载流子浓度调控超导转变温度机理的超导薄膜整流器件，具体是指一种以La<Sub>1.8</Sub>Sr<Sub>0.2</Sub>CuO<Sub>4</Sub>/La<Sub>1.9</Sub>Sr<S...
- 张媛刘仁娟李培刚沈静琴崔灿唐为华
- 文献传递
- 超宽禁带半导体β-Ga_2O_3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展被引量：28
- 2019年
- β-Ga_2O_3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga_20_3材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga_2O_3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂的Ga_2O_3薄膜电导率可达到32.3 S/cm,透过率大于88%,但离商业化的透明导电电极还存在较大差距.在日盲紫外探测器应用方面,基于异质结结构的器件展现出更高的光响应度和更快的响应速度,ZnO/Ga_2O_3核/壳微米线的探测器综合性能最佳,在-6 V偏压下其对254 nm深紫外光的光响应度达1.3×10~3A/W,响应时间为20μs.
- 郭道友李培刚陈政委吴真平唐为华
- 关键词：GA2O3
