唐文婧
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：电子电信生物学理学更多>>
- GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟被引量：1
- 2011年
- GaAs可饱和吸收体中的深能级缺陷(EL2缺陷)对其被动调Q性能有着重要的影响,因此有必要对EL2缺陷的微观结构及形成机理做进一步研究。用基于密度泛函理论的平面波赝势法首先对GaAs本征点缺陷(镓空位、砷空位、镓替代砷、砷替代镓、镓间隙、砷间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析。计算得到的本征缺陷能级有助于分析GaAs可饱和吸收体中EL2深能级缺陷的形成机理。
- 李德春赵圣之唐文婧李桂秋杨克建
- 关键词：形成能态密度
- 半导体可饱和吸收体调Q的微观机理研究
- 全固态调Q激光器,即在普通固体激光器中加入调Q元件构成的激光器,具有全固化、体积小、泵浦效率高等优势,受到人们极大的关注,具有广泛的应用前景。对于调Q激光器来说,调Q元件的性能对激光器的输出有着极大地影响,故对其性能参数...
- 唐文婧
- 关键词：可饱和吸收体最佳化分子模拟电子结构
- 文献传递
- 基于电光/饱和吸收体双损耗调制高峰值功率单锁模脉冲激光特性研究
- 高峰值功率、超短脉冲激光也被称为超短超强激光,而对超短超强激光的探索是本世纪以来激光技术领域一个非常重要的方向。超短超强脉冲激光器的研究,不仅是激光技术领域的重大突破,也促进了许多新学科的建立,此外,在工业、军事及医学等...
- 唐文婧
- 关键词：电光开关高峰值功率亚纳秒调Q锁模
- 文献传递
- 导导体可饱和吸收体调Q的微观机理研究
- 全固态调Q激光器,即在普通固体激光器中加入调Q元件构成的激光器,具有全固化、体积小、泵浦效率高等优势,受到人们极大的关注,具有广泛的应用前景。对于调Q激光器来说,调Q元件的性能对激光器的输出有着极大地影响,故对其性能参数...
- 唐文婧
- 关键词：可饱和吸收体全固态激光器调Q激光器分子模拟电子结构
- 文献传递
- GaAs饱和吸收体的弹性性质的第一性原理被引量：1
- 2011年
- 基于密度泛函理论的平面波赝势方法,运用Castep软件研究了带有不同本征点缺陷的GaAs饱和吸收体的晶格常数和弹性性质,得到了在不同的点缺陷影响下的GaAs晶体的弹性常数,并采用Voigt-Reuss-Hill方法计算得到相应的体积弹性模量B、剪切模量G,并与理想GaAs晶体的弹性模量数值进行对比。本征点缺陷的存在破坏了GaAs晶体的对称性,使晶格发生畸变,晶格常数变小,弹性常数也不再符合立方晶系的弹性常数模式。GaAs饱和吸收体的脆性降低,延性增强,晶格更容易发生切向形变。计算得到的弹性常数将有助于进一步分析含有复杂缺陷结构的GaAs晶体的弹性性质,并对GaAs晶体作为饱和吸收体用于被动调Q激光器具有理论指导意义。
- 唐文婧李德春赵圣之李桂秋杨克建
