孙学浩
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 迁移增强外延GaAs／Al／GaAs材料生长及其俄歇分析
- 1996年
- 在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大的互扩散。我们还发现在高指数ＧａＡ５（１１３）Ｂ面上用ＭＥＥ方法生长ＧａＡｓ薄膜效果更好。
- 钟战天崔玉德曹作萍张广泽孙学浩张立宝肖君朱勤生邢益荣
- 关键词：俄歇分析砷化镓
- GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长被引量：1
- 2002年
- 用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分的GaN1-xPx 样品进行了低温光致发光 (PL)测试 ,与来自GaN衬底的带边发射相比 ,随三元合金中P组分的变化 ,GaN1-xPx 的PL峰呈现出了不同程度的红移 .在GaN1-xPx 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰 ,表明该合金材料没有发生相分离 .
- 陈敦军毕朝霞沈波张开骁顾书林张荣施毅胡立群郑有炓孙学浩万寿科王占国
- 关键词：三元合金MOCVD化学态红移
- 新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究
- 2003年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长,从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿。
- 曲宝壮朱勤生陈振陆大成韩培德刘祥林王晓晖孙学浩李昱峰陆沅黎大兵王占国
- 关键词：量子点MOCVD共振隧穿INGAN/GAN
- 宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究
- 我们近期建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL 测试的系统。该系统对MOCVD 法生长,以适当配比双掺Si、Zn 杂质的6H—GaN 单晶薄膜进行测量。在300K时,A 峰为带边峰,波长为367.1nm(...
- 万寿科孙学浩张金福王占国
- 关键词：氮化镓碳化硅光致发光
- 文献传递
- 宽禁带半导体材料及纳米材料低温光学性质研究
- 我们建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL测试的系统.该系统对MOCVD法在蓝宝石衬底上外延生长高磷(P)组份的GaN<,1-x>P<,x>三元合金(最高x=20﹪),在4.8K下进行了PL谱测量.发现随...
- 万寿科孙学浩王占国
- 关键词：纳米材料红移半导体材料
- 文献传递
