孙旭芳
- 作品数：11 被引量：19H指数：3
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- 相关领域：电气工程航空宇航科学技术理学电子电信更多>>
- LM118J-8和OP07运算放大器电路抗γ辐射实时模拟研究被引量：1
- 2007年
- 利用60coγ射线模拟空间环境辐射,对卫星电源控制器中LM118J-8和OP07两种运算放大器电路进行剂量率为0.06和0.22 Gy(Si)/s,总剂量为3000 Gy(Si)辐射的实时在线研究。结果表明:随辐射剂量增加,OP07电路的输出电压在低剂量100Gy(Si)时就有明显变化,而LM118J-8电路的输出电压在辐射剂量高于900Gy(Si)时出现明显变化。LMIl8J-8运算放大器的抗辐射性能优于OP07放大器。引起LM118J-8、OP07性能退化、功能失效的主要原因是辐射感生了界面态。
- 段立颖王荣徐伟刘运宏孙旭芳
- 关键词：运算放大器Γ射线
- 0．28-2．80MeV质子辐射对空间实用GaInP／GaAs／Ge多结太阳电池性能的影响被引量：1
- 2008年
- 用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^(12)cm^(-2)。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,太阳电池性能参数I_(sc),V_(oc),p_(max)和光谱响应的衰降幅度均减小,0.28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著;低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显。
- 刘运宏孙旭芳王荣
- 国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应被引量：6
- 2007年
- 运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明:随辐照注量的增加,太阳电池性能参数Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均增大;但随质子辐照能量的增加,Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均减小.实验中0.28MeV质子辐照引起电池Isc,Voc,Pmax衰降最显著,三结电池中光谱响应衰降最明显的是中间GaAs电池.
- 王荣刘运宏孙旭芳崔新宇
- 关键词：质子辐照光谱响应
- 0.4~2.6 MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面测量
- 2006年
- 应用北京师范大学2×1．7MeV串列加速器提供的质子束，采用相对测量方法测量了0．4～2．6MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面．结果表明，对于质子在轻核Al上的散射截面，可用卢瑟福散射截面公式计算的最大入射质子能量是1．5MeV，质子能量大于该值时，出现连续的非卢瑟福散射共振区．
- 孙旭芳王荣刘运宏王广甫
- 关键词：质子
- 量子阱GaAs太阳电池性能随质子辐照注量的变化被引量：1
- 2005年
- 2MeV,1×109~2×1013cm-2质子辐照量子阱GaAs太阳电池,用I-V特性和光谱响应测试分析辐射效应.研究表明,随辐照注量增大,电池Isc,Voc,Pmax衰降程度增大,相同的注量,Pmax衰降程度最大.当辐照注量大于3×1012cm-2时,电池Isc衰降程度比Voc的大,当注量小于3×1012cm-2时,电池Voc衰降程度比Isc的大,与量子阱结构受到损失有关.在整个波长范围,随辐照注量增加,相对光谱响应的衰降变化增大,在900~1000nm波长范围,2×1013cm-2质子辐照电池使量子阱光谱响应特性消失.
- 杨靖波王荣孙旭芳刘运宏段立颖
- 关键词：GAAS太阳电池质子辐照
- GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池低能质子辐照效应研究
- 本工作用实验室加速器提供的质子束对国产空间GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池进行低能质子辐照效应研究。通过对辐照前后太阳电池样品的I-V特性、光谱响应和计算机SRIM2006程序模拟分析，以及与GaAs/Ge单结太阳...
- 孙旭芳
- 关键词：质子辐照光谱响应
- 质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较被引量：5
- 2006年
- 利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.
- 孙旭芳王荣刘运宏郭增良张新辉
- 关键词：GAAS/GE太阳电池质子辐照电子辐照
- 0.70～2.48 MeV质子在F和Mg上160°背散射截面测量被引量：1
- 2008年
- 应用北京师范大学2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.70～2.48MeV宽能区质子在轻核F和Mg上160°(实验室坐标系)背散射截面。测量得到F、Mg各自对应能区的质子共振背散射截面数据,为含F、Mg轻元素的新型薄膜材料的高灵敏分析提供了实验数据。
- 孙旭芳王荣刘运宏王广甫
- 关键词：质子F
- 量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应被引量：3
- 2005年
- 用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应，分析了1×10^9～2×10^13cm^-2，2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池．结果表明，随辐照注量增大，电池，Isc,Voc，Pmax衰降程度增加；相同的注量，Pmax衰降程度最大．当注量大于3×10^12cm^-2时，Isc衰降程度比Voc的大；当注量小于3×10^12cm^-2时，Voc衰降程度比Isc的大；在900～1000nm波长范围内，2×10^13cm^-2辐照使量子阱光谱响应特性消失．这与量子阱结构受到损伤引入位于Ec-0．35eV的深能级有关．
- 王荣杨靖波范强许颖孙旭芳
- 关键词：GAAS太阳电池质子辐照
- GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化被引量：1
- 2006年
- 利用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束模拟空间环境辐射,对引入量子阱GaAs太阳电池和无量子阱GaAs太阳电池进行2MeV质子注量为1×109—2×1013cm-2的辐照,通过电池I-V特性和光谱响应测试,研究分析了它们的辐射效应。结果表明这两种电池的Isc、Voc和Pmax的衰降幅度均随辐照注量增加而增大;而相同注量的辐照,引入量子阱GaAs太阳电池电性能衰降幅度要比无量子阱GaAs太阳电池的大。经2×1013cm-2质子辐照后,引入量子阱GaAs太阳电池光谱响应在400—1000nm整个波段有明显衰降,且长波区(900—1000nm)的量子阱特性消失。量子阱结构的引入使GaAs太阳电池的抗辐射性能下降。
- 刘运宏王荣孙旭芳杨靖波段立颖
- 关键词：GAAS太阳电池质子辐照
