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崔国庆

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇少子寿命
  • 3篇二极管
  • 2篇PIN二极管
  • 1篇开关时间
  • 1篇键合
  • 1篇键合材料
  • 1篇硅

机构

  • 3篇合肥工业大学
  • 2篇东南大学

作者

  • 3篇崔国庆
  • 2篇黄庆安
  • 2篇王建华
  • 1篇秦明

传媒

  • 2篇电子器件

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硅键合材料及二极管少子寿命测试分析与研究
少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。 　　本文研究了PN结二极管、PIN二极管的多种少子寿命测试方法，使用电荷控制法，通过瞬态...
崔国庆
关键词：少子寿命二极管
文献传递
阶越反向恢复法测量PIN二极管少子寿命
2004年
少子寿命是 PIN二极管的重要参数 ,对二极管的正向压降和开关时间有很大的影响。阶越反向恢复法是常用的测试少子寿命方法之一。本文通过分析电荷控制方程得到了更精确的表达式 ,并用这种方法计算了储存电荷法的公式。表达式用 MEDICI器件模拟软件进行了验证。结果表明与目前常用的方法相比 ,本文的方法具有更好的精确性 ,而且简单易行 。
崔国庆黄庆安王建华
关键词：少子寿命PIN二极管
PIN二极管少子寿命测试方法被引量：2
2004年
少子寿命是PIN二极管的重要参数。对二极管的正向导通压降和开关时间有重要影响。本文介绍了常用的测量低掺杂区少子寿命的方法 ,包括阶越反向恢复法、线性反向恢复法、储存电荷法、开路电压衰减法 (OCVD)和射频测试法 ,并指出了各种方法的优点和不足。重点介绍了阶越反向恢复法和线性反向恢复法 ,对实际的测试过程具有一定的指导作用。
崔国庆王建华黄庆安秦明
关键词：PIN二极管少子寿命开关时间
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