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崔德升

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：河北工业大学材料研究中心更多>>
发文基金：河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇单晶
  • 4篇直拉硅
  • 4篇直拉硅单晶
  • 4篇硅单晶
  • 3篇退火
  • 2篇电路
  • 2篇电路工艺
  • 2篇退火工艺
  • 2篇热退火
  • 2篇中子
  • 2篇中子辐照
  • 2篇中子嬗变
  • 2篇中子嬗变掺杂
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路工艺
  • 2篇硅片
  • 2篇硅片加工
  • 2篇CMOS器件
  • 1篇多孔硅
  • 1篇荧光

机构

  • 6篇河北工业大学

作者

  • 6篇任丙彦
  • 6篇崔德升
  • 4篇鞠玉林
  • 4篇徐岳生
  • 4篇张维连
  • 1篇刘彩池
  • 1篇李伟

传媒

  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇1997
  • 3篇1990
  • 2篇1989
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
CMOS器件用硅片的缺陷控制和利用工艺
一种半导体材料的处理方法，特别是CMOS器件用硅片缺陷控制和利用工艺，其工序是先将自然直拉硅单晶进行中子辐照，然后进行切、磨、抛等硅片加工，合格的硅抛光片清洗处理后，直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序。该工艺...
徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
文献传递
CMOS器件用硅片的缺陷控制工艺
一种半导体材料的处理方法，特别是CMOS器件用硅片缺陷控制工艺，其工序是先将自然直拉硅单晶进行中子辐照，然后进行切、磨、抛等硅片加工，合格的硅抛光片清洗处理后，直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序，该工艺稳定、...
徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
一种中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺，其工序是：将自然直拉硅单晶进行中子嬗变掺杂，清洗处理后，送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火。该工艺可与器件制造中的热工序结合，因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得...
徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
文献传递
NTDCZSi辐照施主的退火行为及形成机理探讨
任丙彦李伟崔德升
关键词：辐照施主半导体工艺单晶退火
中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
一种中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺，其工序是：将自然直拉硅单晶进行中子嬗变掺杂，清洗处理后，送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火。该工艺可与器件制造中的热工序结合，因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得...
徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
多孔硅红外光激发上转换兰光特性被引量：2
1997年
采用电化学腐蚀法制备多孔硅（PS），测量了防在近红外光（800nm）激发下的光致发光（PL）谱和光致发光激发（PLE）谱，结果表明PS具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期限内峰值强度有明显的增强．这种非线性光学响应的增强，被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激于被激发有关．硅片初始电阻车越低，发光强度越大．
崔德升刘彩池任丙彦张颖怀
关键词：多孔硅光激发荧光
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