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庄晋艳

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：天津理工大学材料物理研究所更多>>
发文基金：天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目天津市科技创新能力与环境建设平台项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇发光
  • 1篇氧化锌
  • 1篇乙烯
  • 1篇乙烯醇
  • 1篇凝胶法
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇烯醇
  • 1篇离子
  • 1篇离子掺杂
  • 1篇聚乙烯
  • 1篇聚乙烯醇
  • 1篇光谱
  • 1篇光学性能
  • 1篇光学性质
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光光谱
  • 1篇发光光谱

机构

  • 3篇天津理工大学
  • 2篇南开大学
  • 2篇天津大学

作者

  • 3篇庄晋艳
  • 2篇李海燕
  • 2篇张晓松
  • 2篇李岚
  • 2篇李江勇
  • 1篇徐建萍

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高分子网络凝胶法制备ZnO超细粉体及其光学性能被引量：5
2008年
采用高分子网络凝胶法制备球形ZnO超细粉体。通过聚乙烯醇（PVA）亚浓溶液交联网络的空间位阻作用，经过烧结，获得了具有球形形貌的粒径为1—3μm的ZnO粉体颗粒。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）分析了不同PVA浓度以及退火温度对产物形貌、结构的影响，发现在PVA溶液浓度为5％，并且经500℃热处理所形成的ZnO球形颗粒最为均匀规整。研究了球形ZnO粉体的光致发光性能，室温下经325nm波长激发，观察到两个中心波长分别位于407，468nm的微弱的荧光发射带，在合适温度下，在385nm处还出现了较强的紫外峰。PL光谱表明，退火温度对ZnO的光致发光影响较大，随着退火温度升高，由于表面缺陷和结晶性能发生变化，407nm处发射峰逐渐减弱消失，而紫外发光先增强后减弱，经500℃热处理样品的紫外发光性能达到最佳。
李江勇李岚李海燕张晓松庄晋艳
关键词：高分子网络凝胶法聚乙烯醇
ZnO纳米柱的可控生长及其光学性质
2009年
以高分子聚合物聚乙烯醇（PVA）为软模板，通过PVA与乙酸锌（Zn（CH3COO）2．2H2O）之间发生的离子络合反应，在PVA亚浓溶液所提供的空间位阻力作用下，经过烧结，获得了直径在15—50nm之间的呈放射状簇形排列的ZnO纳米柱．X射线衍射（XRD）表明，所得产物结晶良好，呈六方纤锌矿晶体结构．利用扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）分析了不同热处理温度对产物形貌的影响，结果显示，随温度从400℃增加到700℃，ZnO纳米柱生长趋势总体趋于明显，同时产物形貌的规整性也明显变好．采用室温下光致发光（PL）光谱对制得的ZnO纳米柱的光学性能研究表明，随着温度升高，ZnO发光性能在逐渐改善，除在384nm处出现了较常见的紫外发射外，PL光谱曲线在354nm处还出现了少见报道的较强的紫外发射峰，显示出良好的紫外发光性能．
李江勇李岚徐建萍张晓松李海燕庄晋艳
关键词：PVA光致发光光谱
氧化锌量子点结构、缺陷和发光性能的研究
氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿结构的II-VI族宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度达3.3 eV。它具有良好的物理特性，易于与多种半导体材料实现集成化，是一种广泛应用的光电材料。　　 本文总结了ZnO量子点的基本特...
庄晋艳
关键词：氧化锌离子掺杂发光性能
文献传递
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