张利春
- 作品数：70 被引量：75H指数：4
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金“八五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 硅的深槽刻蚀方法
- 硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很...
- 张利春钱钢阎桂珍王咏梅王阳元
- 文献传递
- WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性被引量：1
- 1990年
- 本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1.19。在自对准GaAs MESFET工艺中,WN_x是一种好的栅材料。
- 张利春高玉芝宁宝俊方克微汪锁发柴淑敏
- 关键词：砷化镓肖特基势垒溅射
- 全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究
- 1996年
- 本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层，制作出了可用于ＧａＡｓ超高速集成电路的场效应晶体管，晶体管的跨导为１６０ｍＳ／ｍｍ，其栅漏反向击穿电压大于５Ｖ．
- 高玉芝张利春尹红坤宁宝俊
- 关键词：MESFET砷化镓全离子注入
- 多晶／单晶界面参数对发射区渡越时间影响的解析模型
- 1996年
- 在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷存储机理的Ｓ因子详细分析了发射区渡越时间与多晶／单晶界面参数之间的关系，区分了支配ＲＣＡ器件和ＨＦ器件发射区渡越时间的不同电荷存储机理，得到了有关获得高性能多晶硅发射区双极晶体管的结论．
- 马平西张利春赵宝瑛王阳元
- 关键词：发射区渡越时间多晶硅单晶硅
- 硅器件芯片背面银系溅射金属化
- 本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具...
- 张利春赵忠礼高玉芝宁宝俊王阳元
- 金属硅化物—硅功率肖特基二极管被引量：4
- 1993年
- 本文用X射线衍射(XRD)方法、俄歇电子能谱(AES)分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流—电压法和电容—电压法测量分析了TiSi_2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi_2/n-Si三种肖特基势垒二极管特性,其势垒高度分别为0.61eV、0.66eV和0.66eV,理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物—n型硅肖特基功率二极管有优异的电学性能。
- 宁宝俊高玉芝赵忠礼张利春
- 关键词：金属硅化物肖特基二极管
- 功率晶体管背面金属化研究被引量：4
- 1993年
- 本文对比研究了磁控溅射、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明,采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻,减小饱和压降和改善大电流特性。特别是,间隙工作寿命试验超过38000次以上,达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。
- 张利春高玉芝宁宝俊王阳元赵忠礼
- 关键词：功率晶体管背面金属化
- 多晶硅发射区中的少数载流子注入理论
- 1993年
- 本文提出了一种新的多晶硅发射区少数载流子注入理论.考虑了晶粒间界厚度和其中的少数载流子复合,假设晶粒间界和晶粒具有不同的少数载流子迁移率和寿命.引入少数载流子迁移率和寿命随多晶硅厚度变化的函数,通过求解与单晶硅少数载流子注入形式上完全相同的连续性方程,不仅得到了前人关于晶粒间界对少数载流子具有阻碍和复合双重作用的结论,而且成功地区分了不同晶粒间界对降低注入饱和少数载流子电流贡献的大小.其中,第一个晶粒间界能够最有效地减少注入饱和少数载流子电流.与此同时,本文还得到了能够降低注入饱和少子电流百分之十以上的有效晶粒间界个数与晶粒/晶粒间界界面态密度和晶粒大小之间的关系.
- 马平西张利春王阳元
- 关键词：多晶硅发射区载流子注入晶粒
- 难熔夹层金属提高NiSi薄膜热稳定性的新思路
- 2011年
- 首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法。依据此方法,摸索出在Ni中分别以夹层金属掺入Pt、Mo、Zr、W金属来提高NiSi硅化物的热稳定性。概括总结了掺入难熔金属M后形成的三元镍硅化物Ni(M)Si热稳定性能。实验结果表明,Ni(M)Si硅化物薄膜四种镍硅化物薄膜有相同的热稳定性。以Ni/W/Ni/Si样品为例,经650～800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,小于3Ω/□。XRD衍射、Raman光谱和AFM分析表明,Ni(M)Si薄膜界面平整,该薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi_2相生成,从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800℃,使形成高阻NiSi_2相的最低温度提高到850℃。研制的高压Ni(M)Si/Si肖特基硅器件在650～800℃温度跨度范围内保留了NiSi/Si肖特基相近的整流特性,肖特基势垒高度分布在0.61～0.71 eV区间内,由此表明Ni(M)Si硅化物是令人满意的互连和接触材料。
- 黄伟孙华张利春张树丹许居衍
- 关键词：镍硅化物快速热退火X射线衍射分析拉曼光谱分析卢瑟福背散射原子力显微镜
- 用于砷化镓器件的氮化铝薄膜特性被引量：3
- 1993年
- 研究了S-枪磁控反应溅射制备的AlN薄膜的晶体结构、组分以及薄膜的电学特性。用Raman散射方法检测了AlN与GaAs。SiON与GaAs的界面应力,并用AES方法对比研究了AlN/GaAs,SiON/GaAs经800C快速热退火前后两种薄膜对GaAs的掩蔽作用。高温快速热退火后,SiON保护层对GaAs掩蔽失效、界画应力大;而AlN薄膜界面应力小,能有效地防止Ga,As的外扩散。表明AlN对GaAs集成电路技术是一种非常好的绝缘介质、钝化和保护材料。
- 高玉芝尹红坤宁宝俊李婷张利春侯永田张树霖
- 关键词：钝化层半导体器件氮化铝薄膜
