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- 作品数：42 被引量：37H指数：4
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目北京市教育委员会共建项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学天文地球更多>>
- 双面Si条两维位置灵敏探测器的研制
- 介绍了在核物理和高能物理实验研究中使用的新型探测器——双面硅条两位位置灵敏探测器的结构,工作原理,制备工艺及测试结果.该探测器的灵敏面积为50×50 mm2,前面和背面都被分为相等宽度的16条(每条的面积为50...
- 谭继廉卢子伟张宏斌王柱生祖凯玲鲍志勤李春艳龚伟田大宇于民王金延靳根明张录李占奎徐瑚珊李海霞韩励想魏计房戎欣娟王秀华
- 关键词：反向漏电流
- 双面硅多条探测器的测试被引量：4
- 2011年
- 介绍了由中国科学院近代物理研究所和北京大学微电子研究院联合研制的双面硅多条探测器的初步测试过程及测试结果。测试内容包括:探测器的电特性、能量分辨率、二维能谱、条间串扰(crosstalk)。在-25 V全耗尽偏压下,各条的反向漏电流均小于10 nA,对于5.486 MeV的α粒子,正面各条的能力分辨率在1.5%左右,条间串扰在6%左右;背面各条能量分辨率稍差,在3%左右,其条间串扰在1%左右。同时对进口的Micron BB1直流耦合单边读出的双面硅条探测器做了相同测试,并进行了性能对比。
- 李占奎巩伟谭继廉魏计房王柱生韩励想田大宇于民王金延张录
- 关键词：电性能能量分辨率
- 超薄硅基粒子探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；...
- 李科佳王金延田大宇张录张太平金玉丰
- 文献传递
- 硅衬底注氮方法制备4.4nm SiO2栅介质及其特性
- 利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法,制得4.4nm SiO<,2>栅介质,并将其应用于MOS电容样品的制备.研究了N<,2><'+>注入后在Si/SiO<,2>中的分布及注入后热退火对该分布的影响;考察了不同...
- 许晓燕谭静荣黄如张兴田大宇张录
- 关键词：超薄栅介质氮离子注入软击穿击穿场强硅衬底
- 文献传递
- ALsi金属化工艺和Ti/ALsi金属化工艺对大面积PIN光电二极管芯片暗电流的影响
- 在制造PIN光电二极管的过程中,我们选用溅射Ti/ALsi,经湿法腐蚀后,测试芯片暗电流,发现在偏压比较高时暗电流增大,不符合要求.于是对比进行溅射ALsi,同样用湿法腐蚀后,测试芯片暗电流.试验对比表明,在同样偏压下,...
- 王玮张太平宁宝俊王兆江张录
- 关键词：PIN光电二极管溅射金属化工艺
- 文献传递
- PIN光电探测器光学补偿
- 半导体探测器有不同的材料和不同的结构,可以探测不同的粒子及辐射。硅基的PIN光电二极管的光谱特性是380-1100纳米。但是,靠近紫外的波段,硅光电二极管的灵敏度就比较差了。为了提高硅器件紫波段的量子效率,可以在探测器的...
- 张太平张录宁宝俊田大雨张洁天
- 关键词：量子效率增透膜
- 文献传递
- 超薄硅基粒子探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；...
- 李科佳王金延田大宇张录张太平金玉丰
- 文献传递
- 0.8-1.2微米微细加工艺技术
- 王阳元张利春倪学文张录张大成阎桂珍宁宝俊高玉芝马平西等
- 一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、工艺技术方面：成功开发了包括多晶硅发射区、浅结和薄基区、硅深槽刻蚀和隔离、E-B侧墙氧化物自对准、钴硅化物自对准接触及其引用线技术、双层金属布线、芯片背面溅射金属化技术等一整...
- 关键词：
- 关键词：集成电路工艺超大规模集成电路
- 硅多条探测器的研制和初步应用被引量：5
- 2005年
- 描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果.这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm.P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间距为140μm.当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA.对239Puα粒子的能量分辨为0.5%—09%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%—8%.用于72MeV/u的C束离子测量,得到能量分辨为027%.
- 谭继廉靳根明王宏伟段利敏袁小华王小兵李松林卢子伟徐瑚珊宁宝俊田大宇王玮张录
- 关键词：探测器硅反向漏电流微电子全耗尽Α粒子
- 与硅平面工艺兼容的p^-/p^+型多孔硅的发光特性研究
- 1998年
- ｐ－／ｐ＋型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义，我们通过改变样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件，在ｐ－／ｐ＋型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样品后，在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了８００℃高温退火处理．通过测量样品的光致发光谱，研究了样品衬底离子注入浓度，阳极氧化条件及后处理条件等对ｐ－／ｐ＋型多孔硅样品发光的影响，为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件。
- 孙鲁张树霖张录关旭东韩汝琦
- 关键词：多孔硅发光特性电致发光器件
