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张睿竑

作品数:4 被引量:12H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市教育委员会科技发展计划更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电迁移
  • 2篇金属
  • 2篇焊点
  • 1篇电子封装
  • 1篇铜基
  • 1篇钎料
  • 1篇无铅
  • 1篇无铅焊
  • 1篇无铅焊点
  • 1篇无铅钎料
  • 1篇界面金属间化...
  • 1篇金属材料
  • 1篇金属间化合物
  • 1篇剪切强度
  • 1篇封装
  • 1篇保护层
  • 1篇PO
  • 1篇CU
  • 1篇表面层

机构

  • 4篇北京工业大学

作者

  • 4篇张睿竑
  • 3篇郭福
  • 2篇邰枫
  • 2篇夏志东
  • 1篇申灏
  • 1篇雷永平
  • 1篇徐广臣
  • 1篇赵然

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
颗粒增强复合钎料电迁移特性研究
伴随着倒装芯片焊点不断向微型化,高封装密度化发展,焊点可靠性问题成为不可忽视的问题。倒装芯片焊点中电迁移现象已成为引起集成电路失效的一种重要机制。本文研究目的是探索无铅复合钎料的电迁移特性,从材料设计的角度寻找对于通电焊...
张睿竑
文献传递
Cu基板表面镀镍浸金保护层对无铅焊点可靠性的影响被引量:3
2010年
结合Sn-3.5Ag和Sn-3.0Ag-0.5Cu两种无铅钎料研究了镀镍浸金层(Electroless Nickel Immersion Gold,ENIG)表面层对焊点界面反应以及力学性能的影响。结果表明,钎焊后在Sn-3.5Ag/ENIG/Cu界面主要生成(Ni_yCu_(1-y))_3Sn_4,在Sn-3.0Ag-0.5Cu/ENIG/Cu界面主要生成(Cu_xNi_(1-x))_6Sn_5。在Sn基钎料/ENIG(Ni)/Cu界面处生成金属间化合物的种类及形貌由焊点中Cu原子含量决定。在时效过程中,ENIG表面层中Ni层有效抑制了焊点界面处金属间化合物的生长,减缓了焊点剪切性能的下降。在钎焊过程中ENIG表面层中的Au层不参与界面反应而是进入钎料基体与Sn反应,但是在时效过程中Au原子向界面迁移并造成焊点界面金属间化合物成分和焊点剪切强度的明显变化。
张睿竑赵然郭福
关键词:金属材料电子封装
具有纳米结构的增强颗粒对SnBi焊点电迁移的影响被引量:9
2011年
探究了颗粒增强无铅复合钎料的电迁移特性。试验采用具有纳米结构的笼型硅氧烷齐聚物(POSS)颗粒作为增强颗粒,制备SnBi基复合钎料。在25oC,104A/cm2条件下,对钎料一维焊点实施不同时间的通电试验,并对焊点表面形貌和内部显微组织进行观察。结果表明,相对于共晶SnBi焊点,POSS颗粒增强复合钎料焊点的电迁移现象明显受到抑制。通电336h后,复合钎料焊点表面变化很小,界面处聚集的富Sn和富Bi层厚度很小,表明POSS颗粒能够有效抑制通电焊点中的物质扩散。
张睿竑徐广臣邰枫郭福夏志东雷永平
关键词:电迁移无铅钎料
Cu基板表面层对无铅焊点界面金属间化合物的影响
本文针对目前应用较广的印刷电路板表面层对于无铅焊点界面处金属间化合物的影响进行研究,进而总结其对焊点可靠性的影响规律。 试验选用Cu基板、涂覆有机可焊性保护层的Cu基板、镀镍Cu基板,镀镍浸金Cu基板四种基板进...
张睿竑申灏邰枫郭福夏志东
关键词:金属间化合物剪切强度
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