朱世伟
- 作品数：10 被引量：8H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：北京有色金属研究总院创新基金国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 脉冲激光烧蚀制备四方结构的橄榄球状Ge纳米颗粒
- 2009年
- 采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀金刚石结构多晶Ge靶材,选取合适的靶与衬底间的距离、氩气压力以及沉积时间,在单晶Si(100)衬底上首次制备了四方结构的Ge纳米颗粒,扫描电子显微镜表征显示这些Ge纳米颗粒有橄榄球状的外形。透射电子显微镜和选区电子衍射结果显示,这些橄榄球状的Ge纳米颗粒是四方结构的单晶。而这些Ge纳米颗粒的形成是由于脉冲激光击打Ge靶产生的小的团簇在局域高温的作用下生成四方结构的团簇,而这些四方结构的团簇和Ar气原子发生碰撞并聚集到一起形成橄榄球状Ge纳米颗粒。
- 陈兴王磊朱世伟杜军
- 关键词：脉冲激光烧蚀
- The effect of Argon pressure on size distribution and photoluminescence of Silicon nanoparticles by PLA
- We synthesized Si nanoparticles by pulsed laser ablation (PLA), the particle size can be controlled by changin...
- 朱世伟王磊陈兴屠海令杜军
- 关键词：PL
- Preparation and PL properties of monodisperse,size-controlled silicon nanoparticles
- Homogeneous particles size distribution is the basic requirement for high photoluminescence efficiency of sili...
- 王磊朱世伟陈兴屠海令杜军
- 关键词：PHOTOLUMINESCENCE
- 脉冲激光烧蚀制备TaSi_2纳米颗粒被引量：1
- 2010年
- 利用脉冲激光烧蚀(PLA)技术烧蚀高纯TaSi2靶材,在高定向热解石墨(HOPG)基底上制备TaSi2纳米颗粒,用扫描电镜(SEM)分析纳米颗粒表面形貌,X射线光电子能谱(XPS)分析颗粒的化学组分和元素化学价态。SEM分析结果表明,PLA制备的TaSi2纳米颗粒平均尺寸为10 nm,面密度约1×1012cm-2;XPS分析表明HOPG基底上纳米颗粒表面的化学组分为Ta,Si,C,O元素,Ta和Si元素的存在方式主要是TaSi2,用积分面积灵敏度因子法计算Ta和Si原子比为1:2.2,接近TaSi2的化学计量比。进一步分析表明烧蚀过程中,部分Ta元素与C发生反应生成TaC,部分Si元素与C反应生成SiC;而O主要以化学吸附方式存在于样品表面。
- 黄立娟王磊吴正龙朱世伟杜军
- 关键词：激光技术脉冲激光烧蚀X射线光电子能谱
- 铂纳米颗粒的XRD和XAS研究被引量：1
- 2009年
- 用乙醇还原法制备了PVP包裹的Pt纳米颗粒。X射线衍射(XRD)显示了Pt纳米颗粒的衍射谱与块体铂相同。用X射线吸收谱(XAS)对Pt纳米颗粒的近邻结构进行了研究,发现Pt纳米颗粒的配位数和晶胞参数减小。Pt-L2,3"白线"强度增加,模拟纳米颗粒表面效应的XANES计算不能重现Pt-L2,3实验谱,因此作者把"白线"强度的改变归结为Pt纳米颗粒的重构。
- 陈兴王磊朱世伟杜军
- 关键词：铂纳米颗粒透射电子显微镜X射线衍射X射线吸收谱
- 脉冲激光烧蚀法制备硅纳米颗粒及其光致发光特征被引量：6
- 2010年
- 脉冲激光烧蚀（PLA）法制备硅纳米颗粒的过程中,缓冲气体压力是影响纳米颗粒尺寸最主要的参数之一。研究通常认为,随着缓冲气体压力的增大,纳米颗粒的尺寸相应增大。经扫描电镜（SEM）观察和粒度统计分析发现,在50~100 Pa的氩气压力范围内,制备所得的硅纳米颗粒尺寸均匀,且随氩气压力增大而减小。结合实验参数对脉冲激光烧蚀法的动力学做理论分析,得出压力和硅纳米颗粒直径关系式,与实验结果吻合较好。对此系列硅纳米颗粒用280 nm光做室温光致发光（PL）测试,发现蓝紫光区的光致发光现象。在50 Pa气压下样品具有372 nm和445 nm的双峰结构,而在70 Pa和100 Pa气压下样品只有紫光区的明显峰,分别位于379 nm和393 nm。该蓝紫光区的光致发光谱归结为硅纳米颗粒表面氧化层的表面态效应。
- 朱世伟王磊陈兴屠海令杜军
- 关键词：激光技术光致发光脉冲激光烧蚀
- 脉冲激光沉积制备纳米硅的方法
- 本发明公开了属于硅纳米材料制备技术领域的一种脉冲激光沉积制备纳米硅的方法。首先清洗并固定弧面硅靶和衬底，抽真空后通入惰性缓冲气体，调节衬底温度，采用KrF准分子激光器对硅靶进行烧蚀，激光烧蚀过程完成后，排出真空腔中的残余...
- 王磊杜军屠海令朱世伟
- 文献传递
- XRD and XAS studies of Pt nanoparticles
- We use ethanol-water reduction method to prepare the PVP-protected Pt nanoparticles. XRD shows that Pt nanopar...
- 陈兴王磊朱世伟杜军
- 关键词：TEMXRDXAS
- 脉冲激光沉积制备纳米硅的方法
- 本发明公开了属于硅纳米材料制备技术领域的一种脉冲激光沉积制备纳米硅的方法。首先清洗并固定弧面硅靶和衬底，抽真空后通入惰性缓冲气体，调节衬底温度，采用KrF准分子激光器对硅靶进行烧蚀，激光烧蚀过程完成后，排出真空腔中的残余...
- 王磊杜军屠海令朱世伟
- 文献传递
- 脉冲激光烧蚀制备窄发光带的分散Si纳米颗粒被引量：1
- 2010年
- 采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀高阻多晶Si靶,分别在液氮冷却至200K的高定向石墨(HOPG)和单晶Si(100)衬底上制备分散单晶Si纳米颗粒。采用拉曼谱(Raman)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析证实Si纳米晶粒的形成。结果表明:所形成的纳米Si颗粒具有均匀分散性,相应的光致发光峰位出现在585nm,峰值半高宽为70nm;与相同参数下常温衬底的结果相比,所形成的纳米Si颗粒具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象;Si纳米颗粒尺寸的均匀分布是窄发光带的主要原因。
- 王磊屠海令朱世伟陈兴杜军
- 关键词：脉冲激光烧蚀光致发光
