李化鹏
- 作品数：5 被引量：15H指数：3
- 供职机构：天津理工大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金天津市教委基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 射频磁控溅射生长C轴择优取向AlN压电薄膜被引量：9
- 2007年
- 采用射频磁控反应溅射工艺,在Si(400)衬底上制备了高c轴取向的AlN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜特征。研究了不同的Ar/N2比、衬底偏压、工作压强对AlN薄膜c轴择优取向的影响。研究了AlN薄膜在以氮终止的硅衬底和纯净硅衬底两种表面状态的生长机制,发现在以氮终止的硅衬底表面生长的AlN薄膜非常容易得到c轴择优取向的AlN薄膜。
- 杨保和徐娜陈希明薛玉明李化鹏
- 关键词：ALN薄膜
- 沉积工艺参数对AlN薄膜择优取向影响的实验研究
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法,以高纯Al(99.999%)为靶材,高纯N2为反应气体,在硅及金刚石上制备了氮化铝(AlN)薄膜.研究了氩气氮气比例、溅射气压等工艺参数对AlN膜沉积的影响规律.结果表明,随着氮气比例的增大AlN(002)取向明显增强.溅射气压低有利于以AIN(002)面择优取向.
- 卢勤李化鹏陈希明
- 关键词：磁控溅射氮化铝薄膜金刚石
- 高性能声表面波器件AlN/Diamond基片制备及分析
- 声表面波(SAW)器件由于具有小型化、高可靠、多功能、一致性好等特点，在雷达、声纳、无线通信、光纤通信及广播电视系统中已获得广泛的应用。由于目前通讯器件朝着高频化发展，优良的高频声表面波器件基片必须具有高声速、高机电耦合...
- 李化鹏
- 关键词：金刚石膜氮化铝薄膜声表面波器件压电材料
- 文献传递
- 溅射沉积温度对薄膜生长影响的计算机模拟被引量：3
- 2007年
- 利用Monte Carlo方法对薄膜生长过程进行计算机模拟.模型针对粒子的沉积、吸附及粒子的扩散等过程,研究了粒子允许行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响.结果表明:随温度升高,粒子行走步数增加,薄膜的生长经历了从分散到分形团聚的过程;在粒子行走步数越小的情况下,薄膜越易趋向于分散生长.
- 李化鹏孙大智于春花陈希明杨保和
- 关键词：MONTECARLO方法计算机模拟薄膜生长分形
- 射频功率对射频磁控反应溅射制备AlN薄膜的影响被引量：3
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了AlN薄膜,通过控制工艺参数可以沉积出不同择优取向的AlN薄膜,各工艺参数中射频功率对其择优取向的影响最大.XRD表征了AlN薄膜的结构,进而选择出最优射频功率.
- 于春花陈希明李化鹏
- 关键词：ALN薄膜
