李思坤
- 作品数：163 被引量：168H指数：9
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 极紫外光刻掩模衍射谱的快速仿真方法
- 一种极紫外光刻掩模衍射谱快速仿真方法，将掩模整体看作一个多层膜结构，划分为有吸收层覆盖区域和无吸收层覆盖区域。在斜入射情况下，基于等效膜层法计算两种区域膜层复反射系数，采用基尔霍夫近似计算掩模衍射谱。本发明方法可以快速仿...
- 胡少博李思坤唐明王向朝张子南
- 文献传递
- 极紫外光刻光源掩模优化方法
- 一种极紫外光刻光源掩模优化方法，采用像素表征光源和掩模图形，通过点脉冲修正的厚掩模成像模型计算光刻胶像，以光刻胶图形和目标图形之间的图形误差作为评价函数，采用基于社会学习机制的粒子群算法(SLPSO)优化光源分布和掩模图...
- 张子南李思坤王向朝成维胡少博刘珍
- 文献传递
- 一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法
- 一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法。所述方法通过寻找频谱强度值矩阵的8邻域极大值点作为包络顶点，针对每个极大值点采用设计的包络生长法寻找属于当前包络的点以及包络的边界点。本发明设计的包络...
- 廖陆峰李思坤王向朝
- 文献传递
- 并行计算光学条纹图相位提取方法
- 一种并行计算光学条纹图相位提取方法，所述方法使用包含多核CPU或计算机机群组成的多节点CPU的计算平台，主节点CPU完成图像读取与并行任务划分及调度；分节点CPU处理被分配的相位求解任务，并将结果传回主节点CPU；主节点...
- 余程李思坤王向朝
- EUV光刻三维掩模成像研究进展被引量：2
- 2022年
- 极紫外(EUV)光刻是目前最先进的光刻技术,是芯片向更高集成度发展的重要保障。高成像质量是确保EUV光刻机性能指标的前提,而反射式三维掩模和特殊的光学成像系统给提高成像质量带来了更多挑战。研究三维掩模成像是提高EUV光刻成像质量的基础,三维掩模成像模型是重要的研究工具。本文结合本团队在EUV光刻三维掩模成像领域的研究,介绍了EUV光刻三维掩模成像的基本原理,总结了典型的三维掩模模型,介绍了提高EUV光刻三维掩模成像质量相关技术的研究进展,并展望了该领域的发展趋势。
- 张子南李思坤王向朝
- 关键词：光刻衍射极紫外光刻成像质量
- 光刻投影物镜热像差的快速仿真方法
- 一种光刻投影物镜热像差快速仿真方法，分为镜片表面光强仿真、镜片温度分布仿真和热像差仿真三个过程。镜片表面光强仿真过程先设定照明方式和掩模图形等参数，然后仿真光瞳面光强分布，通过光瞳映射的方式得到镜片表面光强分布；镜片温度...
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- 极紫外光刻掩模缺陷检测与补偿技术研究被引量：2
- 2022年
- 极紫外(EUV)光刻机是推动集成电路向先进技术节点发展的核心装备,已应用于7 nm及以下技术节点芯片的量产。高成像质量是EUV光刻机应用于芯片量产的基础。作为成像系统的重要组成部分,掩模是影响EUV光刻成像质量的重要因素。EUV掩模的制造过程中会产生以多层膜缺陷为代表的掩模缺陷,显著降低光刻成像质量。对EUV掩模缺陷的位置、尺寸和形貌等进行准确检测,并根据检测结果进行缺陷补偿是确保光刻成像质量的重要手段。为了有效补偿掩模缺陷对光刻成像质量的影响,需要建立快速准确的含缺陷掩模模型。本文结合本团队在掩模缺陷检测和补偿技术领域的研究工作,介绍了典型的含缺陷掩模仿真方法,总结了现有掩模缺陷检测技术,介绍了掩模缺陷补偿技术的研究进展。
- 成维李思坤张子南王向朝
- 关键词：光刻极紫外光刻
- 光刻投影物镜的琼斯光瞳检测方法被引量：3
- 2019年
- 提出一种基于琼斯光瞳的光刻投影物镜偏振像差检测方法。推导了基于琼斯矩阵的检测方程,建立了光强矢量与琼斯矩阵克氏积的线性关系,利用该线性关系直接检测琼斯光瞳形式的偏振像差。以一个典型的光刻投影物镜的琼斯光瞳为检测对象对所提方法进行仿真验证,仿真中考虑了偏振元件与CCD的实际参数误差,并与传统穆勒矩阵椭偏法转换得到的琼斯光瞳进行比较。对于同一种典型的偏振元件旋转角组合,与传统测量方法相比,所提方法测量的偏振衰减和偏振相位延迟误差均明显降低。仿真结果表明,所提方法在不增加现有测量装置复杂度的基础上,明显提高了琼斯光瞳形式偏振像差的测量精度。
- 孟泽江李思坤王向朝王向朝杨朝兴
- 关键词：光刻
- 光刻机匹配方法
- 一种光刻机匹配方法，本方法以空间像关键尺寸作为描述光刻机成像性能的参数，通过遗传算法优化像素化描述的光刻机的照明光源，实现光刻间高精度匹配。本发明充分利用了自由照明系统光源自由度高的优势，提高了现有方法的匹配精度，适用于...
- 茅言杰李思坤王向朝
- 文献传递
- 基于二次规划的光刻机光源优化方法被引量：10
- 2014年
- 提出一种基于二次规划的光刻机光源优化方法。采用空间像与目标像的图形误差为目标函数,根据空间像强度与不同位置的点光源之间的线性关系,将光源优化转换成二次规划问题。将掩模图形区域分成限制区域和比较区域,对限制区域应用约束条件,对比较区域采用目标函数优化。采用一维孤立空图形和二维接触孔阵列图形对该方法进行验证,分析光刻胶阈值和离焦量对优化结果的影响。仿真表明,提出的光源优化方法获得了光源的全局最优解,提高了光刻成像质量,增大了工艺窗口。
- 闫观勇李思坤王向朝
- 关键词：光学设计光刻分辨率增强全局最优解
