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李楠

作品数:19 被引量:82H指数:5
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 12篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇晶体
  • 9篇蓝宝
  • 9篇蓝宝石
  • 6篇蓝宝石晶体
  • 5篇晶体生长
  • 4篇数值模拟
  • 4篇值模拟
  • 3篇单晶
  • 3篇锗单晶
  • 3篇泡生法
  • 3篇位错
  • 3篇温场
  • 3篇红外
  • 2篇整流罩
  • 2篇气泡
  • 2篇温度梯度
  • 2篇光谱
  • 2篇红外光
  • 1篇电池
  • 1篇英寸

机构

  • 19篇北京有色金属...
  • 3篇天津大学
  • 2篇有研光电新材...

作者

  • 19篇李楠
  • 10篇苏小平
  • 9篇那木吉拉图
  • 9篇黎建明
  • 7篇杨海
  • 7篇杨鹏
  • 4篇李跃龙
  • 3篇阮永丰
  • 3篇李金权
  • 3篇冯德伸
  • 3篇蔡迅
  • 3篇刘春雷
  • 2篇王宁
  • 1篇余怀之
  • 1篇左建龙
  • 1篇张峰翊
  • 1篇王超群
  • 1篇闵振东
  • 1篇柯利峰

传媒

  • 9篇人工晶体学报
  • 2篇稀有金属
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇激光技术

年份

  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 5篇2009
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2005
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Ge单晶中的位错形态腐蚀
采用CZ法拉制晶向为<100>Ge单晶,利用化学腐蚀和金相显微镜研究Ge单晶中位错密度、位错坑形态发展过程。对于磨砂型号、研磨时间、抛光时间、腐蚀时间的不同对位错形态及本底有影响的几个因素设计实验方案。结果发现:随着研磨...
李楠王宁冯德伸
关键词:位错
文献传递
气体湍流对泡生法生长蓝宝石单晶温场的影响被引量:2
2008年
本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟。分析了气体压力对泡生法生长蓝宝石单晶的温场、气体速度场的影响。结果发现在气压P≥105Pa时,特别是在引晶初期,容易出现籽晶根部熔化,这在实验中得到了很好的验证,并提出了三种解决方案。
李金权苏小平那木吉拉图黎建明张峰翊李楠杨海
关键词:温场数值模拟
一种用于蓝宝石晶体炉电极密封的组件
一种用于蓝宝石晶体炉电极密封的组件,它包括:圆形绝缘板(3)、O形圈(4)、O形圈(5)以及连接螺钉(8),所述的圆形绝缘板的两端面分别设有密封槽I(14),密封槽II(15),密封槽内分别设有O形圈(4)、O形圈(5)...
李楠黎建明刘春雷
文献传递
泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的生长速率研究被引量:1
2013年
采用晶体生长数值模拟软件CrysMAS对泡生法生长蓝宝石晶体过程的温场进行了研究,利用数值模拟结果来调节晶体生长实验的生长速率,成功的长出了质量为91.3 kg的高质量蓝宝石晶体,并将模拟结果与实验结果进行了对比。结果表明:数值模拟结果能很好的反映出晶体在不同时刻的生长状态。晶体在生长初期应保持较低的生长速度,在等径生长阶段,晶体的最大生长速度应低于1002 g/h。
蔡迅黎建明刘春雷李楠
关键词:泡生法蓝宝石固液界面
Ce^3+:LiYF4和Ce^3+:LiLuF4晶体生长与其紫外光谱特征被引量:3
2009年
采用提拉法在CF4气氛中生长高质量掺Ce3+的LiYF4和LiLuF4晶体。测试了晶体的紫外光谱,并从配位场理论角度解释了Ce3+在2种氟化物晶体中紫外光谱特性的差异。结果表明:Ce3+在LiYF4晶体的吸收谱宽度比在LiLuF4晶体中更宽,Ce3+:LiYF4晶体的吸收峰和荧光峰的位置相对Ce3+:LiLuF4晶体的出现紫移。认为其主要原因是由于在LiYF4晶体中,Ce3+和相邻的F-的距离更近,Ce3+的d电子与F-之间的相互排斥作用更大。
那木吉拉图苏小平杨海阮永丰杨鹏李楠
关键词:晶体生长紫外光谱
锗单晶中位错密度的影响因素被引量:9
2010年
直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响;温度梯度对位错密度的影响;固液界面形状对位错密度的影响;机械因素对位错密度的影响。通过dash技术排除籽晶中位错的影响;通过调整晶体所处的热场(改变埚位和保温筒高度)、改变熔体中轴向负温度梯度的状况(增加坩埚杆的保温效果和开双加热器)和通过设计出轴向温度梯度为线性温度梯度径向温度梯度较小的热场来减小温度梯度对位错密度的影响;通过调整固液界面形状(改变拉速、埚转和晶转)来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排、位错堆以及小角晶界,得到低位错密度的单晶。
左建龙冯德伸李楠
关键词:锗单晶太阳能电池温度梯度
4英寸低位错锗单晶生长被引量:13
2008年
采用直拉法生长4英寸〈100〉低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求。
冯德伸李楠苏小平杨海闵振东
关键词:温度梯度缩颈工艺参数位错密度
CF-(4)气氛中生长KMgF-(3)晶体的研究
2009年
为了获得高质量的 KMgF_3晶体,采用提拉法,在 CF_4气氛中进行了晶体生长。对生长过程中的挥发物和结晶余料进行了物相分析,并测试了晶体红外透射光谱。由测试结果可知,晶体生长过程中的主要挥发物为 KF,析晶率较大时的结晶余料中出现 MgF_2相,红外光谱中未出现 OH^-的吸收,但 COH 的吸收比较明显。结果表明,CF_4气氛有利于KMgF_3晶体生长过程中 H_2O 等氧源的消除,生长过程中有效地抑制 KF 的挥发并适当地补充 KF,是 KMgF_3晶体生长中不可忽略的问题。
那木吉拉图阮永丰苏小平杨海杨鹏李楠
关键词:晶体生长提拉法红外光谱
一种新型籽晶夹头
本实用新型属半导体材料制备设备领域,特别涉及一种新型籽晶夹头。籽晶夹头由夹头座和夹头嘴组成,夹头嘴的上部和夹头座的下连接孔螺纹连接,夹头嘴由左右对称的两个半圆块组成,每个半圆块的圆锥体一端中心有一个长方形卡槽,夹头嘴的两...
李楠闵振东冯德伸
文献传递
热交换器中氦气流量对生长蓝宝石温场影响的研究
2008年
采用热交换法生长蓝宝石晶体,通过数值模拟与实验研究了晶体生长过程中热交换器中氦气流量对温场的影响。结果表明:晶体生长过程中固液界面为近弧面;随氦气流量增大,晶体与熔体的温度下降,温度梯度增大;加热器功率缓慢上升。
李跃龙黎建明苏小平杨海那木吉拉图李楠杨鹏
关键词:蓝宝石数值模拟
共2页<12>
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