李永坤
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ESD保护电路的模拟仿真
- 本文详细分析了ESD保护电路中的关键器件N阱电阻和GGNMOS中的物理特性和热电击穿机理，并且详述了两个器件的等效电路模型。对于电阻模型，建立了从线性电阻和速率饱和区域、雪崩倍增和热电击穿区域来分段分析其特性。而GGNM...
- 李永坤
- 关键词：ESD保护电路
- 文献传递
- ESD保护电路及其元件模型
- 文章介绍了组成ESD保护电路的组成元件,简单说明了它们在电路中的作用,并举例列出了一个具有两级电路组成的ESD保护电路.后面对其中的两个关键元件电阻和二极管在ESD条件下做了详细的机理解释,给出了模型的数学表达式,并分别...
- 李永坤罗宏伟文静刘瑶
- 关键词：静电放电雪崩击穿
- 文献传递
- 深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应被引量：4
- 2007年
- 选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.
- 孟志琴郝跃唐瑜马晓华朱志炜李永坤
- 关键词：X射线总剂量效应
- 90nm～65nm MOSFET总剂量效应的ISE仿真研究
- 本文利用ISETCAD仿真软件,对90nm nMOSFET和pMOSFET的辐照总剂量效应进行仿真.从关态电流、阈值电压、跨导和亚阈斜率的变化来分析总剂量效应对90nm器件的影响.并分析了不同的剂量率下器件性能的变化,进...
- 孟志琴唐瑜曹艳荣李永坤
- 关键词：总剂量效应
- 文献传递
- ESD电热模拟分析被引量：2
- 2007年
- 在分析ESD失效机制的基础上,介绍了目前热击穿的研究情况,指出器件失效前所承受的功率与时间的关系对于研究热击穿的重要性;然后介绍了几个关于失效功率的热模型,分析了相关ESD模拟软件工具,提出一套有效的ESD模拟方法。
- 李永坤郝跃罗宏伟
- 关键词：静电放电
