杜娟
- 作品数：1 被引量：15H指数：1
- 供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Ⅲ族元素掺杂对SnO_2电子结构及电学性能的影响被引量：15
- 2007年
- 采用密度泛函理论研究了Ⅲ族元素掺杂对SnO2电子结构及电学性能的影响.态密度分析结果表明,以替代位存在的Ⅲ族杂质均使SnO2的费米能级明显向低能态方向移动,使得价带顶不完全填满,因此在SnO2中均充当受主作用.部分态密度分析结果表明,相对于掺Al的SnO2,Ⅲ族元素中的Ga及In对费米能级附近态密度贡献较大,其主要贡献来自Ga3d态或In4d态,这预示着在SnO2中掺Ga或In能实现更好的p型掺杂效果.电离能计算结果进一步表明,在Al,Ga及In三种元素中,替位In有最小的电离能(0.06eV),这说明其在SnO2中能形成最浅的受主能级,因而在同等掺杂情况下,可引入最高浓度的空穴,从而实现最佳的p型掺杂效果.
- 杜娟季振国
- 关键词：密度泛函理论SNO2电子结构
