杨振涛
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
- 发文基金：中国电子科技集团公司创新基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- MgO-SiC系列复合微波衰减材料
- 2012年
- 介绍了衰减材料的基本原理,国内外MgO-SiC系列复合材料研究和应用现状。
- 杨振涛鲁燕萍
- 关键词：氧化镁碳化硅
- MgO-SiC系列复合微波衰减材料
- 了衰减材料的基本原理，国内外MgO-SiC系列复合材料研究和应用现状。
- 杨振涛鲁燕萍
- 关键词：MAGNESIUMOXIDECARBIDEMICROWAVEATTENUATIONATTENUATIONATTENUATIONBUTTON
- 常压烧结制备AlN-W复合微波衰减材料及其性能研究被引量：2
- 2013年
- 以氮化铝、钨为原料,在氮气气氛下,采用无压烧结方式制备了AlN-W复合微波衰减材料。采用扫描电子显微镜、矢量网络分析仪及激光导热仪对样品的微观结构、介电性能及热导率进行测试分析。结果表明:随着烧结温度的增加,AlN-W复合陶瓷的介电常数逐渐增大,介电损耗变化不大。随着烧结助剂添加量的增加,AlN-W复合陶瓷的介电常数和介电损耗相应增大。随着W含量的增加,AlN-W陶瓷的介电常数呈增加的趋势,介电损耗逐渐降低,当W添加量为60%时损耗几乎为零。随着W颗粒粒径的增加,AlN-W复合陶瓷的介电常数变化不大,介电损耗逐渐降低。由此可通过调节烧结温度、衰减剂含量、衰减剂粒径及烧结助剂的添加量,来制备符合实际需要的复合微波衰减材料。1750℃下制备的A1N-40%W复合陶瓷热导率为91 W/m·K。初步分析了AlN-W复合陶瓷的微波衰减机理。
- 杨振涛鲁燕萍
- 关键词：常压烧结介电性能
- AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究被引量：2
- 2013年
- 分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料。采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构。研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98%,介电性能在X波段ε'为14.01～13.98,tgδ为0.158～0.163,在Ku波段ε'为11.48～10.96,tgδ为0.18～0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95%,在X波段的ε'为26.97～24.26,tgδ为0.326～0.327。探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理。
- 杨艳玲鲁燕萍杜斌杨华猛杨振涛刘征
