杨文运
- 作品数：38 被引量：64H指数：5
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：云南省中青年学术和技术带头人后备人才项目云南省自然科学基金云南省应用基础研究计划面上项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术金属学及工艺冶金工程更多>>
- 用叠盖电极光导探测器求材料双极迁移率
- 理论求解了非对称叠盖电极结构光电导体(探测器)中非平衡载流于分布,以及方向相反的外加偏置电场下探测器的输出信号,两者的比值与外激发无关.通过测量不同方向上信号与电场强度的关系,可以确定材料中载流于双极迁移率.
- 杨文运朱惜辰赵鹏
- 关键词：光电导探测器叠盖电极
- 文献传递
- 高工作温度红外探测技术
- 高工作温度(HOT)红外探测器是指在高工作温度的情况下，探测器仍然表现出较好的性能。利用具有特定设计结构的探测器芯片，可以在不降低器件光电性能的情况下，提高探测器的工作温度。
- 杨文运
- 一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器
- 本实用新型涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al<Sub>1‑x</Sub>In<Sub>x</Sub>Sb组分渐变缓冲...
- 陈冬琼赵鹏杨文运宋欣波李德香王海澎李立华施静梅戴欣冉白兰艳黄晖
- 一种红外探测器材料的势垒层及其制备方法
- 本发明涉及一种红外探测器材料的势垒层及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构从上向下依次为顶电极接触层、势垒层、吸收层、底电极接触层、缓冲层以及衬底；势垒层材料为掺杂5×10<Sup>15</S...
- 陈冬琼邓功荣杨文运朱琴信思树戴欣冉赵宇鹏余瑞云尚发兰太云见赵鹏黄晖
- 文献传递
- 不同钝化膜对InSb光伏探测器性能影响研究被引量：2
- 2020年
- 采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响。实验结果表明SiO2+SiNx复合膜能大幅度降低器件表面暗电流,C-V测试结果也表明复合钝化膜能大幅度降低了界面固定电荷。将复合钝化膜应用到128×12815μm InSb焦平面探测器上,探测器芯片优值因子R0A≥5×10^4Ω·cm^2,较之前(R0A≈5×10^3Ω·cm^2)得到了极大改善。
- 龚晓霞肖婷婷杨瑞宇黎秉哲尚发兰孙祥乐赵宇鹏陈冬琼杨文运
- 关键词：钝化膜暗电流固定电荷
- 噪声作为红外探测器可靠性评价的探讨被引量：5
- 2009年
- 红外探测器的可靠性是一个重要的指标,当前利用噪声来表征器件的可靠性受到了广泛的关注。文分析了红外探测器的电噪声,它包括热噪声、散粒噪声、g-r噪声和1/f噪声,再结合g-r噪声和1/f噪声的产生,对噪声用作InSb光伏探测器可靠性的评价进行了详细分析。
- 苏玉辉龚晓霞雷胜琼杨文运
- 关键词：可靠性
- 高密度常温金丝球焊接技术探讨
- 1997年
- 对６０元光导ＣＭＴ探测器的电极焊接工艺进行了研究，针对ＣＭＴ探测器元数增多，电极密度提高，焊接难度增加的问题，从工艺上进行了各种改进。
- 陈爱萍施海燕杨文运
- 非制冷红外探测器研究进展(特邀)被引量：12
- 2021年
- 非制冷红外探测器由于无需制冷装置,能够工作在室温状态下,具有成本低、体积小、功耗低等特点,在红外领域得到了广泛的应用。在军事应用方面,非制冷型探测器的应用逐渐进入了之前制冷型探测器的应用范围,大量应用在一些低成本的武器系统,甚至在一些应用领域取代了原来的非制冷型探测器。在民用领域方面,更表现出了其价格和使用方便的优势,在民用车载夜视、安防监控等应用领域引起了广泛的兴趣和关注。文中介绍了Bolometer、热释电、热电堆等几种典型非制冷红外探测器的工作原理,列举了目前已实现商业化应用的主要产品在国内外的情况,着重介绍了目前应用最广泛的Bolometer器件主流产品的像元间距、阵列规格、性能及其封装发展的情况。除了已实现商业化应用的Bolometer、热释电、SOI二极管等探测器等产品,还详细介绍了一些非制冷探测新技术或新型器件:比如超表面在增强某些波段吸收方面的应用,新材料的Bolometer探测器、双材料新型非制冷器件、石墨烯、量子点、纳米线等光电探测技术的研究进展。最后文章还对今后非制冷红外探测器的发展趋势作了预测。
- 余黎静余黎静杨文运唐利斌
- 关键词：非制冷红外探测器热释电BOLOMETER封装
- 基于硅基OLED的分离式器件的封装方法
- 基于硅基OLED的分离式器件的封装方法，属于分离器件封装技术领域。通过将Panel IC和Drive IC进行分离式设计制造，然后通过倒装焊与FOG的方法将Drive IC和FPC与Panel IC连接起来。该方法能够有...
- 张永春杨文运陈雪梅高树雄
- Pt/CdSSchottky势垒紫外探测器的研制被引量：9
- 2006年
- 介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在λ=440 nm处加两伏反偏时的响应率为0.17A/W,内量子效率最大可达64%。
- 秦强朱惜辰杨文运
- 关键词：紫外探测器肖特基势垒CDS
