杨李茗
- 作品数：110 被引量：376H指数：11
- 供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：机械工程理学电子电信核科学技术更多>>
- 全介质超表面集成化拉曼光谱探测系统
- 本发明涉及一种全介质超表面集成化拉曼光谱探测系统。该系统包括激光器、光纤、波导、纳米结构阵列、滤波片和超表面光谱仪，波导激发传输拉曼信号，纳米结构阵列设置在波导的上表面，纳米结构阵列提供强电磁场，将探测物分子悬浮设置在纳...
- 叶鑫唐烽陈骏李波杨李茗邵婷孙来喜李青芝石兆华
- 文献传递
- 激光等离子体效应对硅表面损伤特征的影响被引量：1
- 2011年
- 硅材料作为光电探测器的基础材料,研究其在强激光辐照下的损伤问题在激光探测、国防领域很有意义。对高强度纳秒激光作用下硅表面的损伤形貌特征进行了研究,结果表明:激光等离子体的热效应及冲击波效应,使激光作用区域内的物质迅速向外飞溅,形成点坑,并在点坑周围形成辐射状冷却物;散射光与入射激光干涉产生形成周期性分布的热应力使得硅材料表面张力发生变化,冷却后会在坑底表面产生周期性结构;从激光等离子体的光谱中可以发现N,O和Si的特征光谱,在重复激光脉冲作用下会在硅表面上覆盖一层导致色变的SiOx和SiNx复合薄膜,是激光等离子体的喷射产物。
- 范卫星韩敬华李海波杨李茗冯国英高翔刘岩岩包凌东黄永忠
- 关键词：激光等离子体多晶硅激光诱导损伤
- 斐索干涉仪检测工作台
- 本实用新型公开了一种斐索干涉仪检测工作台，旨在提供一种检测平面光学元件面形配套设备。它包括承载台、工件支架和检测底座，承载台上设有导轨，工件支架的底部设有滑动滚珠。本实用新型使工件的恒温等待过程和检测过程分离，实现了工件...
- 杨李茗李瑞洁石琦凯刘夏来张宁于杰巨光段敏
- 文献传递
- 环摆抛双面抛光机
- 本发明公开了一种环摆抛双面抛光机，属于光学元件加工技术领域。它包括下盘、套圈、分离器、上盘和主臂，套圈与主动轮、限位轮外切，还包括辅机座和偏心轮，上盘的上端经主臂与辅机座连接，上盘上设有辅臂，辅臂外端与偏心轮连接，偏心轮...
- 杨李茗鄢定尧何曼泽刘民才王琳欧光亮周佩璠刘义彬刘夏来蔡红梅胡江川张宁姜莉戴红岭邱服民赵春茁
- 微透镜阵列反应离子束蚀刻传递研究被引量：10
- 1998年
- 提出一种微透镜阵列复制的新方法反应离子束蚀刻法（ＲＩＢＥ）。它在工作原理和参数控制等方面较传统的蚀刻方法有很大的先进性，能够实现蚀刻过程的精确控制。本文详细阐述了反应离子束蚀刻过程中蚀刻选择性的控制方法，通过对各种蚀刻参数的控制，最终实现了微透镜阵列在硅等红外材料上面形传递的深度蚀刻。口径１００μｍ的Ｆ／２微透镜阵列在硅基底上的传递精度达１１．０３，无侧向钻蚀。
- 许乔杨李茗舒晓武杨国光
- 关键词：微透镜阵列微光学
- ICF系统中全息透镜聚焦特性及衍射效率分析被引量：5
- 2003年
- 根据全息透镜的工作原理,利用光线追迹法对其聚焦特性进行了理论分析。使用标量衍射法分析了全息透镜的衍射效率,讨论了不同的光栅槽型对其衍射效率的影响。对分析过程中所涉及到的有关近似处理方法的使用和影响进行了说明,讨论了全息透镜用作取样光栅的优点。
- 杨春林张蓉竹杨李茗许乔
- 关键词：全息透镜光线追迹衍射效率全息图
- 光学加工过程中抛光粉参量的变化规律及其对抛光效果的影响
- 针对超精密光滑光学元件加工过程中容易出现的粗糙度较大和表面疵病较多的现象,对传统抛光机理和抛光过程中抛光粉的主要参量对抛光质量的影响进行了研究.研究表明:抛光表面水解层对超光滑表面的形成有重要意义,超大、超硬抛光颗粒是超...
- 韩敬华杨李茗刘民才刘义彬王忠凯高耀辉冯国英
- 关键词：光学加工抛光表面疵病
- 高斯-谢尔模光束通过光栅的远场特性被引量：3
- 2006年
- 针对现代激光系统中使用的衍射光学元件,以高斯-谢尔模光束为研究对象,分析了部分相干光通过光栅后的远场特性。利用部分相干光的标量传播公式,对不同束腰宽度、相关长度和相干长度的高斯-谢尔模光束经光栅后的传输特性进行了数值计算,得到了多种情况下光束的远场强度分布。
- 杨春林许乔马平杨李茗
- 关键词：部分相干光远场分布光栅
- 任意点阵衍射图形的DOE优化设计被引量：11
- 1998年
- 本文利用模拟退火算法对任意点阵衍射图形的纯相位衍射元件进行了优化设计，针对收敛性和收敛速率对算法进行了适当修正。
- 杨李茗虞淑环
- 关键词：衍射光学元件模拟退火算法DOE优化设计
- 激光烧蚀硅表面的发射光谱分析被引量：4
- 2009年
- 研究了不同能量的纳秒激光脉冲聚焦到单晶硅片上时,激光等离子体的自由电子密度和温度以及损伤形貌随激光脉冲能量增加的变化规律。研究结果表明:激光脉冲击穿硅介质产生的激光等离子体的体积以及自由电子密度和温度大小,决定了硅表面损伤的形貌特点和大小。自由电子密度和温度的变化特点是:随着激光脉冲能量的增加,激光等离子体的体积不断增大,自由电子温度缓慢增加而密度基本不变。又由于激光等离子体的自由电子密度和温度呈现从中心到边缘由大到小的变化趋势,所以损伤形貌总的特点是内部区域的熔化非常充分,形成明显的周期性排列的规则条纹,且条纹的排列趋势呈现环状;中部区域熔化不充分,形成条纹不很规则;边缘区域处分界明显,有时出现等离子体产生喷溅变色痕迹。
- 韩敬华冯国英杨李茗杨丽玲张秋慧谢旭东朱启华
- 关键词：激光等离子体光谱分析单晶硅电子密度电子温度
