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杨海贵

作品数：42 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金吉林大学青年教师基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇镀膜
  • 8篇改性层
  • 7篇微结构
  • 7篇刻蚀
  • 7篇光电
  • 7篇光学
  • 7篇大口径
  • 6篇多光谱
  • 6篇光电探测
  • 5篇滤光片
  • 5篇硅基
  • 4篇探测器
  • 4篇能级
  • 4篇像元
  • 4篇光学元件
  • 4篇发光
  • 4篇发光特性
  • 4篇硅
  • 3篇镀膜设备
  • 3篇荧光

机构

  • 37篇中国科学院长...
  • 6篇吉林大学
  • 1篇临沂师范学院
  • 1篇烟台大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 42篇杨海贵
  • 31篇高劲松
  • 30篇王笑夷
  • 20篇王延超
  • 19篇刘震
  • 15篇刘海
  • 11篇申振峰
  • 6篇王彤彤
  • 5篇张建
  • 4篇李强
  • 3篇王海峰
  • 3篇戴振文
  • 2篇孙桂娟
  • 2篇蒋占魁
  • 2篇王立军
  • 2篇李建福
  • 1篇方爱平
  • 1篇吴昊
  • 1篇田思聪
  • 1篇祖宁宁

传媒

  • 3篇发光学报
  • 1篇临沂师范学院...
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2021
  • 9篇2020
  • 7篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法
制备N型硅基太阳能电池P+型掺杂层的方法，涉及太阳能电池领域，解决了现有采用硼扩散法制备P+型掺杂层存在的P+型掺杂层均匀性和可控性差的问题。该方法为：对N型单晶硅衬底进行化学清洗；采用沉积镀膜方法在N型单晶硅衬底表面沉...
杨海贵刘震刘海李资政王延超王笑夷申振峰高劲松
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一种微结构硅基光电探测器及其制备方法
本发明涉及光电探测技术，尤其涉及一种微结构硅基光电探测器。所述微结构硅基光电探测器，包括硅本征层、P型层、N型微结构层、环形P<Sup>+</Sup>型层、第一电极、第二电极、介质材料层和N<Sup>+</Sup>型硅衬...
王延超王稞杨海贵王笑夷高劲松
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多通道滤光片、制备方法及荧光显微镜成像系统
本发明提供的多通道视频型荧光显微镜成像系统，在光学系统中间像面处插入一维多通道滤光片，并通过微位移单元驱动滤光片微位移像元长度，可以在不损失图像分辨率的前提下，实现了对动态样品同时进行多个光谱通道成像，一方面对多个光谱通...
杨海贵张建王笑夷杨飞张卓高劲松
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一种微结构硅基材料及其制作方法、半导体器件
本发明提供一种微结构硅基材料及其制作方法、半导体器件，制作方法包括提供硅片及微球溶液；将微球溶液采用自组装方式制作为微球模板；将微球模板转移至硅片表面，进行退火热处理；以微球作为掩膜，并采用反应离子束刻蚀工艺刻蚀硅片，再...
杨海贵李强高劲松刘小翼王延超李资政王笑夷
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光电子器件、半导体基板及其制作方法
本发明提供了一种光电子器件、半导体基板及其制作方法，该半导体基板包括硅衬底以及位于所述硅衬底第一表面的金属层，所述硅衬底的第一表面具有多个凹槽，所述金属层覆盖所述凹槽之间的区域以及所述凹槽的底面和侧壁。本发明中的凹槽及其...
高劲松刘小翼杨海贵李强王延超李资政王笑夷
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一种多通道法布里-珀罗滤光片及其制备方法
本发明提供了一种多通道法布里‑珀罗滤光片及其制备方法，在多通道法布里‑珀罗滤光片制备过程中，采用聚焦离子束刻蚀的方法而达到仅需一次刻蚀就能集成多个通道。聚焦离子束刻蚀为计算机控制下的无掩膜刻蚀方法，可以直接对于高光谱滤光...
杨海贵高劲松王笑夷李资政刘海王延超
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一种均匀镀膜方法、镀膜设备及计算机可读存储介质
本发明公开了一种均匀镀膜方法、镀膜设备及计算机可读存储介质，该均匀镀膜方法包括以下步骤：(1)，根据待沉积光学元件的面形确定沉积源的第一沉积函数分布特性；(2)，根据待沉积光学元件的面形和沉积源的第一沉积函数分布特性确定...
王延超刘震杨海贵高劲松王笑夷
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Pr^(3+)∶Y_2SiO_5晶体中橙—蓝频率上转换过程
2006年
测量了Pr3+∶Y2SiO5晶体的吸收谱,标定了室温下Pr3+在Y2SiO5晶体4f2组态内的能级.利用579 nm激光激发Pr3+∶Y2SiO5晶体,观察到480~515 nm上转换荧光带.运用时间分辨激光光谱技术测量了3P0能级的上转换荧光衰减曲线.通过研究上转换荧光的衰减曲线、吸收谱、激发谱和上转换荧光强度与泵浦激光单脉冲能量的关系,确定了以1D2为中间态的能量转移上转换主要是上转换机制.
李建福王晓丽孙成林杨海贵蒋占魁
关键词：晶体
一种硅基深孔微结构的制作方法
一种硅基深孔微结构的制作方法，包括先将硅片依次放入双氧水、氨水中各浸泡十分钟，然后用蒸馏水清洗干净放置洁净处晾干备用；微球去离子水中悬浊液，选取合适尺寸400nm‑100um的微球原溶液加入体积两倍的乙醇，并放入超声仪中...
李强李资政王笑夷杨海贵高劲松
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一种近红外增强型硅基四象限光电探测器及其制备方法
本发明涉及光电探测技术领域，具体公开一种近红外增强型硅基四象限光电探测器及其制备方法。本发明的四象限光电探测器的由4个完全相同的上下表面都具有锥形微结构的PIN结构单元组成，PIN结构包括作为I型层的本征硅衬底，上表面具...
王延超王稞杨海贵王笑夷高劲松
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