杨福华
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国地质大学材料与化学学院更多>>
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- In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响
- 采用超声雾化热解法制备 ZnO 薄膜,对比分析了不同 In 含量的 N-In 共掺杂 ZnO 薄膜的显微结构, 电学和光学性质．实验结果表明在 N-In 共掺杂条件下 In 的含量对 ZnO 薄膜的显微结构及性能有明显的...
- 罗红波谭劲杨福华池召坤
- 关键词：光致发光
- 文献传递
- In含量变化对N-In共掺杂ZnO薄膜的结构和性能的影响被引量：3
- 2007年
- 采用超声雾化热解法制备ZnO薄膜，对比分析了不同In含量的N-In共掺杂ZnO薄膜的显微结构，电学和光学性质。实验结果表明在N-In共掺杂条件下In的含量对ZnO薄膜的显微结构及性能有明显的影响。In的掺入使得ZnO中总体缺陷减少，晶粒外形更规则，C轴取向性更好。引入In能使ZnO更容易向P型转变；当前驱体溶液中In的比例〉0．03后，可以显著改善ZnO薄膜的电学性能和光学性能。
- 罗红波谭劲杨福华池召坤
- 关键词：ZNO薄膜光致发光
- SiGe合金半导体中自间隙缺陷和两种碳相关缺陷的计算研究
- 2009年
- 采用从头计算(abinitio)的方法对比研究了Si1-xGex合金半导体材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性质。在Si1-xGex合金中,Ge原子不能与缺陷核心的C原子和O原子直接成键,但可能与W缺陷核心的间隙Si原子相连。在含CiOi缺陷的晶胞中,Ge原子倾向于取代沿[110]伸长方向的Si原子。随着合金中Ge含量的升高,W缺陷的形成能不断增加,结构稳定性逐渐降低。与W缺陷不同的是,CiCs缺陷和CiOi缺陷在不同Ge含量的Si1-xGex合金中形成能变化较小,变化幅度在0.15eV以内,理论研究结果与前人的实验结果相吻合。
- 杨福华谭劲周成冈凌芝
- 关键词：从头计算法
- Si_(1-x)Ge_x合金半导体中C_iC_s和C_iO_i缺陷随Ge含量的变化被引量：2
- 2008年
- 采用从头计算(abinitio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质.在不同Ge含量的Si1-xGex合金中CiCs和CiOi缺陷的结构都具有较好的稳定性;从能量学角度,Ge原子不能与C或O原子直接成键.CiCs缺陷的A型和B型结构在Si1-xGex合金中表现出的行为基本类似,但是A型结构随着Ge含量的增加形成能逐渐减小,结构越来越稳定,而B型结构的形成能先有所下降后逐渐增加;A型和B型结构的能量差值随着Ge含量的增加先在小范围内变化后迅速下降.CiOi缺陷形成能的变化特征较为复杂.纯Si体系在1000K及以上温度的等温退火过程中,CiCs缺陷的A型结构会向B型结构转变;Si1-xGex合金在进行等温退火时CiCs缺陷的A型结构的变化特征与退火温度、Ge含量和Ge取代的位置等因素有关.
- 杨福华谭劲周成冈罗红波
- 关键词：从头计算法
- 硅和硅锗合金半导体中碳相关缺陷和自间隙缺陷的从头计算研究
- Si1-xGex合金是一种新型半导体材料，它与传统的Si工艺相兼容，又能实现“能带工程”，是现在和未来的微电子产业中重要半导体材料。随着器件尺寸的迅速变小，Si和Si1-xGex合金半导体材料中存在的B等掺杂剂瞬间增强扩...
- 杨福华
- 关键词：半导体材料从头计算法
- 文献传递
