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杨立新

作品数：6 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇PECVD
  • 1篇全息
  • 1篇全息光学
  • 1篇全息光学元件
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋阀
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束增强沉...
  • 1篇埋层
  • 1篇晶态
  • 1篇巨磁电阻
  • 1篇巨磁电阻效应
  • 1篇混合型
  • 1篇各向异性
  • 1篇光学
  • 1篇光学元件
  • 1篇光致
  • 1篇Β-SIC
  • 1篇半导体

机构

  • 5篇中国科学院上...
  • 1篇武汉大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇杨立新
  • 4篇陈长清
  • 3篇陈学良
  • 2篇陈国明
  • 2篇沈德芳
  • 2篇卢志红
  • 2篇杨易
  • 1篇郑志宏
  • 1篇陈平
  • 1篇熊锐
  • 1篇任琮欣
  • 1篇周正国
  • 1篇严金龙
  • 1篇周祖尧
  • 1篇柳襄怀
  • 1篇梅雪飞
  • 1篇严金龙

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇Journa...
  • 1篇核技术
  • 1篇光学学报
  • 1篇磁记录材料

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
PECVD制备光致可发绿光的α—SiC：H薄膜
1997年
利用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法，以硅烷和乙烯为反应气体源在适当淀积条件下制备出在紫外光激发下可发绿光（光致发光谱峰值波长约为５３２ｎｍ）的高品质α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜。本文主要报道该发光薄膜的红餐吸收谱（ＦＴＩＲ）、紫外及可见光透射谱一光学带隙、光致发光谱、电子自旋共振（ＥＳＲ）和电学性能的测试结果并进行讨论。
陈长清杨立新
关键词：半导体材料PECVD法
光盘光学拾音器技术的现状与发展
1997年
阐述了光盘的光学聚焦伺服、循迹伺服和光信息拾取原理，介绍了由分立元件、全息光学元件、光电混合集成和单片集成等所构成多种光学拾音器的结构。
杨立新陈长清杨易陈学良沈德芳陈国明
关键词：全息光学元件CDLDVCD
C^+注入硅形成β-SiC埋层研究被引量：5
1997年
在200℃和680℃下对P型（100）单晶硅进行不同剂量的C+注入，实验表明680℃下注入形成的β-SiC埋层存在＜100＞取向生长的结晶态，经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火后，结晶度得到进一步增强；200℃下注入形成的β-SiC埋层为无定形态，即使经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火之后仍没有发现结晶态衍射峰存在．研究同时揭示了不同C+注入剂量对所形成β-SiC埋层结晶程度的影响，以及不同退火工艺对于样品制备的影响．通过AES成分深度测试及剖面透射电子显微镜（XTEM）可以直观分析β-SiC埋层的内在结构．
陈长清杨立新严金龙陈学良
关键词：碳化硅埋层
混合型集成光学拾音器的结构设计被引量：1
2000年
采用光学追踪法计算了圆锥光线入射到棱镜中的轨迹 ,并对计算结果进行了实验验证 ,实验结果与计算结果相一致 。
杨立新李东宏陈学良卢志红杨易沈德芳陈国明
关键词：混合型
利用离子束技术及PECVD制备碳化硅被引量：5
1998年
阐述利用离子注入、离子束增强沉积、反应离子束溅射及反应离子束辅助沉积等方法制备碳化硅薄膜的实验结果，并报道利用等离子体增强化学气相沉积技术制备可光致发光的非晶态α－ＳｉＣ：Ｈ薄膜的工作。
陈长清任琮欣杨立新杨立新严金龙郑志宏周祖尧柳襄怀陈平
关键词：离子束增强沉积晶态碳化硅PECVD
NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀中巨磁电阻效应的各向异性被引量：1
1999年
用射频磁控溅射的方法制备自旋阀NiO／NiFe／Cu／NiFe，通过改变外磁场、电流以及钉扎层易轴间的相对取向，研究自旋阀中的磁电阻与三者相对取向间的关系。结果表明，在自旋阀中磁电阻效应具有各向异性的特点。各向异性的起因在于磁性材料的磁各向异性和磁性材料中电子散射的各向异性。
梅雪飞熊锐周正国卢志红杨立新
关键词：各向异性自旋阀巨磁电阻效应磁性材料
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