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杨谦

作品数：12 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家电网公司科技项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇碳化硅
  • 5篇刻蚀
  • 4篇掩模
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基二极管
  • 4篇二极管
  • 4篇衬底
  • 3篇欧姆接触
  • 2篇选择性
  • 2篇掩蔽层
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇退火
  • 2篇外延层
  • 2篇肖特基器件
  • 2篇离子注入
  • 2篇金属
  • 2篇禁带
  • 2篇精确控制
  • 2篇宽禁带
  • 2篇功率器件

机构

  • 12篇中国科学院微...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇株洲南车时代...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 12篇杨谦
  • 12篇刘新宇
  • 11篇申华军
  • 10篇汤益丹
  • 10篇白云
  • 8篇赵玉印
  • 8篇蒋浩杰
  • 1篇杨成樾
  • 1篇邓小川
  • 1篇刘可安
  • 1篇赵妙
  • 1篇金智
  • 1篇丁武昌
  • 1篇李诚瞻

传媒

  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇智能电网（汉...

年份

  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ICP刻蚀4H-SiC栅槽工艺研究被引量：1
2015年
为避免金属掩膜易引起的微掩膜,本文采用SiO2介质作为掩膜,SF6/O2/Ar作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对4H-SiC trench MOSFET栅槽刻蚀工艺进行了研究。本文详细研究了ICP刻蚀的不同工艺参数对刻蚀速率、刻蚀选择比以及刻蚀形貌的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随着ICP功率和RF偏压功率的增大而增加;随着气体压强的增大刻蚀选择比降低;而随着氧气含量的提高,不仅刻蚀选择比增大,而且能够有效地消除微沟槽效应。刻蚀栅槽形貌和表面粗糙度分别通过扫描电子显微镜和原子力显微镜进行表征,获得了优化的栅槽结构,RMS表面粗糙度<0.4nm。
户金豹邓小川申华军杨谦李诚瞻刘可安刘新宇
关键词：感应耦合等离子体碳化硅
一种SiC肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括N<Sup>++</Sup>‑SiC衬底和N<Sup>‑</Sup>‑SiC外延层，N<Sup>‑</Sup>‑SiC外延层形成于N<Sup>++<...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
文献传递
一种宽禁带功率器件场板的制造方法
本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
文献传递
带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法
本发明公开了一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法，该方法是在SiC衬底背面上依次蒸发金属Ni、Ti和Ni，并对衬底-金属层进行高温退火处理。金属Ni、Ti和Ni的厚度分别为20nm、20nm和100nm。本发明可应用于...
韩林超申华军白云汤益丹许恒宇王弋宇杨谦刘新宇
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一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀...
刘新宇汤益丹许恒宇蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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一种宽禁带功率器件场板的制造方法
本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法
本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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一种SiC肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括N<Sup>++</Sup>-SiC衬底和N<Sup>-</Sup>-SiC外延层，N<Sup>-</Sup>-SiC外延层形成于N<Sup>++<...
刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
文献传递
一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀...
刘新宇汤益丹许恒宇蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦
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